講演・口頭発表等

2012年12月14日

中性子転換注入GaN中の 14Cによるドナー準位の補償

「材料照射効果と応用」（KUR研究会）
  • 伊田 孝寛
    • ,
  • 尾賀 孝宏
    • ,
  • 栗山 一男
    • ,
  • 串田 一雅
    • ,
  • 徐 虬
    • ,
  • 福谷 哲
記述言語
日本語
会議種別
口頭発表（一般）
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