若林勇希 (Yuki K Wakabayashi) - マイポータル

基本情報

所属: 日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所研究員

学位: 博士(工学)

J-GLOBAL ID: 201401071538924000
researchmap会員ID: B000242534

研究キーワード

経歴

2017年4月 - 現在

NTT物性科学基礎研究所研究員
2016年4月 - 2017年3月

理化学研究所放射光科学総合研究センター量子状態可視化研究チーム研修生
2016年4月 - 2017年3月

日本学術振興会特別研究員(DC2)
2012年12月 - 2017年3月

東京大学リーディング大学院統合物質科学リーダー養成プログラム(MERIT)

学歴

2014年4月 - 2017年3月

東京大学大学院, 工学系研究科, 電気系工学専攻博士課程
2012年4月 - 2014年3月

東京大学大学院, 工学系研究科, 電気系工学専攻修士課程
2006年4月 - 2012年3月

大阪大学, 基礎工学部, 電子物理科学科物性物理

受賞

2017年3月

優秀博士論文賞 (東京大学電気系工学専攻長賞)

若林勇希
2016年8月

Young Researcher Best Poster Award, 9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids (PASPS)

Yuki K, Wakabayashi
2015年3月

第62回(2015年春季) 応用物理学会学術講演会第3回スピントロニクス英語講演奨励賞

若林勇希

論文

Observation of the inverse spin Hall effect in the topological crystalline insulator SnTe using spin pumping

Shinobu Ohya, Akiyori Yamamoto, Tomonari Yamaguchi, Ryo Ishikawa, Ryota Akiyama, Le Duc Anh, Shobhit Goel, Yuki K. Wakabayashi, Shinji Kuroda, Masaaki Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 96(9) 2017年9月査読有り
Electronic structure and magnetic properties of magnetically dead layers in epitaxial CoFe2O4/Al2O3/Si(111) films studied by x-ray magnetic circular dichroism

Yuki K. Wakabayashi, Yosuke Nonaka, Yukiharu Takeda, Shoya Sakamoto, Keisuke Ikeda, Zhendong Chi, Goro Shibata, Arata Tanaka, Yuji Saitoh, Hiroshi Yamagami …

PHYSICAL REVIEW B 96(10) 2017年9月査読有り
Origin of robust nanoscale ferromagnetism in Fe-doped Ge revealed by angle-resolved photoemission spectroscopy and first-principles calculation

S. Sakamoto, Y. K. Wakabayashi, Y. Takeda, S. -I. Fujimori, H. Suzuki, Y. Ban, H. Yamagami, M. Tanaka, S. Ohya, A. Fujimori

PHYSICAL REVIEW B 95(7) 2017年2月査読有り
Origin of the large positive magnetoresistance of Ge1-xMnx granular thin films

Yuki K. Wakabayashi, Ryota Akiyama, Yukiharu Takeda, Masafumi Horio, Goro Shibata, Shoya Sakamoto, Yoshisuke Ban, Yuji Saitoh, Hiroshi Yamagami, Atsushi Fujimori …

PHYSICAL REVIEW B 95(1) 2017年1月査読有り
Tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV-based ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe

Yuki K. Wakabayashi, Kohei Okamoto, Yoshisuke Ban, Shoichi Sato, Masaaki Tanaka, Shinobu Ohya

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9(12) 2016年12月査読有り
Room-temperature local ferromagnetism and its nanoscale expansion in the ferromagnetic semiconductor Ge1–xFex

Y. K. Wakabayashi, S. Sakamoto, Y. Takeda, K. Ishigami, Y. Takahashi, Y. Saitoh, H. Yamagami, A. Fujimori, M. Tanaka, S. Ohya

Scientific Reports 6, 23295 (2016). 6 2016年3月査読有り
Soft X-ray angle-resolved photoemission with micro-positioning techniques for metallic V2O3

Hidenori Fujiwara, Takayuki Kiss, Yuki K. Wakabayashi, Yoshito Nishitani, Takeo Mori, Yuki Nakata, Satoshi Kitayama, Kazuaki Fukushima, Shinji Ikeda, Hiroto Fuchimoto …

JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION 22 776-780 2015年5月査読有り
Ge/Si Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistors and Their Post Metallization Annealing Effect

Minsoo Kim, Yuki K. Wakabayashi, Masafumi Yokoyama, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62(1) 9-15 2015年1月査読有り
Important role of the non-uniform Fe distribution for the ferromagnetism in group-IV-based ferromagnetic semiconductor GeFe

Yuki K. Wakabayashi, Shinobu Ohya, Yoshisuke Ban, Masaaki Tanaka

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116(17) 2014年11月査読有り
Annealing-induced enhancement of ferromagnetism and nanoparticle formation in the ferromagnetic semiconductor GeFe

Yuki K. Wakabayashi, Yoshisuke Ban, Shinobu Ohya, Masaaki Tanaka

PHYSICAL REVIEW B 90(20) 2014年11月査読有り
Carrier transport properties of the Group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex with and without boron doping

Yoshisuke Ban, Yuki Wakabayashi, Ryota Akiyama, Ryosho Nakane, Masaaki Tanaka

AIP ADVANCES 4(9) 2014年9月査読有り
High I-on/I-off Ge-source ultrathin body strained-SOI Tunnel FETs

Minsoo Kim, Yuki Wakabayashi, Ryosho Nakane, Masafumi Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 2014年査読有り
Fe concentration dependence of tunneling magnetoresistance in magnetic tunnel junctions using group-IV ferromagnetic semiconductor GeFe

K. Takiguchi, Y. K.Wakabayashi, K. Okamoto, M. Tanaka, S. Ohya

AIP advances 7, 105202 (2017). 査読有り
Impurity band conduction in group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex with nanoscale fluctuations in Fe concentration

Y. Ban, Y. K. Wakabayashi, R. Nakane, M. tanaka

arXiv:1706.04445

MISC

[プロシーディング] Electrical Characteristics of Ge/Si Hetero-Junction Tunnel Field-Effect Transistors and their Post Annealing Effects

M. Kim, Y. Wakabayashi, R. Nakane, M. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi

Extended Abstracts of the 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, p624-625 (2013) 査読有り
[プロシーディング] ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果

金閔洙, 若林勇希, 中根了昌, 横山正史, 竹中充, 高木信一

電子情報通信学会技術研究報告. 114, 9-12 (2015).
322

[解説] IV族強磁性半導体GeFeの物性解明と磁気トンネル接合

Y. K. Wakabayashi

応用電子物性分科会会誌 22巻4号, 143 (2016).

講演・口頭発表等

[招待講演] IV族強磁性半導体Ge1-xFexの物性解明と磁気トンネル接合

若林勇希

応用電子物性分科会・スピントロニクス研究会共催「スピントロニクス材料の新展開」 2016年11月21日