森田行則 (Morita Yukinori) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人産業技術総合研究所先端半導体研究センター上級主任研究員

学位: 博士

研究者番号: 60358190
J-GLOBAL ID: 201801019015861992
researchmap会員ID: B000299963

外部リンク: https://staff.aist.go.jp/y.morita/index.html

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研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

論文

101

Enhancement-Mode Operation and Stability Improvement in Ultrathin ALD-InO_x FETs With AlO_x/HfO_x Gate Dielectric

Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Toshifumi Irisawa, Wen Hsin Chang, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Tatsuro Maeda

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 73(2) 833-839 2026年2月
Systematic investigation of dynamic nuclear polarization with boron vacancy in hexagonal boron nitride

Yuki Nakamura, Shunsuke Nishimura, Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Shinichi Ogawa, Yukinori Morita, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kento Sasaki, Kensuke Kobayashi

Physical Review B 111(19) 2025年5月2日
Comprehensive analysis of determining factors of the effective work function of TiAlC/TiN metal gates for advanced gate-all-around CMOS integration

Kenzo Manabe, Kazuya Uejima, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Toshifumi Irisawa, Yoshihiro Hayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64(1) 2025年1月1日
Excess Oxygen Modulation Through Channel Thickness Scaling and Annealing Ambient for AlOx-Passivated Ultrathin InOx FETs

Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Toshifumi Irisawa, Wen Hsin Chang, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Tatsuro Maeda

IEEE Journal of the Electron Devices Society 2025年
Development of ferroelectricity with crystallographic phase transformation in Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films upon initial stimulation of an electric field exceeding the coercive field

Yukinori Morita, Takashi Onaya, Shutaro Asanuma, Hiroyuki Ota, Shinji Migita

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP53-04SP53 2024年4月1日
Magnetic field imaging by hBN quantum sensor nanoarray

Kento Sasaki, Yuki Nakamura, Hao Gu, Moeta Tsukamoto, Shu Nakaharai, Takuya Iwasaki, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Shinichi Ogawa, Yukinori Morita …

Applied Physics Letters 122(24) 2023年6月12日査読有り
Defect generation and recovery in high-k HfO2/SiO2/Si stack fabrication

Shota Nunomura, Hiroyuki Ota, Toshifumi Irisawa, Kazuhiko Endo, Yukinori Morita

Applied Physics Express 2023年6月1日
Wake-up-free properties and high fatigue resistance of Hf<inf>x </inf>Zr<inf>1- x </inf>O<inf>2</inf>-based metal-ferroelectric-semiconductor using top ZrO<inf>2</inf>nucleation layer at low thermal budget (300 °c)

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

APL Materials 10(5) 2022年5月1日
Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1-xO2-based metal-ferroelectric-semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 degrees C)

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

APL MATERIALS 10(5) 2022年5月
Enhancement of ferroelectricity in sputtered HZO thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment

Mohit Mohit, Yuli Wen, Yuki Hara, Shinji MIGITA, Hiroyuki OTA, Yukinori Morita, Keisuke OHDAIRA, Eisuke TOKUMITSU

Japanese Journal of Applied Physics 2022年3月3日
Electron beam lithography with negative tone resist for highly integrated silicon quantum bits

Kimihiko Kato, Yongxun Liu, Shigenori Murakami, Yukinori Morita, Takahiro Mori

Nanotechnology 32(48) 485301-485301 2021年11月26日
Impact of reduced pressure crystallization on ferroelectric properties in hafnium-zirconium dioxide films deposited by sputtering

Yuki Hara, Mohit, Tatsuya Murakami, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 60 2021年11月1日
Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> film through the direct piezoelectric response

Kenshi Takada, Mikio Murase, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

Applied Physics Letters 119(3) 2021年7月19日
Si bilayer tunnel field-effect transistor structure realized using tilted ion-implantation technique

Kimihiko Kato, Hidehiro Asai, Koichi Fukuda, Takahiro Mori, Yukinori Morita

SOLID-STATE ELECTRONICS 180 2021年6月
Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2nanolaminates

Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Shutaro Asanuma, Yukinori Morita, Akira Toriumi

Applied Physics Express 14(5) 2021年5月1日
Thermal stability of ferroelectricity in hafnium-zirconium dioxide films deposited by sputtering and chemical solution deposition for oxide-channel ferroelectric-gate transistor applications

Mohit, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Eisuke Tokumitsu

Applied Physics Express 14(4) 2021年4月1日
Study of SiO 2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric Hf xZr 1-XO 2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita

ECS Transactions 104(4) 129-135 2021年
Quantum dot formation on suspended graphene nanomesh by helium ion beam milling technology

Fayong Liu, Manoharan Muruganathan, Shinichi Ogawa, Yukinori Morita, Zhongwang Wang, Marek Schmidt, Hiroshi Mizuta

2021 5TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE (EDTM) 2021年
Impact of Switching Voltage on Complementary Steep-Slope Tunnel Field Effect Transistor Circuits

Kimihiko Kato, Tetsufumi Tanamoto, Takahiro Mori, Yukinori Morita, Takashi Matsukawa, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 67(9) 3876-3882 2020年9月
Ultra-Low Power Human Proximity Sensor Using Electrostatic Induction

Hiroshi Fuketa, Yukinori Morita

IEEE Sensors Journal 20(14) 7819-7825 2020年7月15日

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MISC

157

正圧電応答顕微鏡法によるHfO₂薄膜の分極ドメイン構造の観察

萩原拓永, 森田行則, 太田裕之, 右田真司, 藤村紀文, 吉村武

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
TFETの短チャネル効果と界面ポテンシャル

福田浩一, 浅井栄大, 服部淳一, 森貴洋, 森田行則, 昌原明植, 右田真司, 太田裕之, 遠藤和彦, 松川貴

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.21p‐PB3‐1 2018年9月5日
Effect of post-implantation annealing on Al-N isoelectronic trap formation in silicon: Al-N pair formation and defect recovery mechanisms

Takahiro Mori, Yukinori Morita, Takashi Matsukawa

AIP Advances 8(5) 2018年5月1日査読有り
Simulation study of short-channel effects of tunnel field-effect transistors

Koichi Fukuda, Hidehiro Asai, Junichi Hattori, Takahiro Mori, Yukinori Morita, Wataru Mizubayashi, Meishoku Masahara, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Kazuhiro Endo …

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 2018年4月1日査読有り
Epitaxial growth of Ge thin film on Si (001) by DC magnetron sputtering

Shintaro Otsuka, Takahiro Mori, Yukinori Morita, Noriyuki Uchida, Yongxun Liu, Shin-ichi O'uchi, Hiroshi Fuketa, Shinji Migita, Meishoku Masahara, Takashi Matsukawa

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 3-7 2017年11月査読有り
Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation

Takashi Matsukawa, Yongxun Liu, Takahiro Mori, Yukinori Morita, Shintaro Otsuka, Shin-ichi O'uchi, Hiroshi Fuketa, Shinji Migita, Meishoku Masahara

SOLID-STATE ELECTRONICS 132 103-108 2017年6月査読有り
Bias temperature instability in tunnel field-effect transistors

Wataru Mizubayashi, Takahiro Mori, Koichi Fukuda, Yuki Ishikawa, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yongxun Liu, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
On the drain bias dependence of long-channel silicon-on-insulator-based tunnel field-effect transistors

Koichi Fukuda, Takahiro Mori, Hidehiro Asai, Junichi Hattori, Wataru Mizubayashi, Yukinori Morita, Hiroshi Fuketa, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Meishoku Masahara …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
Structural and electrical characterization of epitaxial Ge thin films on Si(001) formed by sputtering

Shintaro Otsuka, Takahiro Mori, Yukinori Morita, Noriyuki Uchida, Yongxun Liu, Shin-ichi O'uchi, Hiroshi Fuketa, Shinji Migita, Meishoku Masahara, Takashi Matsukawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
Suppression of tunneling rate fluctuations in tunnel field-effect transistors by enhancing tunneling probability

Takahiro Mori, Shinji Migita, Koichi Fukuda, Hidehiro Asai, Yukinori Morita, Wataru Mizubayashi, Yongxun Liu, Shin-ichi O'uchi, Hiroshi Fuketa, Shintaro Otsuka …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
等電子トラップ技術による相補型TFET回路の特性向上

森貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 水林亘 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.16p‐412‐1 2017年3月1日
IoT応用に向けたフィン型トンネルFETによるCMOSインバーターの形成

森田行則, 福田浩一, LIU Y. X, 森貴洋, 水林亘, 大内真一, 更田裕司, 大塚慎太郎, 右田真司, 昌原明植 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.16p‐412‐3 2017年3月1日
招待講演等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 (シリコン材料・デバイス)

森貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 水林亘 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(448) 1-4 2017年1月30日
Corrugated Si nanowires with reduced thermal conductivity for wide-temperature-range thermoelectricity

Vladimir Poborchii, Yukinori Morita, Junichi Hattori, Tetsuya Tada, Pavel I. Geshev

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 120(15) 2016年10月査読有り
FinFET寄生抵抗ばらつきの解析:エクステンションドーピング条件の影響

松川貴, 森貴洋, 森田行則, 大塚慎太郎, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.13p‐B13‐6 2016年9月1日
等電子トラップを導入したTFETのばらつき評価

森貴洋, 右田真司, 福田浩一, 浅井栄大, 森田行則, 水林亘, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 大塚慎太郎 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.13p‐B13‐1 2016年9月1日
急速加熱処理が低温成長Ge薄膜の構造に与える影響

大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, 内田紀行, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植, 松川貴

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.16a‐B10‐8 2016年9月1日
Ge立体チャネルトランジスタのための酸素エッチング技術

森田行則, 前田辰郎, 太田裕之, 水林亘, 大内真一, 昌原明植, 松川貴, 遠藤和彦

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 80 49-52 2016年8月22日
招待講演多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 (情報センシング)

大内真一, 柳永勛, 堀洋平, 入沢寿史, 更田裕司, 森田行則, 右田真司, 森貴洋, 中川格, 塚田順一 …

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 40(24) 83-87 2016年8月
招待講演多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 (シリコン材料・デバイス)

大内真一, 柳永勛, 堀洋平, 入沢寿史, 更田裕司, 森田行則, 右田真司, 森貴洋, 中川格, 塚田順一 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(172) 83-87 2016年8月1日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ヘリウムイオン顕微鏡を用いた物性制御によるデバイス開発技術の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

浦野千春, 永崎洋, 三澤哲郎, 森田行則, 石田茂之
ナノポアドーピングによるシリコン極限ナノシートの新規ナノ物性創出

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2025年3月

森田行則

産業財産権

特許第6284213号相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法。

富永淳二, ポールフォンス, 太田裕之, 森田行則, 右田真司, 伊藤正勝
特開2017-152708 相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法。

富永淳二, ポールフォンス, 太田裕之, 森田行則, 右田真司, 伊藤正勝
特開2016-115686 トンネル電界効果トランジスタ

森田行則, 右田真司, 太田裕之
特許第5910965号トンネル電界効果トランジスタの製造方法及びトンネル電界効果トランジスタ

森田行則
特開2015-159211 トポロジカル相変化論理ゲート及びその駆動方法

伊藤正勝, 森田行則, 富永淳二
特開2015-035478 電界効果トランジスタ

伊藤正勝, 田邊顕人, 森田行則, 太田裕之, 富永淳二
特許第5652926号ゲート絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

森田行則
WO2014-128990 相変化チャネルトランジスタ及びその駆動方法

伊藤正勝, ポールフォンス, 太田裕之, 森田行則, 右田真司, 富永淳二
特許第5565804号ゲートスタック形成方法

森田行則, 右田真司, 太田裕之
特開2013-187291 トンネル電界効果トランジスタの製造方法及びトンネル電界効果トランジスタ

森田行則
特許第5177660号絶縁膜の形成方法

森田行則
WO2012-133433 ゲート絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

森田行則
特開2012-028713 ゲートスタック形成方法

森田行則, 右田真司, 太田裕之
特開2009-239246 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜

森田行則
特開2008-311449 シリコンによる2端子抵抗スイッチ素子及び半導体デバイス

内藤泰久, 森田行則, 堀川昌代, 清水哲夫
特許第4085162号シリコン基板の表面処理方法

森田行則, 西澤正泰
特開2005-142445 シリコン基板の表面処理方法

森田行則, 西澤正泰
特許第3517677号窒化シリコン単分子層膜の形成方法

森田行則, 石田敬雄, 徳本洋志
特開2002-217192 窒化シリコン単分子層膜の形成方法

森田行則, 石田敬雄, 徳本洋志
特開2000-067799 微細パターン形成方法

森田行則, 徳本洋志

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