2008年 - 2010年
三相変調交流磁界を用いた円筒外壁均一コーティング
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 基盤研究(B)
本研究では、プラズマプロセス(スパッタリング法)と変調磁界によるプラズマの制御を利用して、円筒形棒(管)外壁に均一・高速かつ密着性良くの機能性薄膜を形成することを目的とする。具体的には、スパッタリング用のターゲットを筒状に加工し、それをコーティング対象の周りを覆うように設置する。これを真空容器内に挿入し、コーティング対象外面に薄膜を作製した。その結果、TiやC, Wなどの薄膜の作製に成功した。成膜することで摩擦係数が減少することがわかった。また、外部磁界を加えることにより円筒形基板により均一かつ膜厚に成膜することができた。
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- 課題番号 : 20340164
- 体系的課題番号 : JP20340164