<p>近年、対称性の破れた系に発現するスピン偏極した低次元電子状態は、スピントロニクス技術への応用を目的の一つとして盛んに研究されている。特に半導体上に作製した金属薄膜におけるスピン偏極状態への理解は、この目的の上で非常に重要である。 本発表では、半導体InSb(001)上にエピタキシャル作製したBi薄膜の1次元的な表面電子状態を、スピン及び角度分解光電子分光を用いて観測し、非占有電子状態を含めたスピン偏極構造に関して詳細な情報が得られたので報告する。</p>