<p>フェムト秒レーザーを用いた時間分解反射率測定により、Sb_2_Te_3_薄膜試料のコヒーレントフォノンを測定し、発生したA_1g_モードのスペクトル形状を様々な膜厚（1 ~ 10 QL）で比較した。その結果、10~5 QLの試料では、鋭いA_1g_モードのピークが5.0 THz付近に一つだけ見えていたのに対し、4 QL以下の試料では4.7 THz付近にも幅の広いピークが新たに発生していることが確認できた。このような低周波のピークはカルコゲナイド系材料の表層における表面フォノンと考えられている。講演では、トポロジカル絶縁体との関連についても議論する。</p>