山口智広 (Tomohiro Yamaguchi) - マイポータル

基本情報

所属: 工学院大学先進工学部応用物理学科

学位: 修士（工学）(立命館大学)
博士（工学）(立命館大学)

研究者番号: 50454517
J-GLOBAL ID: 201101019043058621
researchmap会員ID: 6000028444

研究キーワード

化合物半導体の結晶成長とデバイス応用

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2011年 - 2012年

立命館大学立命館グローバル・イノベーション研究機構客員研究員
2010年 - 2011年

立命館大学立命館グローバル・イノベーション研究機構（R-GIRO)
2007年 - 2010年

立命館大学総合理工学研究機構ポストドクトラルフェロー
2004年 - 2007年

ブレーメン大学
2004年 - 2007年

University of Bremen（Germany)、Institute of Solid State Physics,Prof. Hommel's Laboratory,ポストドクトラルフェロー
ポストドクトラルフェロー

委員歴

2013年5月 - 2014年5月

LEDIA '14 finance committee
2013年5月 - 2014年5月

LEDIA'14 program committee
2013年5月 - 2014年5月

LEDIA'14 local aggangement committee
2013年5月 - 2014年5月

LEDIA '14 finance committee
2013年5月 - 2014年5月

LEDIA'14 program committee
2013年5月 - 2014年5月

LEDIA'14 local aggangement committee
2012年11月 - 2013年8月

ISCS2013 program committee
2012年11月 - 2013年8月

ISCS2013 program committee
2011年8月 - 2013年8月

電子材料シンポジウム総務委員
2012年11月 - 2013年5月

LEDIA'13 local arrangement committee
2012年11月 - 2013年5月

LEDIA'13 local arrangement committee
2012年11月 - 2013年5月

LEDIA'13 steering commettee
2012年11月 - 2013年5月

LEDIA'13 steering commettee
2012年11月 - 2013年5月

LEDIA'13 program committee
2012年11月 - 2013年5月

LEDIA'13 program committee

受賞

MISC

231

Al₂O₃/n‐,p‐GaN構造の光熱偏向分光法による評価

福田清貴, 福田清貴, 浅井祐哉, 関慶祐, SANG Liwen, 吉越章隆, 上殿明良, 石垣隆正, 尾沼猛儀, 山口智広 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.19p‐CE‐16 2018年9月5日
光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価

福田清貴, 福田清貴, 高島信也, 尾沼猛儀, 山口智広, 本田徹, 上殿明良, 角谷正友

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.19p‐CE‐15 2018年9月5日
III族酸化物半導体を用いた深紫外線センサーの開発

尾沼猛儀, 山口智広, 本田徹, CHO Jaehee

工学院大学総合研究所年報 (25) 124‐128 2018年7月
光充電型リチウムイオン電池の高容量化と全固相化(II)

永井裕己, 山口智広, 工藤幸寛, 望月千尋, LI Lu, 佐藤光史

工学院大学総合研究所年報 (25) 84‐92 2018年7月
GaN系集積化面発光素子用近紫外透明導電膜製作技術の開発研究

本田徹, JANG Ja‐Soon, 佐藤光史, 永井裕己, 尾沼猛儀, 山口智広

工学院大学総合研究所年報 (25) 43‐51 2018年7月
Relation Between Electrical and Optical Properties of p-Type NiO Films

Mizuki Ono, Kohei Sasaki, Hiroki Nagai, Tomohiro Yamaguchi, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Mitsunobu Sato, Tohru Honda, Takeyoshi Onuma

Physica Status Solidi (B) Basic Research 255(4) e1700311 2018年4月
Surface and bulk electronic structures of unintentionally and Mg-doped In0.7Ga0.3N epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy

Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Hiroyuki Takeda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, Anli Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide …

Journal of Applied Physics 123(9) 095701‐095701‐8 2018年3月7日
Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面‐バルク電子状態変化

井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 山口智広, 金子昌充 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17p‐E202‐19 2018年3月5日
岩塩構造Mg_xZn_1-xOにおける深紫外線カソードルミネセンスの温度および励起密度依存性

小野瑞生, 石井恭平, 金子健太郎, 山口智広, 本田徹, 藤田静雄, 尾沼猛儀

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20a‐F210‐6 2018年3月5日
放射光X線回折測定を用いたGaInN/InN成長のその場観察~InN解離温度領域での振る舞い~

山口智広, 佐々木拓生, 高橋正光, 尾沼猛儀, 本田徹, 荒木努, 名西やす之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18p‐E202‐14 2018年3月5日
III‐V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価

角谷正友, 福田清貴, 福田清貴, 上田茂典, 浅井祐哉, 浅井祐哉, CHO Yujin, 関口隆史, 上殿明良, 尾沼猛儀 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20a‐E202‐4 2018年3月5日
10×10Siマイクロカップ基板でのμ‐LED集積化

名和遼祐, 相澤空, 尾沼猛儀, 山口智広, 本田徹

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20p‐P6‐17 2018年3月5日
GaN上およびInN上GaInN成長における成長初期過程の観察

山口智広, 佐々木拓生, 高橋正光, 尾沼猛儀, 本田徹, 荒木努, 名西やす之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7a‐A301‐6 2017年8月25日
Fabrication of Ag dispersed ZnO films by molecular precursor method and application in GaInN blue LED

Daichi Taka, Takeyoshi Onuma, Takashi Shibukawa, Hiroki Nagai, Tomohiro Yamaguchi, Ja Soon Jang, Mitsunobu Sato, Tohru Honda

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 214(3) ROMBUNNO.201600598 2017年3月1日
Surface and bulk electronic structures of heavily Mg-doped InN epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy

Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, Anli Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, Tomohiro Yamaguchi …

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 121(9) 095703‐095703‐5 2017年3月
Spectroscopic ellipsometry studies on .BETA.-Ga2O3 films and single crystal

ONUMA Takeyoshi, ONUMA Takeyoshi, SAITO Shingo, SASAKI Kohei, SASAKI Kohei, MASUI Tatekazu, YAMAGUCHI Tomohiro, HONDA Tohru, KURAMATA Akito, HIGASHIWAKI Masataka

Japanese Journal of Applied Physics 55(12) 1202B2.1‐1202B2.5 2016年12月
Growth of rocksalt-structured Mgx Zn1-x O (x > 0.5) films on MgO substrates and their deep-ultraviolet luminescence

KANEKO Kentaro, ONUMA Takeyoshi, TSUMURA Keiichi, UCHIDA Takayuki, JINNO Riena, YAMAGUCHI Tomohiro, HONDA Tohru, FUJITA Shizuo

Applied Physics Express 9(11) 111102.1‐111102.4 2016年11月
Surface plasmon resonant emission from Ag dispersed ZnO films fabricated by molecular precursor method

Daichi Taka, Takeyoshi Onuma, Takashi Shibukawa, Hiroki Nagai, Tomohiro Yamaguchi, Ja Soon Jang, Mitsunobu Sato, Tohru Honda

2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016 2016(CSW) 1‐2 2016年8月1日
Nitride-MBE system for in situ synchrotron X-ray measurements

SASAKI Takuo, ISHIKAWA Fumitaro, YAMAGUCHI Tomohiro, TAKAHASI Masamitu

Japanese Journal of Applied Physics 55(5S) 05FB05.1‐05FB05.6 2016年5月
Valence band ordering in .BETA.-Ga2O3 studied by polarized transmittance and reflectance spectroscopy

ONUMA Takeyoshi, ONUMA Takeyoshi, SAITO Shingo, SASAKI Kohei, SASAKI Kohei, MASUI Tatekazu, YAMAGUCHI Tomohiro, HONDA Tohru, HIGASHIWAKI Masataka

Jpn J Appl Phys 54(11) 112601.1-112601.5 2015年11月

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書籍等出版物

Indium Nitride and Related alloys (eds. T. D. Veal,C. F. McConville and W. J. Schaff) Chap. 1

CRC Press Taylor & Francis Group 2009年
Indium Nitride and Related alloys (eds. T. D. Veal,C. F. McConville and W. J. Schaff) Chap. 1

CRC Press Taylor & Francis Group 2009年
Vacuum Science and Technology: Nitrides as seen by the technology 2002 (Eds.: T. Paskova and B. Monema) Chap. 17

Research Sigpost 2003年
Vacuum Science and Technology: Nitrides as seen by the technology 2002 (Eds.: T. Paskova and B. Monema) Chap. 17

Research Sigpost 2003年

講演・口頭発表等

697

DERI Method; Possible Approach to Green, Red and IR Light Emitters Based on Nitride Semiconductors

SPIE Photonics West 2014 2014年
GaInNのRF-MBE成長とpn ホモ接合型青緑色LEDの製作

2014年（平成26年）春季第61回応用物理学関係連合講演会 2014年
DERI Method; Possible Approach to Green, Red and IR Light Emitters Based on Nitride Semiconductors

SPIE Photonics West 2014 2014年
分子プリカーサー法で製作したGa-In-O多結晶薄膜の発光特性

2014年（平成26年）春季第61回応用物理学関係連合講演会 2014年
ミストCVD法を用いたGa2O3結晶成長における成長速度の温度依存性

2014年（平成26年）春季第61回応用物理学関係連合講演会 2014年
蛍光顕微鏡と2次イオン質量分析を用いたGaInN薄膜の不均一評価

2014年（平成26年）春季第61回応用物理学関係連合講演会 2014年
硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.70Ga0.30Nの表面-バルク電子状態評価

2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会 2013年
表面酸化物によるGaN表面フェルミ準位の変化

2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会 2013年
beta-Ga2O3結晶の偏光ラマンスペクトル

2013年（平成25年）春季第60回応用物理学関係連合講演会 2013年
Fabrication of Ga-In-O Films by Molecular Precursor Method

Conference on LED and Its Industrial Application (LEDIA’13) 2013年
In-situ RF-MBE growth of AlOx/AlN/GaN heterostructures

The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013) 2013年
Aluminum layers grown on (0001) 4H-SiC for the GaN growth by molecular beam epitaxy

The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013) 2013年
Effects of surface modification on emission property of GaN Schottky diodes

32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32) 2013年
RF-MBE法による疑似Al基板を用いたGaN成長

第36回光通信研究会 2013年
Message for Future Research and Development of Opto-Electronic Devices Based on Nitride Semiconductors

The 8th LED Semiconductor Lightings Conference 2013年
ミストCVD法を用いたGaN基板上へのGa2O3成長

2013年（平成25年）秋季第74回応用物理学会学術講演会 2013年
GaN系ショットキー型発光ダイオードにおける(Al,Ga)Ox/GaN界面準位の影響

2013年（平成25年）秋季第74回応用物理学会学術講演会 2013年
Growth of InN and Related Alloys using DERI Method toward Fabrication of Optoelectronics Devices

The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013) 2013年
Effects of (Al,Ga)Ox/GaN Interface States on GaN-based Schottky-type Light-emitting Diodes

The 2nd International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE2013) 2013年
Mist CVD growth of alpha-Ga2O3 on sapphire substrates and RF-MBE growth of GaN on alpha-Ga2O3/sapphire templates

The 12th International Symposium on Advanced Technology (ISAT-12) 2013年

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