山本圭介 (Keisuke Yamamoto) - マイポータル

基本情報

所属: 九州大学総合理工学研究院准教授

学位: 博士（工学）(九州大学)

J-GLOBAL ID: 201801018540294032
researchmap会員ID: B000345739

経歴

2022年6月 - 現在

九州大学, 総合理工学研究院, 准教授
2021年11月 - 2022年6月

九州大学, 総合理工学研究院, 助教
2016年11月 - 2021年10月

九州大学, 総合理工学研究院, 助教（卓越研究員）
2013年1月 - 2016年10月

九州大学, グリーンアジア国際リーダー教育センター, 助教
2012年4月 - 2013年1月

日本学術振興会, 特別研究員（DC2, PD）

学歴

2010年4月 - 2012年9月

九州大学, 総合理工学府博士後期課程

委員歴

2019年4月 - 2019年4月

九州大学, 総合理工学府同窓会修了生役員

受賞

2023年10月

IWDTF Best Paper Award

主要な論文

Development of Ge Isotropic Wet Etching Solution and its Application to High Quality Ge-on-Insulator Fabrication through the Etchback Method

Noboru Shimizu, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, and Keisuke Yamamoto

ECS Journal of Solid State Science and Technology 13(4) 044001 2024年4月査読有り
Ge-on-Insulator Fabrication based on Ge-on-Nothing Technology

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Roger Loo, Clement Porret, Jinyoun Cho, Kristof Dessein, Valerie Depauw

Japanese Journal of Applied Physics 63 04SP32 2024年4月査読有り
Low-temperature process design for inversion mode n-channel thin-film-transistor on polycrystalline Ge formed by solid-phase crystallization

Linyu Huang, Kenta Moto, Kota Igura, Takamitsu Ishiyama, Kaoru Toko, Dong Wang, Keisuke Yamamoto

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 02SP42 2024年1月査読有り
Rectifying Schottky Contact in ZrN/polycrystalline p-Ge

Kenta Moto, Kaoru Toko, Tomonari Takayama, Toshifumi Imajo, Takamitsu Ishiyama, and Keisuke Yamamoto

IEEE Journal of the Electron Devices Society 11 553-558 2023年10月査読有り
Electrical properties of a low-temperature fabricated Ge-based top-gate MOSFET structure with epitaxial ferromagnetic Heusler-alloy Schottky-tunnel source and drain

Keisuke Yamamoto, Takuro Matsuo, Michihiro Yamada, Youya Wagatsuma, Kentaro Sawano, Kohei Hamaya

Materials Science in Semiconductor Processing 167(15) 107763 2023年8月査読有り
Fabrication and Characterization of Germanium n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator: Formation of underlying Germanium Oxide and Its Electrical Characteristics

Wei-Chen Wen, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Keisuke Yamamoto

Materials Science in Semiconductor Processing 162(1) 107504 2023年4月査読有り
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeO_X layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

ECS Transactions 98(5) 395-404 2020年10月査読有り
Interface trap and border trap characterization for Al₂O₃/GeO_x/Ge gate stacks and influence of these traps on mobility of Ge p-MOSFET

Wei-Chen Wen, Yuta Nagatomi, Hiroshi Akamine, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

AIP advances 10(6) 065119-1-065119-7 2020年6月査読有り
High interfacial quality metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC with Al₂O₃ interlayer and its internal charge analysis

Ryusei Oka, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Akamine, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Sigeomi Hishiki, Keisuke Kawamura

Japanese Journal of Applied Physics 59(SG) SGGD17 1-SGGD17 10 2020年4月査読有り
Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut^TM and Defect Elimination

Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Hiroshi Akamine, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Md. M Alam, Kentarou Sawano, Zhongying Xue, Miao Zhang, and Zengfeng Di

ECS Transactions 93(1) 73-77 2019年10月査読有り
Polycrystalline thin-film transistors fabricated on high-mobility solid-phase-crystallized Ge on glass

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakasima, Kaoru Toko

Applied Physics Letters 114(21) 212107 2019年5月査読有り
Ge field-effect transistor with asymmetric metal source/drain fabricated on Ge-on-Insulator: Schottky tunneling source mode operation and conventional mode operation

Keisuke Yamamoto, Kohei Nakae, Dong Wang, Hiroshi Nakasima, Zhongying Xue, Miao Zhang, Zengfeng Di

Japanese Journal of Applied Physics 58(SB) SBBA14 2019年3月査読有り
Wide range control of Schottky barrier heights at metal/Ge interfaces with nitrogen-contained amorphous interlayers formed during ZrN sputter deposition

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Masatoshi Mitsuhara, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Semiconductor Science and Technology 33(11) 114011 2018年10月査読有り
Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction

Keisuke Yamamoto, Hayato Okamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Materials Science in Semiconductor Processing 70(1) 283-287 2016年10月査読有り
Electrical and structural properties of group-4 transition-metal nitride (TiN, ZrN, and HfN) contacts on Ge

Keisuke Yamamoto, Ryutaro Noguchi, Mitsuhara Masatoshi, Minoru Nishida, Toru Hara, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

Journal of Applied Physics 118(11) 115701-1-115701-12 2015年9月査読有り
Role of an interlayer at a TiN/Ge contact to alleviate the intrinsic Fermi-level pinning position toward the conduction band edge

Keisuke Yamamoto, Mitsuhara Masatoshi, Keisuke Hiidome, Ryutaro Noguchi, Minoru Nishida, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Applied Physics Letters 104(14) 132109-1-132109-5 2014年4月査読有り
Fabrication of Metal-Nitride/Si Contacts with Low Electron Barrier Height

Yamamoto Keisuke, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

ECS Transactions 58(9) 2013年10月査読有り
Dramatic enhancement of low electric-field hole mobility in metal source/drain Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors by introduction of Al and Hf into SiO₂/GeO₂ gate stack

Yamamoto Keisuke, Takahiro Sada, DONG WANG, Hiroshi Nakashima

Applied Physics Letters 103(12) 2013年9月査読有り
Fabrication of TiN/Ge Contact with Extremely Low Electron Barrier Height

K. Yamamoto, K. Harada, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Japanese Journal of Applied Physics 51(7) 2012年7月査読有り
Schottky Source/Drain Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Directly Contacted TiN/Ge and HfGe/Ge Structures

K. Yamamoto, T. Yamanaka, K. Harada, T. Sada, K. Sakamoto, S. Kojima, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Applied Physics Express 5(5) 2012年5月査読有り
Source/drain junction fabrication for Ge metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

K. Yamamoto, T. Yamanaka, R. Ueno, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Thin Solid Films 520(8) 2012年2月査読有り
High-Performance Ge Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with a Gate Stack Fabricated by Ultrathin SiO₂/GeO₂ Bilayer Passivation

K. Yamamoto, R. Ueno, T. Yamanaka, K. Hirayama, H. Yang, D. Wang, H. Nakashima

Applied Physics Express 4(5) 2011年4月査読有り

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MISC

金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性

東英実, 笠原健司, 山本圭介, 工藤康平, 山田晋也, 金島岳, 中島寛, 浜屋宏平

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
SiN used as a Stressor in Germanium-On-Insulator Substrate.

Sethavut Duangchan, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Akiyoshi Baba

2019 International 3D Systems Integration Conference (3DIC)(3DIC) 1-5 2019年
溶液処理による結晶Lu-doped La₂O₃/La₂O₃/Ge(111)MIS界面特性改善

古荘仁久, 高山恭一, 山本圭介, 中島寛, 野平博司, 金島岳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
La₂O₃/Ge(111)MIS構造に対するLu-doped La₂O₃キャップ層の効果

銭高真人, 古荘仁久, 山本圭介, 中島寛, 浜屋宏平, 金島岳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu,Y)/La₂O₃/Ge(111)MIS構造におけるC-V特性の改善

金島岳, 銭高真人, 山本圭介, 山城陸, 只野純平, 野平博司, 中島寛, 山田晋也, 浜屋宏平

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年
300°C以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

笠原健司, 永冨雄太, 山本圭介, 東英実, 中野茉莉央, 山田晋也, 金島岳, 中島寛, 浜屋宏平

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年
Al₂O₃/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査 (シリコン材料・デバイス)

永冨雄太, 長岡裕一, 山本圭介, 王冬, 中島寛

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 7-10 2014年6月19日
Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure

Dong Wang, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM) 109-110 2014年査読有り
Fermi Level Pinning Alleviation at the TiN, ZrN, and HfN/Ge Interfaces

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM) 91-92 2014年査読有り
Direct band gap electroluminescence from bulk germanium at room temperature using an asymmetric metal/germanium/metal structure

Dong Wang, Sho Kamezawa, Keisuke Yamamoto, Hiroshi Nakashima

2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM) 106 109-110 2014年
ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化 (シリコン材料・デバイス)

山本圭介, 佐田隆宏, 王冬, 中島寛

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 29-32 2013年6月18日
TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用

山本圭介, 井餘田昌俊, 王冬, 中島寛

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92) 97-102 2012年6月14日
Defect Evaluation by Photoluminescence for Uniaxially Strained Si-On-Insulator

Dong Wang, Keisuke Yamamoto, Hongye Gao, Haigui Yang, Hiroshi Nakashima

CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE 2011 (CSTIC 2011) 34(1) 1117-1122 2011年査読有り
Fabrication of high-k gate dielectrics using plasma oxidation and subsequent annealing of Hf/SiO2/Si structure

Hiroshi Nakashima, Youhei Sugimoto, Yuusaku Suehiro, Keisuke Yamamoto, Masanari Kajiwara, Kana Hirayama, Dong Wang

2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4 780-+ 2008年査読有り

主要な講演・口頭発表等

168

Thermally oxidized Yttrium Oxide on Germanium for n-MOS Capacitor and Field-Effect Transistor

K. Yamamoto, W.-C. Wen, D. Wang, and H. Nakashima

244th ECS meeting 2023年10月2日招待有り
ﾘｾｽﾁｬﾈﾙ化によるメタルS/D 型Ge n-MOSFET の電流駆動力向上(III)

鍬釣一, 王冬, 山本圭介

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月5日
Fabrication of Inversion Mode n-channel TFT on Solid-Phase Crystallized Polycrystalline Ge

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, K. Yamamoto

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月5日
Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023年9月
Various Metal Contacts on Polycrystalline Ge with Amorphous Interlayer Formed by ZrN Sputter-Deposition

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Ishiyama, K. Yamamoto

2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023) 2023年9月
Control of schottky barrier height at metal/polycrystalline Ge interfaces with fermi-level pinning alleviation

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Ishiyama, and K. Yamamoto

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and International SiGe Technology and Device Meeting 2023 (ISTDM-ICSI 2023) 2023年5月
Evaluation of the physical properties of Ge-on-insulator based on Ge-on-Nothing and layer transfer

K. Yamamoto, D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, and V. Depauw

International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and International SiGe Technology and Device Meeting 2023 (ISTDM-ICSI 2023) 2023年5月
Inversion Mode n-channel TFT on Polycrystalline Ge Formed by Solid-Phase Crystallization

L. Huang, K. Moto, T. Ishiyama, K. Toko, D. Wang, and K. Yamamoto

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月招待有り
Study on the Performance of Metal S/D Ge n-MOSFET with Recessed Channel Structure

H. Kuwazuru, S. Nasu, D. Wang, and K. Yamamoto

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月招待有り
Ge-on-Insulator from Ge-on-Nothing and Layer Transfer

K. Yamamoto, D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, and V. Depauw

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月招待有り
Low Temperature (~210 °C) Fabrication of Ge MOS Capacitor using Plasma Oxidation and Oxi-Nitridation for the Interlayer Formation

H. Kuwazuru, D. Wang, K. Yamamoto

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023年10月
Fabrication and Electrical Characterization of Ge-on-Insulator based on Ge-on-Nothing Technology

K. Yamamoto, D. Wang, R. Loo, C. Porret, J. Cho, K. Dessein, V. Depauw

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023年10月
First Demonstration of Rectifying Schottky Contact on Polycrystalline P-Type Ge Using ZrN Electrode

K. Moto, K. Toko, T. Takayama, T. Imajo, K. Yamamoto

2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2022) 2022年9月
リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上(II)

那須新悟, 王冬, 山本圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月5日
金属/多結晶Ge界面におけるフェルミレベルピニングの緩和とショットキー障壁制御

高山智成, 茂藤健太, 都甲薫, 王冬, 山本圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月5日
多結晶p型Ge上におけるショットキー整流性コンタクトの形成

茂藤健太, 都甲薫, 高山智成, 今城利文, 山本圭介

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月5日
Fabrication and Characterization of Ge n-MOS and n-MOSFET with Thermally Oxidized Yttrium Gate Insulator

W.-C. Wen, K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX) 2022年9月
Fabrication of Ge MOSFET at low temperature (~250°C) for spintronics application

S. Nasu, T. Matsuo, K. Yamamoto, D. Wang

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022) 2022年8月
Fabrication and evaluation of polycrystalline Ge-based thin-film transistors on glass

T. Takayama, K. Moto, K. Yamamoto, T. Imajo, K. Toko

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022) 2022年8月
Novel group IV semiconductor materials and devices for beyond Si technology

K. Yamamoto, T. Matsuo, D. Wang, K. Moto, K. Toko, H. Nakashima

The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials (IUMRS-ICYRAM 2022) 2022年8月招待有り
3C-SiCへの高品質ゲートスタック形成とMOSFET応用

山本圭介

（公財）科学技術交流財団第4回「厳環境下IoTワイドギャップ素子研究会」 2022年7月5日招待有り
電子・光デバイス応用に向けた金属/GeSn 接合の低温形成

清水昇, 王一, 山本圭介, 張師宇, 中塚理, 王冬

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月5日
高移動度3C-SiC n-MOSFET の作製と高温動作実証

山本圭介, 王冬, 中島寛, 菱木繁臣, 浦谷泰基, 坂井田佳紀, 川村啓介

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月5日
Achievement of High Channel Mobility of 3C-SiC n-MOSFET with the Gate Stack Formed at Low Temperature

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Shigeomi Hishiki, Hiroki Uratani, Yoshiki Sakaida, Keisuke Kawamura

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 2021年11月
Fabrication of Ge-on-Insulator By Epitaxial Growth and Ion-Implanted Exfoliation for Electronics and Opt-Electronics Applications

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

240th ECS meeting 2021年10月2日招待有り
GeスピンMOSFETのための低温（～250°C）デバイスプロセスの構築

松尾拓朗, 山本圭介, 王冬

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月5日
固相成長GeSn薄膜トランジスタにおけるSn組成の影響

茂藤健太, 山本圭介, 今城利文, 末益崇, 中島寛, 都甲薫

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月5日
リセスチャネル化によるメタルS/D型Ge n-MOSFETの電流駆動力向上

松尾拓朗, 山本圭介, 王冬

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月5日
Low-Temperature Fabrication of Ge MOS Capacitor with Wet Oxidized Yttrium Interlayer

Keisuke Yamamoto, Kento Iseri, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2021) 2021年9月
Sn Doping Effects on Polycrystalline Germanium Thin-Film Transistors on Glass

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Toshifumi Imajo, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2021) 2021年9月
Schottky Barrier Height Control at Metal/Ge Interface by Insertion of Nitrogen Contained Amorphous Layer

Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

239th ECS meeting 2021年5月2日招待有り
エッチバック法を用いたGe-on-Insulator作製に向けたウェットエッチング法の検討

清水昇, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月5日
Sn Doping Effects in Solid-Phase Crystallized Ge Thin-Film Transistors

Kenta Moto, Keisuke Yamamoto, Takashi Suemasu, Hiroshi Nakashima, Kaoru Toko

PRiME 2020 2020年10月2日
Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeO_X layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy

Hiroshi Nakashima, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang

PRiME 2020 2020年10月2日招待有り
Isotropic Wet Etching and Improving Surface Flatness of Ge for Etchback Ge-on-Insulator Fabrication

Noboru Shimizu, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

PRiME 2020 2020年10月2日招待有り
Thermally Oxidized Yttrium and Scandium Gate Dielectrics on Germanium with High Interfacial and Film Qualities

Hiroki Kanakogi, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2020) 2020年9月
Study on Position of Border Traps in Al₂O₃/GeO_X/p-Ge Gate Stacks Using Deep-Level Transient Spectroscopy

Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 2019年11月
新規電子デバイス応用に向けたGeゲートスタックの低温(<300°C)形成

井芹健人, 温偉辰, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月5日
SiO₂/Al₂O₃絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタとn-MOSFET動作

山本圭介, 岡龍誠, 王冬, 中島寛, 菱木繁臣, 川村啓介

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月5日
SiO₂/Al₂O₃絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタの固定電荷と界面ダイポール解析

岡龍誠, 山本圭介, 王冬, 中島寛, 菱木繁臣, 川村啓介

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月5日
Low temperature (<300^oC) Fabrication of Ge MOS Structure for Advanced Electronic Devices

Kento Iseri, Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019) 2019年9月
Demonstration of n-MOSFET operation and charge analysis of SiO₂/Al₂O₃ gate dielectric on (111) oriented 3C-SiC

Ryusei Oka, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima, Sigeomi Hishiki, Keisuke Kawamura

2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019) 2019年9月
Conduction Type Control of Ge-on-Insulator: Combination of Smart-Cut and Defect Elimination

K. Yamamoto, K. Nakae, H. Akamine, D. Wang, H. Nakashima, Md. M. Alam, K. Sawano, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference 10th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM) 12th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures 2019年6月
Fabrication of Ge MOS Capacitor with Metal Yttrium Oxidation

Keisuke Yamamoto, Kentaro Akiyama, Kento Iseri, Wei-Chen Wen, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2018年12月招待有り
電子ビーム蒸着によるGe上へのY酸化物系ゲート絶縁膜形成

秋山健太郎, 井芹健人, 温偉辰, 山本圭介, 王冬, 中島寛

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月5日
Low-temperature fabrication of Ge MOS capacitors for spintronics and flexible electronics application

Wei-Chen Wen, Keisuke Yamamoto, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月5日
Smart-Cut法を用いて作製したGe-on-Insulatorの極性変化

仲江航平, 薛飛達, 山本圭介, 王冬, 中島寛, Miao Zhang, Zhongying Xue, Zenfeng Di

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月5日
Ambipolar operation of asymmetric Ge Schottky tunneling source field-effect transistor fabricated on Ge-on-Insulator

K. Yamamoto, K. Nakae, D. Wang, H. Nakashima, Z. Xue, M. Zhang, Z. Di

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) 2018年9月
Impact of Al₂O₃ interlayer for metal-oxide-semiconductor capacitor on (111) oriented 3C-SiC for electronic device application

K. Yamamoto, D. Wang, H. Nakashima, S. Hishiki, K. Kawamura

2018 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2018) 2018年9月
遷移金属窒化物を用いた金属/Geコンタクトの障壁制御

山本圭介, 光原昌寿, 王冬, 中島寛

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月5日

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担当経験のある科目(授業)

2024年

半導体・デバイス工学A (九州大学)
2024年

Semiconductor Physics / 半導体物性 (九州大学)
2023年

Semiconductor Physics / 半導体物性 (九州大学)
2023年

機械電気科学実験I (九州大学)
2022年

研究指導演習(II) (九州大学)
2021年

研究指導演習(II) (九州大学)
2021年

Doctoral Research (II) (Kyushu University)
2021年

研究指導演習(I) (九州大学)
2020年

研究指導演習(I) (九州大学)
2020年

研究指導演習(II) (九州大学)
2020年

Doctoral Research (II) (Kyushu University)
2020年

国際演習A1,A2,A3,A4 (九州大学)
2019年

研究指導演習(I) (九州大学)
2019年

Doctoral Research (II) (Kyushu University)
2019年

Fundamental Research (I) (Kyushu University)
2019年

Fundamental Research (II) (Kyushu University)
2019年

Fundamental Research (III) (Kyushu University)
2017年

Doctoral Research (I) (Kyushu University)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ゲルマニウムスピンMOSFETの実証

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2019年6月 - 2024年3月

浜屋宏平, 澤野憲太郎, 山本圭介
中空Ge基板を用いた高品質Ge-on-Insulator作製プロセスの新規開発（A new fabrication scheme for Ge on Insulator with improved material properties）

JSPS二国間交流事業・共同研究（ベルギー(FWO)との共同研究） 2022年 - 2023年

山本圭介, Roger Loo
Si・Ge混合プラットフォーム上への異種機能混載集積回路の実現

令和3-5年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究 2021年 - 2023年

山本圭介
低消費電力フレキシブルCMOSの創製

NEDO 未踏チャレンジ2050 2020年 - 2023年

都甲薫, 山本圭介
A new fabrication scheme for Ge on Insulator (NEW GOI)

imec, Belgium 2020年1月 - 2021年12月
Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究若手研究 2019年4月 - 2021年3月

山本圭介
材料界面の複合顕微解析―結晶構造と電磁気特性の多元定量解析技術の開発と応用―

日本学術振興会科学研究費助成事業国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B)) 国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B)) 2018年10月 - 2021年3月

赤嶺大志, 山本圭介, 村上恭和, 西田稔
卓越研究員制教員（総合理工学研究院）の海外派遣

2019 年度 Progress 100 （世界トップレベル研究者招へいプログラム）・若手研究者グローバルリーダー育成型 2019年 - 2020年
電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー

九州大学QRプログラム・わかばチャレンジ 2018年 - 2018年
Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

王冬, 中島寛, 浜本貴一, 山本圭介
MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援研究活動スタート支援 2013年8月 - 2015年3月

山本圭介
超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究

九州大学教育研究プログラム・研究拠点形成プロジェクト(P&P) 2015年 - 2015年
高性能ULSIのための歪みGe MOSFETの研究開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2012年 - 2012年

山本圭介

学術貢献活動

Japanese Journal of Applied Physics, IWDTF2023特集号

その他

2022年12月 - 2024年7月
2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES (IWDTF2023)

その他

(Kanazawa Japan) 2023年10月23日 - 2023年10月25日
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会

その他

(熊本城ホール他 Japan) 2023年9月19日 - 2023年9月23日
2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023)

その他

(Nagoya Japan) 2023年9月5日 - 2023年9月8日
2023 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2023)

その他

(Nagoya Japan) 2023年9月5日 - 2023年9月8日
2022年度応用物理学会九州支部学術講演会

その他

(大分大学 Japan) 2022年11月26日 - 2022年11月27日
2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2022)

その他

(Chiba Japan) 2022年9月26日 - 2022年9月29日
2022 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2022)

その他

(Chiba Japan) 2022年9月26日 - 2022年9月29日
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会

その他

(東北大学 Japan) 2022年9月20日 - 2022年9月23日
2021年度応用物理学会九州支部学術講演会

その他

(オンライン Japan) 2021年12月4日 - 2021年12月5日
Japanese Journal of Applied Physics, SSDM2021特集号

審査・評価

2021年1月 - 2021年12月
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会

その他

(オンライン Japan) 2021年9月10日 - 2021年9月23日
2021 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2021)

その他

(Online Japan) 2021年9月6日 - 2021年9月9日
239th ECS Meeting

その他

(Online UnitedStatesofAmerica) 2021年5月30日 - 2021年6月3日
Japanese Journal of Applied Physics, SSDM2020特集号, 編集委員

審査・評価

2020年1月 - 2020年12月
2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2020), 座長

その他

(online Others) 2020年9月27日 - 2020年9月30日
2020 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2020), 論文委員

審査・評価, 査読, その他

(Online Japan) 2020年9月27日 - 2020年9月30日
Japanese Journal of Applied Physics, SSDM2019特集号, 編集委員

審査・評価

2019年1月 - 2019年12月
2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019), 座長

パネル司会・セッションチェア等

(Nagoya University, Japan Japan) 2019年9月2日 - 2019年9月5日
2019 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM 2019), 論文委員

審査・評価, 査読, その他

(Nagoya University, Nagoya Japan) 2019年9月2日 - 2019年9月5日

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社会貢献活動

九州大学総理工セミナー総理工若手研究者ポスターセッション｢高性能ULSIのためのゲルマニウムMOSデバイスの開発｣

その他

九州大学総合理工学府第一ホテル東京 2012年12月

山本圭介

基本情報

経歴

学歴

委員歴

受賞

主要な論文

MISC

主要な講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

学術貢献活動

社会貢献活動

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