本年度は375nmのレーザーとその波長に対応したポッケルスセルおよび前年度に購入したポッケルスセルドライバーを用いて円偏光変調法による測定を行うための装置開発を行い、レーザー誘起磁気円二色性走査トンネル顕微鏡(STM)像の取得を試みた。レーザーを用いた光路のセットアップやレーザー照射下での単結晶表面のSTM像測定には成功しているが、まだ円偏光変調法による有意な磁気円二色性を示す像の取得には成功していない。レーザーや光学機器の調整等およびSTM像の測定条件などのいろいろ変えながら像の取得を目指しノウハウを蓄積しているところである。また既存のレーザーの375nmの波長が磁気円二色性走査STM像の取得に適切でない可能性もあるために新たに266nmの波長を持つ紫外の固体半導体レーザーの導入を計画しその仕様を検討した。既存のレーザーの光路が375nmのレーザーと兼用できるようにレーザーの本体の大きさが既存のものとあまり変わらず、また出力が大きいものという条件でTeem Photonics社のパッシブQスイッチピコ秒レーザーを選定購入し、今年度末に納入された。またそれに伴いポッケルスセルも266nmの波長用のものを購入し、新たに266nm用の光路を準備した。これらの性能評価およびレーザー誘起磁気円二色性走査トンネル顕微鏡へ適用して磁気円二色性を示す像の取得のための測定を続けている。