土方泰斗 (Yasuto Hijikata) - マイポータル

基本情報

ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-6314-0401
J-GLOBAL ID: 200901084323846593
Researcher ID: B-3843-2012
researchmap会員ID: 1000300471

研究分野

経歴

2006年4月 - 現在

埼玉大学, 大学院理工学研究科, 准教授
2005年9月 - 2006年3月

イタリア国立研究所, マイクロエレクトロニクス＆マイクロシステム研究所, 客員研究員
1999年10月 - 2006年3月

埼玉大学, 工学部, 助手

学歴

1996年4月 - 1999年9月

東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 物理情報工学専攻

委員歴

2019年1月 - 現在

応用物理学会, 代議員
2010年4月 - 現在

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 幹事

受賞

2019年3月

第１３回ポスター賞, 同位体酸素を用いたSiC表面に形成される単一光子源の構造推定, 応用物理学会

土方泰斗, 松下雄一郎, 大島武

論文

106

Optically detected magnetic resonance study of 3d arrayed silicon vacancies in sic pn diodes

Yamazaki, Y., Chiba, Y., Sato, S.-I., Makino, T., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Hijikata, Y., Tsuchida, H., Hoshino, N. …

Materials Science Forum 1004 MSF 2020年
Creation of color centers in sic pn diodes using proton beam writing

Chiba, Y., Yamazaki, Y., Makino, T., Sato, S.-I., Yamada, N., Satoh, T., Kojima, K., Lee, S.-Y., Hijikata, Y., Ohshima, T.

Materials Science Forum 963 MSF 2019年査読有り
Macroscopic simulations of the SiC thermal oxidation process based on the Si and C emission model

Hijikata, Y.

Diamond and Related Materials 92 253-258 2019年査読有り
First-principles study of oxygen-related defects on 4H-SiC surface: The effects of surface amorphous structure

Matsushita, Y.-I., Furukawa, Y., Hijikata, Y., Ohshima, T.

Applied Surface Science 464 451-454 2019年査読有り
Radiation response of negative gate biased SiC MOSFETs

Takeyama, A., Makino, T., Okubo, S., Tanaka, Y., Yoshie, T., Hijikata, Y., Ohshima, T.

Materials 12(7) 2741-2741 2019年査読有り
Formation of nitrogen-vacancy centers in 4H-SiC and their near infrared photoluminescence properties

Sato, S.-I., Narahara, T., Abe, Y., Hijikata, Y., Umeda, T., Ohshima, T.

Journal of Applied Physics 126(8) 2019年査読有り
Various single photon sources observed in SiC pin diodes

Tsunemi, H., Honda, T., Makino, T., Onoda, S., Sato, S.-I., Hijikata, Y., Ohshima, T.

Materials Science Forum 924 MSF 2018年査読有り
Oxygen-incorporated single-photon sources observed at the surface of silicon carbide crystals

Hijikata, Y., Horii, T., Furukawa, Y., Matsushita, Y.-I., Ohshima, T.

Journal of Physics Communications 2(11) 2018年査読有り
Electrically controllable position-controlled color centers created in SiC pn junction diode by proton beam writing

Yamazaki, Y., Chiba, Y., Makino, T., Sato, S.-I., Yamada, N., Satoh, T., Hijikata, Y., Kojima, K., Lee, S.-Y., Ohshima, T.

Journal of Materials Research 33(20) 3355-3361 2018年査読有り
Generation of stacking faults in 4H-SiC epilayer induced by oxidation

Asafuji, R., Hijikata, Y.

Materials Research Express 5(1) 2018年査読有り
Room Temperature Electrical Control of Single Photon Sources at 4H-SiC Surface

Sato, S.-I., Honda, T., Makino, T., Hijikata, Y., Lee, S.-Y., Ohshima, T.

ACS Photonics 5(8) 3159-3165 2018年査読有り
Creation and functionalization of defects in SiC by proton beam writing

Ohshima, T., Honda, T., Onoda, S., Makino, T., Haruyama, M., Kamiya, T., Satoh, T., Hijikata, Y., Kada, W., Hanaizumi, O. …

Materials Science Forum 897 MSF 2017年査読有り
Three-Dimensional Proton Beam Writing of Optically Active Coherent Vacancy Spins in Silicon Carbide

Kraus, H., Simin, D., Kasper, C., Suda, Y., Kawabata, S., Kada, W., Honda, T., Hijikata, Y., Ohshima, T., Dyakonov, V. …

Nano Letters 17(5) 2017年査読有り
Optimum structures for gamma-ray radiation resistant SiC-MOSFETs

Mitomo, S., Matsuda, T., Murata, K., Yokoseki, T., Makino, T., Takeyama, A., Onoda, S., Ohshima, T., Okubo, S., Tanaka, Y. …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 214(4) 2017年査読有り
Impacts of gate bias and its variation on gamma-ray irradiation resistance of SiC MOSFETs

Murata, K., Mitomo, S., Matsuda, T., Yokoseki, T., Makino, T., Onoda, S., Takeyama, A., Ohshima, T., Okubo, S., Tanaka, Y. …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 214(4) 2017年査読有り
Gamma-ray irradiation response of the motor-driver circuit with SiC MOSFETs

Kobayashi, Y., Yokozeki, T., Matsuda, T., Mitomo, S., Murata, K., Hachisuka, M., Kaneko, Y., Makino, T., Takeyama, A., Onoda, S. …

Materials Science Forum 858 2016年査読有り
Effect of gamma-ray irradiation on the device process-induced defects in 4H-SiC epilayers

Miyazaki, T., Makino, T., Takeyama, A., Onoda, S., Ohshima, T., Tanaka, Y., Kandori, M., Yoshie, T., Hijikata, Y.

Superlattices and Microstructures 99 2016年査読有り
Change in characteristics of SiC MOSFETs by gamma-ray irradiation at high temperature

Matsuda, T., Yokoseki, T., Mitomo, S., Murata, K., Makino, T., Abe, H., Takeyama, A., Onoda, S., Tanaka, Y., Kandori, M. …

Materials Science Forum 858 860-863 2016年査読有り
Unified theory of silicon carbide oxidation based on the Si and C emission model

Goto, D., Hijikata, Y.

Journal of Physics D: Applied Physics 49(22) 2016年査読有り
Improvement of radiation response of SiC MOSFETs under high temperature and humidity conditions

Takeyama, A., Matsuda, T., Yokoseki, T., Mitomo, S., Murata, K., Makino, T., Onoda, S., Okubo, S., Tanaka, Y., Kandori, M. …

Japanese Journal of Applied Physics 55(10) 2016年査読有り

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MISC

プロトンマイクロビーム照射によるSiC中の発光中心の形成

本多智也, 本多智也, Kraus HANNES, Kraus HANNES, 加田渉, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 佐藤隆博, 江夏昌志 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd 2016年
Investigation of SiC/Oxide Interface Structures by Spectroscopic Ellipsometry

Sadafumi Yoshida, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi

Advanced Silicon Carbide Devices and Processing 2015年9月
InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討

徳田英俊, 折原操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th(8) ROMBUNNO.17P-P7-15-08JL06-4 2013年8月31日
SiC酸化メカニズム解明への試み : Si酸化との共通点/異なる点 (シリコン材料・デバイス)

土方泰斗, 八木修平, 矢口裕之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 91-96 2013年6月18日
酸化中のSi及びC原子のSiC層への放出現象における理論的検討＜研究成果報告＞

土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史

埼玉大学工学部紀要第一部論文集 44 34-37 2010年
分光エリプソメトリによるSiC半導体の酸化界面評価と酸化メカニズム解明＜研究成果報告＞

土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史

埼玉大学工学部紀要第一部論文集 43 17-21 2009年
RF-MBE法を用いた3C-SiC基板上への立方晶InNの結晶成長およびその物性評価

富田康浩, 井上赳, 折原操, 土方泰斗, 矢口裕之, 吉田貞史, 平林康男

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th(1) 2008年
等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製

矢口裕之, 吉田貞史, 土方泰斗

科学研究費補助金(基盤研究(c))研究成果報告書平成17-18年度 2007年
酸化膜／炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明

土方泰斗

総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書第5号(18年度) 592-593 2007年
等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製

矢口裕之, 吉田貞史, 土方泰斗

科学研究費補助金(基盤研究(c))研究成果報告書平成17-18年度 2007年
酸化膜／炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明

土方泰斗

総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書第5号(18年度) 592-593 2007年
RFI-MBE法を用いたSiC基板上へのInNエピタキシャル層およびInN/InGaN量子井戸の成長

吉田貞史, 矢口裕之, 土方泰斗, 折原操

埼玉大学地域共同研究センター紀要 5 63-63 2004年
ファブリペロー型光ファイバ超音波プローブの受音特性

中村健太郎, 土方泰斗

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 86(12) 1340-1341 2003年12月1日
炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果

吉川正人, 石田夕起, 直本保, 土方泰斗, 伊藤久義, 奥村元, 高橋徹夫, 土田秀一, 吉田貞史

電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 86(4) 426-433 2003年4月1日
RF-MBE法を用いた六方晶および立方晶InNのエピタキシャル成長

吉田貞史, 矢口裕之, 土方泰斗, 折原操

埼玉大学地域共同研究センター紀要 (4) 61-64 2003年
Photoemission spectroscopy and in-situ spectroscopic ellipsometry studies on the Ar post-oxidation-annealing effects of oxide/SiC interfaces

Y. Hijikata, S. Kawato, S. Sekiguchi, H. Yaguchi, Y. Ishida, M. Yoshiawa, T. Kamiya, S. Yoshida

Proceedings of 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 127-132 2003年
分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価

吉田貞史, 矢口裕之, 土方泰斗, 折原操

埼玉大学地域共同研究センター紀要 (3) 41-48 2002年
広禁制帯幅半導体のナノ表層構造評価用極端紫外分光装置の開発紫外分光偏光解析による広禁制帯幅半導体に関する研究開発

矢口裕之, 土方泰斗

埼玉大学地域共同研究センター紀要 3 40-40 2002年
分光偏光解析等によるSiC酸化膜の評価

吉田貞史, 矢口裕之, 土方泰斗

埼玉大学地域共同研究センター紀要 (2) 150-156 2001年
分光偏向解析等によるSiC酸化膜の評価

吉田貞史, 矢口裕之, 土方泰斗

埼玉大学地域共同研究センター紀要 (1) 25-32 2000年

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書籍等出版物

テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定

土方, 泰斗

[土方泰斗] 2007年3月

共同研究・競争的資金等の研究課題

炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

土方泰斗, 大島武, 松下雄一郎
界面欠陥の電子状態計算法の確立とSiC-MOS界面の物理解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2021年4月 - 2024年3月

松下雄一郎, 藤ノ木享英, 大島武, 吉岡裕典, 土方泰斗, 押山淳
マルチスケール計算によるSiC酸化機構に現れる複合相関とその界面電子物性への影響

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2018年4月 - 2021年3月

松下雄一郎, 大島武, 土方泰斗, 押山淳, 櫻井鉄也
炭化ケイ素半導体デバイス中の単一光子源の量子状態計測

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2017年4月 - 2020年3月

大島武, 波多野睦子, 藤ノ木享英, 土方泰斗
炭化ケイ素半導体を用いた耐極限環境CCDの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2015年4月 - 2019年3月

土方泰斗
局所ドーピング構造半導体による量子相関光子の生成および制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

矢口裕之, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 窪谷茂幸, 土方泰斗, 八木修平, 秋山英文
炭化ケイ素半導体の酸化誘因欠陥の形成メカニズム解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2012年4月 - 2015年3月

土方泰斗, 矢口裕之
局所ドーピング構造半導体による単一光子発生に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2009年 - 2011年

矢口裕之, 土方泰斗, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 八木修平, 窪谷茂幸, 秋山英文
等電子トラップを利用した単一光子発生素子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2005年 - 2006年

矢口裕之, 吉田貞史, 土方泰斗
テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2005年 - 2006年

土方泰斗
IV族半導体の極薄酸化膜の界面評価に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2001年 - 2002年

吉田貞史, 土方泰斗, 矢口裕之
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土方泰斗

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委員歴

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