高効率熱電発電素子の実現へ向け、温度可変放射光X線回折を用いたシリコン(Si)微小領域の熱伝導特性評価に取り組んだ。Siの飛躍的な熱伝導率低減を達成するには、熱の伝導を担うフォノン(格子振動の量子化)の散乱機構を積極的に導入することが重要であり、本研究では熱伝導率低減の一つの方法として酸化膜被覆プロセスに着目した。酸化膜を異なるプロセスで被覆し、放射光X線回折で得られるX線散乱強度プロファイルを比較検討を行い、Si界面近傍で熱輸送に影響があるか評価を行った。