横山春喜 (Haruki Yokoyama) - マイポータル

基本情報

所属: 鈴鹿工業高等専門学校電気電子工学科教授

学位: 博士（工学）

J-GLOBAL ID: 201501018744761214
researchmap会員ID: B000245622

研究キーワード

経歴

2021年4月 - 現在

鈴鹿工業高等専門学校電気電子工学科長
2015年4月 - 現在

鈴鹿工業高等専門学校電気電子工学科
2014年7月 - 2015年3月

日本電信電話株式会社先端集積デバイス研究所
1989年4月

日本電信電話株式会社 LSI研究所

学歴

1987年4月 - 1989年3月

広島大学大学院工学研究科材料工学専攻博士課程前期
1983年4月 - 1987年3月

広島大学工学部第２類（電気系）

委員歴

2019年10月 - 現在

電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査研究会委員
2016年4月 - 現在

電気学会論文委員会（C1）委員
2015年4月 - 現在

電気学会電子デバイス技術委員会 1号委員
2015年10月 - 2019年9月

電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」調査専門委員会委員
2016年4月 - 2018年3月

電気学会論文委員会（C1）幹事
2016年4月 - 2018年3月

電気学会 C部門編集委員
2010年4月 - 2017年3月

応用物理学会結晶工学分科会幹事
2013年2月 - 2017年1月

応用物理学会代議員
2013年10月 - 2015年9月

電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用」調査専門委員会委員
2013年4月 - 2015年3月

電気学会電子デバイス技術委員会幹事
2012年5月 - 2013年3月

電気学会電子デバイス技術委員会幹事補佐
2011年10月 - 2013年3月

電気学会「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会幹事
2008年12月 - 2012年11月

日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会委員
2009年10月 - 2011年9月

電気学会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」調査専門委員会幹事

論文

179

DBDプラズマアクチュエーターを用いた大腸菌の殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 中山浩伸, 平井一行

教育工学論文集 44 22-24 2021年12月査読有り
スパッタリング法により作製したスパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす熱処理効果

伊藤滉悟, 横山春喜

教育工学論文集 43 55-57 2020年12月査読有り最終著者
スパッタリング法で堆積した酸化バナジウム薄膜の結晶構造と電気的特性に及ぼす熱処理の影響

伊藤滉悟, 小菅翔太, 横山春喜

教育工学論文集 42 22-24 2019年12月査読有り
足圧重心計測システムの開発

犬塚勝美, 横山春喜, 杉田有哉, 酒井琢磨, 西澤一騎

教育工学論文集 42 37-39 2019年12月査読有り
InGaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Journal of Applied Physics 125(11) 114501 2019年3月査読有り
Siﾄﾞｰﾌﾟp型GaAsSbの正孔散乱機構解析

森友希, 横山春喜

教育工学論文集 41 42-44 2018年12月査読有り
Composition and doping control for metal–organic chemical vapor deposition of InP-based double heterojunction bipolar transistor with hybrid base structure consisting of GaAsSb contact and InGaAsSb graded layers

Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, Hideaki Matsuzaki

Jpn. J. Appl. Phys. 56(7) 075503 2017年7月査読有り
InAs/GaSb-on-insulator single channel complementary metal-oxide-semiconductor transistors on Si structure

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 109(21) 213505 2016年11月査読有り
Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate

M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, N. Shigekawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 449 86-91 2016年9月査読有り
Erratum: MOCVD-grown compressively strained C-doped InxGa1-xAs1-ySby with high-In/Sb content for very low turn-on-voltage InP-based DHBTs (Journal of Crystal Growth (2014) 404 (172-176))

Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, Hideaki Matsuzaki, Masaki Kohtoku, Hideki Gotoh

Journal of Crystal Growth 424 80 2015年8月15日査読有り
Effects of buffered HF cleaning on metal–oxide–semiconductor interface properties of Al2O3/InAs/GaSb structures

Koichi Nishi, Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Applied Physics Express 8(6) 061203 2015年6月査読有り
Design and Performance of High-Speed Avalanche Photodiodes for 100-Gb/s Systems and Beyond

Masahiro Nada, Toshihide Yoshimatsu, Yoshifumi Muramoto, Haruki Yokoyama, Hideaki Matsuzaki

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY 33(5) 984-990 2015年3月査読有り
Heterogeneously Integrated PLC With Low-Loss Spot-Size Converter and Newly Developed Waveplate PBS for DC-DP-16QAM Receiver

Yu Kurata, Yasuaki Hashizume, Shinichi Aozasa, Mikitaka Itoh, Toshikazu Hashimoto, Hiromasa Tanobe, Yasuhiko Nakanishi, Eiji Yoshida, Hiroyuki Fukuyama, Hiroshi Yamazaki, Takashi Goh, Haruki Yokoyama, Yoshifumi Muramoto

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY 33(6) 1202-1209 2015年3月査読有り
Impact of interfacial InAs layers on Al2O3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(12) 122902 2015年3月査読有り
Ultrathin body GaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(7) 073503 2015年2月査読有り
High hole mobility front-gate InAs/InGaSb-OI single structure CMOS on Si

K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY) 2015年査読有り
P-type conductivity control of Si-doped GaAsSb layers grown by metalorganic chemical vapor deposition

Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(1) 015506 2015年1月査読有り
Operation of the GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated on (111) A surfaces

K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 105(23) 233503 2014年12月査読有り
A simple method for forming compositionally graded InxGa1-xAs1-ySby base of double-heterojunction bipolar transistors modulating CBr4-doping-precursor flow in metalorganic chemical vapor deposition

Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, Hideaki Matsuzaki, Hideki Gotoh

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7(11) 2014年11月査読有り
Influence of InGaN/GaN multiple quantum well structure on photovoltaic characteristics of solar cell

Noriyuki Watanabe, Manabu Mitsuhara, Haruki Yokoyama, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 2014年11月査読有り

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MISC

企業と連携した実践的工学教育

横山春喜, 兼松秀行, 平井信充, 小川亜希子, 黒田大介, 幸後健, 江崎尚和, 民秋実, 白木原香織, 万谷義和, 吉田潤一, 佐野勝彦, 野田美和, 益田直幸, 加島匠

東海工業教育協会高専部会報告 13 9-11 2019年3月
エコカープロジェクトの活動紹介

横山春喜

NIT, Suzuka College Technology Newsletter 18 9-9 2019年2月
鈴鹿高専が進める共同研究の新たな形

横山春喜

NIT, Suzuka College Technology Newsletter 18 5-6 2019年2月
鈴鹿工業高等専門学校の産学官連携

横山春喜

SUZUKA産学官交流会ニュース (19) 1-1 2018年10月招待有り
研究室紹介

横山春喜

結晶工学ニュース (100) 54-55 2016年1月招待有り
C-4-11 薄層InAlAs増倍層を有するAPDの50Gbit/s高速・高感度動作(C4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

名田允洋, 横山春喜, 村本好史, 松崎秀昭

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(1) 207-207 2015年2月24日
25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化 (光エレクトロニクス)

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 石橋忠夫, 松崎秀昭

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(263) 99-102 2013年10月24日
GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性

渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 21-24 2012年11月22日
GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性

渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(328) 21-24 2012年11月22日
MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (マイクロ波)

星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜, 栗島賢二, 井田実

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(374) 63-68 2012年1月11日
0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー

塩島謙次, 牧村隆司, 小杉敏彦, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 105(524) 41-44 2006年1月12日
n^+GaN/undoped GaN 構造上に作成された表面弾性波デバイス特性

重川直輝, 西村一巳, 横山春喜, 宝川幸司

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 105(329) 85-88 2005年10月13日
短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関

塩島謙次, 牧村隆司, 末光哲也, 重川直輝, 廣木正伸, 横山春喜

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 105(329) 43-46 2005年10月13日
C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)

西村一巳, 重川直輝, 横山春喜, 宝川幸司

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2005(2) 74-74 2005年9月7日
InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動

末光哲也, 深井佳乃, 杉山弘樹, 渡辺和夫, 横山春喜

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 100(547) 21-25 2001年1月10日
Ultrahigh-Speed IC Technologies Using InP-Based HEMTs for Future Optical Communication Systems

UMEDA Yotaro, ENOKI Takatomo, OTSUJI Taiichi, SUEMITSU Tetsuya, YOKOYAMA Haruki, ISHII Yasunobu

IEICE transactions on electronics 82(3) 409-418 1999年3月25日
30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性

末光哲也, 石井哲好, 横山春喜, 楳田洋太郎, 榎木孝知, 石井康信, 玉村敏昭

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(517) 15-20 1999年1月20日
高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上

横山春喜, 小林隆

日本結晶成長学会誌 25(3) A26 1998年7月
MOVPE法GaAsの炭素ドーピングに対するキャリアガス流量の影響

香田拡樹, 和田一実, 横山春喜

日本結晶成長学会誌 23(3) 175-175 1996年7月10日
CBr_4を用いた炭素ドープInGaAs結晶の成長

横山春喜, 篠原正典

日本結晶成長学会誌 22(3) 260-260 1995年7月10日

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講演・口頭発表等

230

誘電体バリア放電の誘起流を用いた殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 中山浩伸, 平井一行

令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会 2021年9月1日
DBDプラズマアクチュエータを用いた大腸菌の殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 平井一行, 中山浩伸

第169回教育工学研究会 2021年3月12日
スパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性評価

伊藤滉悟, 上嶋悠, 介浦村匠, 横山春喜

第168回教育工学研究会 2020年10月16日
スパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす熱処理効果

伊藤滉悟, 上嶋悠介, 浦村匠, 横山春喜

令和元年度専攻科研究フォーラム 2020年3月
鈴鹿高専における産学官連携事業の紹介

横山春喜

大学・高専・企業マッチング交流会 2020年1月24日
産学官協働研究室の設置とそれを活用した工学教育

横山春喜

鈴鹿高専テクノプラザ産学連携アラカルト 2019年5月
GaAsSb結晶中のSiアクセプタ準位評価

杉田有哉, 田中滉士, 和泉志男, 横山春喜

平成31年電気学会全国大会 2019年3月
企業と連携した実践的工学教育

横山春喜, 兼松秀行, 平井信充, 小川亜希子, 黒田大介, 幸後健, 江崎尚和, 民秋実, 白木原香織, 万谷義和, 吉田潤一, 佐野勝彦, 野田美和, 益田直幸, 加島匠

平成30年度東海工学教育協会高専部会シンポジウム 2018年12月14日
Si ドープp 型GaAsSb 層のホール効果測定

和泉志男, 横山春喜, 杉田有哉

平成30年電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2018年9月
酸化バナジウム薄膜の作製と評価

川原林大昴, 山口智誉, 横山春喜

第163回教育工学研究会 2018年3月19日
Siﾄﾞｰﾌﾟｐ型GaAsSbの正孔散乱機構解析

森友希, 横山春喜

第163回教育工学研究会 2018年3月19日
温泉水からの元素抽出技術に関する研究 I

曽我有紀, 久保田悦司, 横山春喜

第23回高専シンポジウム 2018年1月
温泉水からの元素抽出技術に関する研究 Ⅱ

久保田悦司, 曽我有紀, 横山春喜

第23回高専シンポジウム 2018年1月
足底圧重心軌跡計測システムの開発

杉田有哉, 西澤一騎, 酒井拓磨, 犬塚勝美, 横山春喜

平成29年電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2017年 2017年9月
Siﾄﾞｰﾌﾟｎ型GaAsSbの電気的特性評価

河端一輝, 森友希, 横山春喜

第22回高専シンポジウム 2017年1月
Si ドープGaAs0.51Sb0.49 層の正孔移動度評価

森友希, 横山春喜

平成28年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2016年
GaAs傾斜基板上InGaP量子細線状構造の自己形成における積層数の影響

満原学, 渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年
GaSb基板の熱処理条件最適化

横山春喜, 星拓哉, 杉山弘樹, 西康一, 竹中充, 高木信一

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年
高正孔濃度GaAsSbコンタクト層を有するGaAsSb/InGaAsSbベースDHBTのMOCVD成長

星拓也, 柏尾典秀, 杉山弘樹, 横山春喜, 栗島賢二, 井田実, 松崎秀昭

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年
Si上フロントゲートInAs/GaSb-OI p-MOSFETの移動度向上

西康一, 横山正史, 横山春喜, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

産業財産権

特許6240061 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

星拓也, 柏尾典秀, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6193738 半導体薄膜の作製方法およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ

星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6152070 貼り合わせ用ＩｎＧａＳｂ積層構造基板

横山春喜, 星拓也
特許6130774 半導体素子とその作製方法

横山春喜, 星拓也
特許6096569 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

星拓也, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6030416 アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 井田実
特開2016-174071 結晶成長方法

横山春喜, 星拓也, 杉山弘樹
特許5992867 アバランシェフォトダイオード

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 松崎秀昭, 石橋忠夫
特許5970408 シリコン基板上のＩｎＧａＳｂ薄膜の作製方法

横山春喜, 小林康之
特許5863069 半導体装置及び製造方法

横山春喜, 横山正史, 高木信一, 竹中充
特許5844445 アバランシ・フォトダイオード

石橋忠夫, 安藤精後, 名田允洋, 村本好史, 横山春喜
特許5841021 アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 児玉聡, 石橋忠夫
特許5833491 半導体薄膜およびその製造方法

星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜
特許5739357 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

星拓也, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許5723320 光変調導波路

廣木正伸, 渡邉則之, 横山春喜, 都築健, 藤澤剛
特許5700561 受光素子

名田允洋, 村本好史, 児玉聡, 堤卓也, 横山春喜, 石橋忠夫
特許5648915 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器

杉山弘樹, 横山春喜, 鈴木左文, 浅田雅洋
特許5649219 半導体装置

石橋忠夫, 安藤精後, 村本好史, 吉松俊英, 横山春喜
特開2014-220464 アンチモン系ｐ型化合物半導体の積層構造

横山春喜, 星拓也
特許5600082 化合物半導体結晶の製造方法

横山春喜, 重川直輝, 杉山弘樹, 星拓也

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