横山春喜 (Haruki Yokoyama) - マイポータル

基本情報

所属: 鈴鹿工業高等専門学校電気電子工学科教授

学位: 博士（工学）

J-GLOBAL ID: 201501018744761214
researchmap会員ID: B000245622

研究キーワード

経歴

2021年4月 - 現在

鈴鹿工業高等専門学校電気電子工学科長
2015年4月 - 現在

鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科
2014年7月 - 2015年3月

日本電信電話株式会社, 先端集積デバイス研究所
1989年4月

日本電信電話株式会社, LSI研究所

学歴

1987年4月 - 1989年3月

広島大学大学院, 工学研究科, 材料工学専攻博士課程前期
1983年4月 - 1987年3月

広島大学, 工学部, 第２類（電気系）

委員歴

2023年10月 - 現在

電気学会「化合物半導体を用いた次世代デバイス技術とアプリケーション」調査専門委員会委員
2016年4月 - 現在

電気学会, 論文委員会（C1）委員
2019年10月 - 2023年9月

電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査研究会, 委員
2015年4月 - 2023年3月

電気学会電子デバイス技術委員会, 1号委員
2015年10月 - 2019年9月

電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」調査専門委員会, 委員
2016年4月 - 2018年3月

電気学会, 論文委員会（C1）幹事
2016年4月 - 2018年3月

電気学会, C部門編集委員
2010年4月 - 2017年3月

応用物理学会結晶工学分科会, 幹事
2013年2月 - 2017年1月

応用物理学会, 代議員
2013年10月 - 2015年9月

電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用」調査専門委員会, 委員
2013年4月 - 2015年3月

電気学会電子デバイス技術委員会, 幹事
2012年5月 - 2013年3月

電気学会電子デバイス技術委員会, 幹事補佐
2011年10月 - 2013年3月

電気学会「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会, 幹事
2008年12月 - 2012年11月

日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会, 委員
2009年10月 - 2011年9月

電気学会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」調査専門委員会, 幹事

論文

182

Characterization of interface properties of Al₂O₃/n-GaSb and Al₂O₃/InAs/n-GaSb metal-oxide-semiconductor structures

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Japanese Journal of Applied Physics 61(6) 061010-061010 2022年5月25日
DBDプラズマアクチュエーターを用いた大腸菌の殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 中山浩伸, 平井一行

教育工学論文集 44 22-24 2021年12月査読有り
スパッタリング法により作製したスパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす熱処理効果

伊藤滉悟, 横山春喜

教育工学論文集 43 55-57 2020年12月査読有り最終著者
スパッタリング法で堆積した酸化バナジウム薄膜の結晶構造と電気的特性に及ぼす熱処理の影響

伊藤滉悟, 小菅翔太, 横山春喜

教育工学論文集 42 22-24 2019年12月査読有り
足圧重心計測システムの開発

犬塚勝美, 横山春喜, 杉田有哉, 酒井琢磨, 西澤一騎

教育工学論文集 42 37-39 2019年12月査読有り
InGaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Journal of Applied Physics 125(11) 114501 2019年3月査読有り
Siﾄﾞｰﾌﾟp型GaAsSbの正孔散乱機構解析

森友希, 横山春喜

教育工学論文集 41 42-44 2018年12月査読有り
Composition and doping control for metal–organic chemical vapor deposition of InP-based double heterojunction bipolar transistor with hybrid base structure consisting of GaAsSb contact and InGaAsSb graded layers

Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, Hideaki Matsuzaki

Jpn. J. Appl. Phys. 56(7) 075503 2017年7月査読有り
InAs/GaSb-on-insulator single channel complementary metal-oxide-semiconductor transistors on Si structure

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 109(21) 213505 2016年11月査読有り
Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate

M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, N. Shigekawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 449 86-91 2016年9月査読有り
Erratum: MOCVD-grown compressively strained C-doped InxGa1-xAs1-ySby with high-In/Sb content for very low turn-on-voltage InP-based DHBTs (Journal of Crystal Growth (2014) 404 (172-176))

Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, Hideaki Matsuzaki, Masaki Kohtoku, Hideki Gotoh

Journal of Crystal Growth 424 80 2015年8月15日査読有り
Effects of buffered HF cleaning on metal–oxide–semiconductor interface properties of Al2O3/InAs/GaSb structures

Koichi Nishi, Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Applied Physics Express 8(6) 061203 2015年6月査読有り
Design and Performance of High-Speed Avalanche Photodiodes for 100-Gb/s Systems and Beyond

Masahiro Nada, Toshihide Yoshimatsu, Yoshifumi Muramoto, Haruki Yokoyama, Hideaki Matsuzaki

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY 33(5) 984-990 2015年3月査読有り
Heterogeneously Integrated PLC With Low-Loss Spot-Size Converter and Newly Developed Waveplate PBS for DC-DP-16QAM Receiver

Yu Kurata, Yasuaki Hashizume, Shinichi Aozasa, Mikitaka Itoh, Toshikazu Hashimoto, Hiromasa Tanobe, Yasuhiko Nakanishi, Eiji Yoshida, Hiroyuki Fukuyama, Hiroshi Yamazaki …

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY 33(6) 1202-1209 2015年3月査読有り
Impact of interfacial InAs layers on Al2O3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(12) 122902 2015年3月査読有り
Ultrathin body GaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(7) 073503 2015年2月査読有り
High hole mobility front-gate InAs/InGaSb-OI single structure CMOS on Si

K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

2015 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY (VLSI TECHNOLOGY) 2015年査読有り
P-type conductivity control of Si-doped GaAsSb layers grown by metalorganic chemical vapor deposition

Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(1) 015506 2015年1月査読有り
Operation of the GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated on (111) A surfaces

K. Nishi, M. Yokoyama, H. Yokoyama, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS 105(23) 233503 2014年12月査読有り
400-G coherent receiver using silica-based heterogeneously-integrated PLC with newly developed waveplate type PBS

Yu Kurata, Yasuaki Hashizume, Shinichi Aozasa, Mikitaka Itoh, Toshikazu Hashimoto, Hiromasa Tanobe, Yasuhiko Nakanishi, Eiji Yoshida, Hiroyuki Fukuyama, Hiroshi Yamazaki …

European Conference on Optical Communication, ECOC 2014年11月20日

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MISC

誘電体バリア放電を用いた殺菌装置の開発

松本嶺邑, 若林琢斗, 横山春喜, 平井一行, 中山浩伸

令和6年電気学会基礎・材料・共通部門大会予稿集 2-P2-16 2024年9月
マグネトロンスパッタ法を用いた酸化バナジウム薄膜の作製と評価

竹内廉, 堀場太智, 横山春喜

令和6年電気学会基礎・材料・共通部門大会予稿集 2-P1-24 2024年8月
Siドープn-GaN薄膜の低温における電気的特性評価

山路理貴, 横山春喜

令和6年電気学会基礎・材料・共通部門大会予稿集 2-P1-34 2024年8月
誘電体バリア放電の誘起流を用いた殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 平井一行, 中山浩伸

令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会予稿集 1-P-B-5 2021年8月
Study on Si acceptor level in GaAsSb layer

杉田有哉, 田中滉士, 和泉志男, 横山春喜

平成31年電気学会全国大会論文集 2-101 2019年3月
企業と連携した実践的工学教育

横山春喜, 兼松秀行, 平井信充, 小川亜希子, 黒田大介, 幸後健, 江崎尚和, 民秋実, 白木原香織, 万谷義和 …

東海工業教育協会高専部会報告 13 9-10 2019年3月
エコカープロジェクトの活動紹介

横山春喜

NIT, Suzuka College Technology Newsletter 18 9-9 2019年2月
鈴鹿高専が進める共同研究の新たな形

横山春喜

NIT, Suzuka College Technology Newsletter 18 5-6 2019年2月
鈴鹿工業高等専門学校の産学官連携

横山春喜

SUZUKA産学官交流会ニュース (19) 1-1 2018年10月招待有り
研究室紹介

横山春喜

結晶工学ニュース (100) 54-55 2016年1月招待有り
C-3-54 DC-DP-16QAM信号受信用ヘテロジニアス集積型PLC(光導波路回路,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

倉田優生, 橋詰泰彰, 青笹真一, 井藤幹隆, 橋本俊和, 田野辺博正, 中西泰彦, 吉田英二, 福山裕之, 山崎裕史 …

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(1) 178-178 2015年2月24日
C-4-11 薄層InAlAs増倍層を有するAPDの50Gbit/s高速・高感度動作(C4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

名田允洋, 横山春喜, 村本好史, 松崎秀昭

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(1) 207-207 2015年2月24日
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)

渡邉則之, 満原学, 横山春喜, 梁剣波, 重川直輝

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(338) 103-106 2014年11月27日
垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術 (電子部品・材料)

名田允洋, 横山春喜, 村本好史, 星拓也, 松崎秀昭

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(185) 91-94 2014年8月21日
25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化 (光エレクトロニクス)

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 石橋忠夫, 松崎秀昭

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(263) 99-102 2013年10月24日
25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化 (レーザ・量子エレクトロニクス)

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 石橋忠夫, 松崎秀昭

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(264) 99-102 2013年10月24日
C-4-14 反転型アバランシェフォトダイオードの高速・高感度化技術(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 石橋忠夫, 松崎秀昭

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013(1) 259-259 2013年3月5日
C-3-29 DP-QPSK信号受信用ヘテロジニアス集積型PLCの小型高機能化(C-3.光エレクトロニクス)

倉田優生, 那須悠介, 田村宗久, 笠原亮一, 青笹真一, 水野隆之, 綱島聡, 村本好史, 横山春喜

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013(1) 189-189 2013年3月5日
GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性

渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 21-24 2012年11月22日
GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性

渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(328) 21-24 2012年11月22日

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講演・口頭発表等

233

マグネトロンスパッタ法を用いた酸化バナジウム薄膜の作製と評価

竹内廉, 堀場太智, 横山春喜

令和6年電気学会基礎・材料・共通部門大会 2024年9月2日
Siドープn-GaN薄膜の低温における電気的特性評価

山路理貴, 横山春喜

令和6年電気学会基礎・材料・共通部門大会 2024年9月2日
誘電体バリア放電を用いた殺菌装置の開発

松本嶺邑, 若林琢斗, 横山春喜, 平井一行, 中山浩伸

令和6年電気学会基礎・材料・共通部門大会 2024年9月2日
誘電体バリア放電の誘起流を用いた殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 中山浩伸, 平井一行

令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会 2021年9月1日
DBDプラズマアクチュエータを用いた大腸菌の殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 平井一行, 中山浩伸

第169回教育工学研究会 2021年3月12日
スパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性評価

伊藤滉悟, 上嶋悠, 介浦村匠, 横山春喜

第168回教育工学研究会 2020年10月16日
スパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす熱処理効果

伊藤滉悟, 上嶋悠介, 浦村匠, 横山春喜

令和元年度専攻科研究フォーラム 2020年3月
鈴鹿高専における産学官連携事業の紹介

横山春喜

大学・高専・企業マッチング交流会 2020年1月24日
産学官協働研究室の設置とそれを活用した工学教育

横山春喜

鈴鹿高専テクノプラザ産学連携アラカルト 2019年5月
GaAsSb結晶中のSiアクセプタ準位評価

杉田有哉, 田中滉士, 和泉志男, 横山春喜

平成31年電気学会全国大会 2019年3月
企業と連携した実践的工学教育

横山春喜, 兼松秀行, 平井信充, 小川亜希子, 黒田大介, 幸後健, 江崎尚和, 民秋実, 白木原香織, 万谷義和, 吉田潤一, 佐野勝彦, 野田美和, 益田直幸, 加島匠

平成30年度東海工学教育協会高専部会シンポジウム 2018年12月14日
Si ドープp 型GaAsSb 層のホール効果測定

和泉志男, 横山春喜, 杉田有哉

平成30年電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2018年9月
酸化バナジウム薄膜の作製と評価

川原林大昴, 山口智誉, 横山春喜

第163回教育工学研究会 2018年3月19日
Siﾄﾞｰﾌﾟｐ型GaAsSbの正孔散乱機構解析

森友希, 横山春喜

第163回教育工学研究会 2018年3月19日
温泉水からの元素抽出技術に関する研究 I

曽我有紀, 久保田悦司, 横山春喜

第23回高専シンポジウム 2018年1月
温泉水からの元素抽出技術に関する研究 Ⅱ

久保田悦司, 曽我有紀, 横山春喜

第23回高専シンポジウム 2018年1月
足底圧重心軌跡計測システムの開発

杉田有哉, 西澤一騎, 酒井拓磨, 犬塚勝美, 横山春喜

平成29年電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2017年 2017年9月
Siﾄﾞｰﾌﾟｎ型GaAsSbの電気的特性評価

河端一輝, 森友希, 横山春喜

第22回高専シンポジウム 2017年1月
Si ドープGaAs0.51Sb0.49 層の正孔移動度評価

森友希, 横山春喜

平成28年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2016年
GaAs傾斜基板上InGaP量子細線状構造の自己形成における積層数の影響

満原学, 渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝

第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

構造相転移を電圧で制御する新規高機能マイクロアクチュエータの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

横山春喜
新材料Siドープｐ型GaAsSbのアクセプタ準位と熱的安定性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

横山春喜

産業財産権

特許6240061 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

星拓也, 柏尾典秀, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6193738 半導体薄膜の作製方法およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ

星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6152070 貼り合わせ用ＩｎＧａＳｂ積層構造基板

横山春喜, 星拓也
特許6130774 半導体素子とその作製方法

横山春喜, 星拓也
特許6096569 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

星拓也, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6030416 アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 井田実
特開2016-174071 結晶成長方法

横山春喜, 星拓也, 杉山弘樹
特許5992867 アバランシェフォトダイオード

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 松崎秀昭, 石橋忠夫
特許5970408 シリコン基板上のＩｎＧａＳｂ薄膜の作製方法

横山春喜, 小林康之
特許5863069 半導体装置及び製造方法

横山春喜, 横山正史, 高木信一, 竹中充
特許5844445 アバランシ・フォトダイオード

石橋忠夫, 安藤精後, 名田允洋, 村本好史, 横山春喜
特許5841021 アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 児玉聡, 石橋忠夫
特許5833491 半導体薄膜およびその製造方法

星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜
特許5739357 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

星拓也, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許5723320 光変調導波路

廣木正伸, 渡邉則之, 横山春喜, 都築健, 藤澤剛
特許5700561 受光素子

名田允洋, 村本好史, 児玉聡, 堤卓也, 横山春喜, 石橋忠夫
特許5648915 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器

杉山弘樹, 横山春喜, 鈴木左文, 浅田雅洋
特許5649219 半導体装置

石橋忠夫, 安藤精後, 村本好史, 吉松俊英, 横山春喜
特開2014-220464 アンチモン系ｐ型化合物半導体の積層構造

横山春喜, 星拓也
特許5600082 化合物半導体結晶の製造方法

横山春喜, 重川直輝, 杉山弘樹, 星拓也

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論文

MISC

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

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