横山 春喜

J-GLOBALへ         更新日: 17/10/11 08:35
 
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研究者氏名
横山 春喜
 
ヨコヤマ ハルキ
eメール
yokoyamaelec.suzuka-ct.ac.jp
所属
鈴鹿工業高等専門学校
部署
電気電子工学科
職名
教授
学位
博士(工学)

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
1989年4月
   
 
日本電信電話株式会社  LSI研究所
 
2014年7月
 - 
2015年3月
日本電信電話株式会社 先端集積デバイス研究所
 
2015年4月
 - 
現在
鈴鹿工業高等専門学校 電気電子工学科
 

学歴

 
1983年4月
 - 
1987年3月
広島大学 工学部 第2類(電気系)
 
1987年4月
 - 
1989年3月
広島大学大学院 工学研究科 材料工学専攻博士課程前期
 

委員歴

 
2017年4月
 - 
現在
電気学会  論文委員会(C1)幹事
 
2017年4月
 - 
現在
電気学会  論文委員会(C1)委員
 
2017年4月
 - 
現在
電気学会  C部門編集委員
 
2015年10月
 - 
現在
電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」調査専門委員会  委員
 
2015年4月
 - 
現在
電気学会 電子デバイス技術委員会  1号委員
 
2013年2月
 - 
2017年1月
応用物理学会  代議員
 
2010年4月
 - 
2017年3月
応用物理学会 結晶工学分科会  幹事
 
2013年10月
 - 
2015年9月
電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用」調査専門委員会  委員
 
2013年4月
 - 
2015年3月
電気学会 電子デバイス技術委員会  幹事
 
2012年5月
 - 
2013年3月
電気学会 電子デバイス技術委員会  幹事補佐
 

論文

 
Composition and doping control for metal–organic chemical vapor deposition of InP-based double heterojunction bipolar transistor with hybrid base structure consisting of GaAsSb contact and InGaAsSb graded layers
Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, and Hideaki Matsuzaki
Jpn. J. Appl. Phys.   (56) 075503   2017年6月   [査読有り]
Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate
M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, and N. Shigekawa
Journal of Crystal Growth   449 86-91   2016年9月   [査読有り]
Effects of buffered HF cleaning on metal–oxide–semiconductor interface properties of Al2O3/InAs/GaSb structures
Koichi Nishi, Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
Applied Physics Express   Vol.8 061203   2015年   [査読有り]
Ultrathin body GaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding
Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, and Shinichi Takagi
Appl. Phys. Lett.   Vol. 106 073503   2015年   [査読有り]
Impact of interfacial InAs layers on Al2O3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties
Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, and Sinichi Takagi
Appl. Phys. Lett.   Vol. 106 122902   2015年   [査読有り]

講演・口頭発表等

 
足底圧重心軌跡計測システムの開発
杉田 有哉,西澤 一騎,酒井 拓磨,犬塚 勝美,横山 春喜
平成29年電気・電子・情報関係学会 東海支部連合大会 2017年   2017年9月   
Siドープn型GaAsSbの電気的特性評価
河端 一輝、森 友希、横山 春喜
第22回高専シンポジウム   2017年1月   
Si ドープGaAs0.51Sb0.49 層の正孔移動度評価
森 友希、横山 春喜
平成28年度電気・電子・情報関係学会 東海支部連合大会   2016年   
GaAs傾斜基板上InGaP量子細線状構造の自己形成における積層数の影響
満原 学、渡邉 則之、横山 春喜、重川 直輝
第62回 応用物理学会春季学術講演会   2015年   
Si上フロントゲートInAs/GaSb-OI p-MOSFETの移動度向上
西 康一、横山 正史、横山 春喜、星拓也、杉山 弘樹、竹中 充、高木 信一
第62回 応用物理学会春季学術講演会   2015年   

担当経験のある科目

 

特許

 
特許6193738 : 半導体薄膜の作製方法およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ
星拓也、杉山弘樹、横山春喜
特許6096569 : ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
星拓也、栗島賢二、杉山弘樹、横山春喜
特許6030416 : アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
名田允洋、村本好史、横山春喜、井田実
特許5992867 : アバランシェフォトダイオード
名田允洋、村本好史、横山春喜、松崎秀昭、石橋忠夫
特許5970408 : シリコン基板上のInGaSb薄膜の作製方法
横山春喜、小林康之
特許5863069 : 半導体装置及び製造方法
横山春喜、横山正史、高木信一、竹中充
特許5844445 : アバランシ・フォトダイオード
石橋忠夫、安藤精後、名田允洋、村本好史、横山春喜
特許5841021 : アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
名田允洋、村本好史、横山春喜、児玉聡、石橋忠夫
特許5833491 : 半導体薄膜およびその製造方法
星拓也、杉山弘樹、横山春喜
特許5739357 : ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
星拓也、栗島賢二、杉山弘樹、横山春喜