Haruki Yokoyama

Profile Information

Affiliation: Department of Electrical and Electronic Engineering, Suzuka National College of Technology

Degree: 博士（工学）

J-GLOBAL ID: 201501018744761214
researchmap Member ID: B000245622

Research Interests

Research History

Apr, 2021 - Present

Suzuka National College of Technology
Apr, 2015 - Present

Department of Electrical and Electronic Engineering, Suzuka National College of Technology
Jul, 2014 - Mar, 2015

先端集積デバイス研究所, 日本電信電話株式会社
Apr, 1989

LSI研究所, 日本電信電話株式会社

Education

Apr, 1987 - Mar, 1989

Graduate School of Engineering, Hiroshima University
Apr, 1983 - Mar, 1987

Faculty of Engineering, Hiroshima University

Committee Memberships

Apr, 2016 - Present

論文委員会（C1）委員, 電気学会
Oct, 2019 - Sep, 2023

委員, 電気学会「高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用」調査研究会
Apr, 2015 - Mar, 2023

1号委員, 電気学会電子デバイス技術委員会
Oct, 2015 - Sep, 2019

委員, 電気学会「次世代化合物半導体デバイスの機能と応用」調査専門委員会
Apr, 2016 - Mar, 2018

論文委員会（C1）幹事, 電気学会
Apr, 2016 - Mar, 2018

C部門編集委員, 電気学会
Apr, 2010 - Mar, 2017

幹事, 応用物理学会結晶工学分科会
Feb, 2013 - Jan, 2017

代議員, 応用物理学会
Oct, 2013 - Sep, 2015

委員, 電気学会「次世代化合物電子デバイスとその応用」調査専門委員会
Apr, 2013 - Mar, 2015

幹事, 電気学会電子デバイス技術委員会
May, 2012 - Mar, 2013

幹事補佐, 電気学会電子デバイス技術委員会
Oct, 2011 - Mar, 2013

幹事, 電気学会「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」調査専門委員会
Dec, 2008 - Nov, 2012

委員, 日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会
Oct, 2009 - Sep, 2011

幹事, 電気学会「グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス」調査専門委員会

Papers

204

Characterization of interface properties of Al₂O₃/n-GaSb and Al₂O₃/InAs/n-GaSb metal-oxide-semiconductor structures

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Japanese Journal of Applied Physics, 61(6) 061010-061010, May 25, 2022
DBDプラズマアクチュエーターを用いた大腸菌の殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 中山浩伸, 平井一行

教育工学論文集, 44 22-24, Dec, 2021 Peer-reviewed
スパッタリング法により作製したスパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす熱処理効果

伊藤滉悟, 横山春喜

教育工学論文集, 43 55-57, Dec, 2020 Peer-reviewedLast author
スパッタリング法で堆積した酸化バナジウム薄膜の結晶構造と電気的特性に及ぼす熱処理の影響

伊藤滉悟, 小菅翔太, 横山春喜

教育工学論文集, 42 22-24, Dec, 2019 Peer-reviewed
足圧重心計測システムの開発

犬塚勝美, 横山春喜, 杉田有哉, 酒井琢磨, 西澤一騎

教育工学論文集, 42 37-39, Dec, 2019 Peer-reviewed
InGaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

Journal of Applied Physics, 125(11) 114501, Mar, 2019 Peer-reviewed
Siﾄﾞｰﾌﾟp型GaAsSbの正孔散乱機構解析

森友希, 横山春喜

教育工学論文集, 41 42-44, Dec, 2018 Peer-reviewed
MOS interface defect control in Ge/III-V gate stacks

S. Takagi, M. Ke, C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, S.-H. Yoon, M. Takenaka

ECS Transactions, 80(1) 109-118, Oct, 2017 Peer-reviewedInvited
III-V-based low power CMOS devices on Si platform

S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, M. Noguchi, K. Nishi, S. H. Kim, M. Yokoyama, C. Y. Chang, S. H. Yoon, C. Yokoyama …

2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology, ICICDT 2017, 1-4, Jul 26, 2017 Peer-reviewed
Composition and doping control for metal-organic chemical vapor deposition of InP-based double heterojunction bipolar transistor with hybrid base structure consisting of GaAsSb contact and InGaAsSb graded layers

Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, Hideaki Matsuzaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 56(7) 075503, Jul, 2017 Peer-reviewed
III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems

S. Takagi, M. Noguchi, M. Kim, S. -H. Kim, C. -Y. Chang, M. Yokoyama, K. Nishi, R. Zhang, M. Ke, M. Takenaka

SOLID-STATE ELECTRONICS, 125 82-102, Nov, 2016 Peer-reviewed
InAs/GaSb-on-insulator single channel complementary metal-oxide-semiconductor transistors on Si structure

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS, 109(21) 213505, Nov, 2016 Peer-reviewed
Thickness modulation and strain relaxation in strain-compensated InGaP/InGaP multiple-quantum-well structure grown by metalorganic molecular beam epitaxy on GaAs (100) substrate

M. Mitsuhara, N. Watanabe, H. Yokoyama, R. Iga, N. Shigekawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 449 86-91, Sep, 2016 Peer-reviewed
Low temperature formation of higher- k cubic phase HfO2 by atomic layer deposition on GeOx/Ge structures fabricated by in-situ thermal oxidation

R. Zhang, P. C. Huang, N. Taoka, M. Yokoyama, M. Takenaka, S. Takagi

Applied Physics Letters, 108(5), Feb 1, 2016 Peer-reviewed
Erratum: MOCVD-grown compressively strained C-doped InxGa1-xAs1-ySby with high-In/Sb content for very low turn-on-voltage InP-based DHBTs (Journal of Crystal Growth (2014) 404 (172-176))

Takuya Hoshi, Norihide Kashio, Hiroki Sugiyama, Haruki Yokoyama, Kenji Kurishima, Minoru Ida, Hideaki Matsuzaki, Masaki Kohtoku, Hideki Gotoh

Journal of Crystal Growth, 424 80, Aug 15, 2015 Peer-reviewed
Effects of buffered HF cleaning on metal-oxide-semiconductor interface properties of Al2O3/InAs/GaSb structures

Koichi Nishi, Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS EXPRESS, 8(6) 061203, Jun, 2015 Peer-reviewed
Design and Performance of High-Speed Avalanche Photodiodes for 100-Gb/s Systems and Beyond

Masahiro Nada, Toshihide Yoshimatsu, Yoshifumi Muramoto, Haruki Yokoyama, Hideaki Matsuzaki

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 33(5) 984-990, Mar, 2015 Peer-reviewed
Heterogeneously Integrated PLC With Low-Loss Spot-Size Converter and Newly Developed Waveplate PBS for DC-DP-16QAM Receiver

Yu Kurata, Yasuaki Hashizume, Shinichi Aozasa, Mikitaka Itoh, Toshikazu Hashimoto, Hiromasa Tanobe, Yasuhiko Nakanishi, Eiji Yoshida, Hiroyuki Fukuyama, Hiroshi Yamazaki …

JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 33(6) 1202-1209, Mar, 2015 Peer-reviewed
Impact of interfacial InAs layers on Al2O3/GaSb metal-oxide-semiconductor interface properties

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS, 106(12) 122902, Mar, 2015 Peer-reviewed
Ultrathin body GaSb-on-insulator p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on Si fabricated by direct wafer bonding

Masafumi Yokoyama, Haruki Yokoyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

APPLIED PHYSICS LETTERS, 106(7) 073503, Feb, 2015 Peer-reviewed

Misc.

企業と連携した実践的工学教育

横山春喜, 兼松秀行, 平井信充, 小川亜希子, 黒田大介, 幸後健, 江崎尚和, 民秋実, 白木原香織, 万谷義和 …

東海工業教育協会高専部会報告, 13 9-11, Mar, 2019
エコカープロジェクトの活動紹介

横山春喜

NIT, Suzuka College Technology Newsletter, 18 9-9, Feb, 2019
鈴鹿高専が進める共同研究の新たな形

横山春喜

NIT, Suzuka College Technology Newsletter, 18 5-6, Feb, 2019
鈴鹿工業高等専門学校の産学官連携

横山春喜

SUZUKA産学官交流会ニュース, (19) 1-1, Oct, 2018 Invited
研究室紹介

横山春喜

結晶工学ニュース, (100) 54-55, Jan, 2016 Invited
C-3-54 Heterogeneously integrated PLC for DC-DP-16QAM receiver

Kurata Yu, Hashizume Yasuaki, Aozasa Shinichi, Itoh Mikitaka, Hashimoto Toshikazu, Tanobe Hiromasa, Nakanishi Yasuhiko, Yoshida Eiji, Fukuyama Hiroyuki, Yamazaki Hiroshi …

Proceedings of the IEICE General Conference, 2015(1) 178-178, Feb 24, 2015
C-4-11 50-Gbit/s high-speed and high-sensitivity operation of avalanche photodiode employing ultra-thin InAlAs avalanche layer

Nada Masahiro, Yokoyama Haruki, Muramoto Yoshifumi, Matsuzaki Hideaki

Proceedings of the IEICE General Conference, 2015(1) 207-207, Feb 24, 2015
Investigation on the maximization of short-circuit current in InGaN/GaN MQW solar cells

WATANABE Noriyuki, MITSUHARA Manabu, YOKOYAMA Haruki, LIANG Jianbo, SHIGEKAWA Naoteru

Technical report of IEICE. LQE, 114(338) 103-106, Nov 27, 2014
High-speed avalanche photodiodes with vertical illumination structure for reliability and stability

NADA Masahiro, YOKOYAMA Haruki, MURAMOTO Yoshifumi, HOSHI Takuya, MATSUZAKI Hideaki

IEICE technical report. Component parts and materials, 114(185) 91-94, Aug 21, 2014
High-performance InAlAs avalanche photodiode for 25-Gbit/s applications

NADA Masahiro, MURAMOTO Yoshifumi, YOKOYAMA Haruki, ISHIBASHI Tadao, MATSUZAKI Hideaki

Technical report of IEICE. OPE, 113(263) 99-102, Oct 24, 2013
High-performance InAlAs avalanche photodiode for 25-Gbit/s applications

NADA Masahiro, MURAMOTO Yoshifumi, YOKOYAMA Haruki, ISHIBASHI Tadao, MATSUZAKI Hideaki

Technical report of IEICE. LQE, 113(264) 99-102, Oct 24, 2013
C-4-14 An inverted p-down avalanche photodiode for high-speed high-sensitivity operations

Nada Masahiro, Muramoto Yoshifumi, Yokoyama Haruki, Ishibashi Tadao, Matsuzaki Hideaki

Proceedings of the IEICE General Conference, 2013(1) 259-259, Mar 5, 2013
C-3-29 Small-sized ]DP-QpsK receiver PLc with heterogeneously integrated lnP-PDs

Kurata Yu, Nasu Yusuke, Tamura Munehisa, Kasahara Ryoichi, Aozasa Shinichi, Mizuno Takayuki, Tsunashima Satoshi, Muramoto Yoshifumi, Yokoyama Haruki

Proceedings of the IEICE General Conference, 2013(1) 189-189, Mar 5, 2013
Anomalous current-voltage behavior in n-i-n type diode with GaN/AlGaN/GaN junction

WATANABE Noriyuki, YOKOYAMA Haruki, SHIGEKAWA Naoteru

IEICE technical report. Electron devices, 112(327) 21-24, Nov 22, 2012
Anomalous current-voltage behavior in n-i-n type diode with GaN/AlGaN/GaN junction

WATANABE Noriyuki, YOKOYAMA Haruki, SHIGEKAWA Naoteru

IEICE technical report. Component parts and materials, 112(328) 21-24, Nov 22, 2012
C-4-14 25-/40-Gbps operations with high-sensitivity APD-ROSA

Nada Masahiro, Muramoto Yoshifumi, Yokoyama Haruki, Ishibashi Tadao, Kodama Satoshi

Proceedings of the Society Conference of IEICE, 2012(1) 224-224, Aug 28, 2012
C-3-9 InP-PD Heterogeneously Integrated DP-QPSK Detector based on a Silica-based PLC

Kurata Yu, Nasu Yusuke, Tamura Munehisa, Muramoto Yoshifumi, Yokoyama Haruki

Proceedings of the Society Conference of IEICE, 2012(1) 126-126, Aug 28, 2012
Low-Turn-on-Voltage DHBTs with a C-doped InGaAsSb Base Grown by MOCVD

HOSHI Takuya, SUGIYAMA Hiroki, YOKOYAMA Haruki, KURISHIMA Kenji, IDA Minoru

2012(30) 51-54, Mar 7, 2012
C-4-8 Large multiplied-responsivity high-speed operation with inverted p-down avalanche photodiode

Nada Masahiro, Muramoto Yoshifumi, Yokoyama Haruki, Ishibashi Tadao, Kodama Satoshi

Proceedings of the IEICE General Conference, 2012(1) 259-259, Mar 6, 2012
Heterogeneous-integrated optoelectronic receiver on a silica-based PLC platform

KURATA Yu, NASU Yusuke, TAMURA Munehisa, MURAMOTO Yoshifumi, YOKOYAMA Haruki

111(412) 299-304, Jan 26, 2012

Presentations

230

誘電体バリア放電の誘起流を用いた殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 中山浩伸, 平井一行

令和3年電気学会基礎・材料・共通部門大会, Sep 1, 2021
DBDプラズマアクチュエータを用いた大腸菌の殺菌

山川太嗣, 横山春喜, 平井一行, 中山浩伸

第169回教育工学研究会, Mar 12, 2021
スパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性評価

伊藤滉悟, 上嶋悠, 介浦村匠, 横山春喜

第168回教育工学研究会, Oct 16, 2020
スパッタリング法により作製した酸化バナジウム薄膜の電気的・光学的特性に及ぼす熱処理効果

伊藤滉悟, 上嶋悠介, 浦村匠, 横山春喜

令和元年度専攻科研究フォーラム, Mar, 2020
鈴鹿高専における産学官連携事業の紹介

横山春喜

大学・高専・企業マッチング交流会, Jan 24, 2020
産学官協働研究室の設置とそれを活用した工学教育

横山春喜

鈴鹿高専テクノプラザ産学連携アラカルト, May, 2019
GaAsSb結晶中のSiアクセプタ準位評価

杉田有哉, 田中滉士, 和泉志男, 横山春喜

平成31年電気学会全国大会, Mar, 2019
企業と連携した実践的工学教育

横山春喜, 兼松秀行, 平井信充, 小川亜希子, 黒田大介, 幸後健, 江崎尚和, 民秋実, 白木原香織, 万谷義和, 吉田潤一, 佐野勝彦, 野田美和, 益田直幸, 加島匠

平成30年度東海工学教育協会高専部会シンポジウム, Dec 14, 2018
Si ドープp 型GaAsSb 層のホール効果測定

和泉志男, 横山春喜, 杉田有哉

平成30年電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会, Sep, 2018
酸化バナジウム薄膜の作製と評価

川原林大昴, 山口智誉, 横山春喜

第163回教育工学研究会, Mar 19, 2018
Siﾄﾞｰﾌﾟｐ型GaAsSbの正孔散乱機構解析

森友希, 横山春喜

第163回教育工学研究会, Mar 19, 2018
温泉水からの元素抽出技術に関する研究 I

曽我有紀, 久保田悦司, 横山春喜

第23回高専シンポジウム, Jan, 2018
温泉水からの元素抽出技術に関する研究 Ⅱ

久保田悦司, 曽我有紀, 横山春喜

第23回高専シンポジウム, Jan, 2018
足底圧重心軌跡計測システムの開発

杉田有哉, 西澤一騎, 酒井拓磨, 犬塚勝美, 横山春喜

平成29年電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2017年, Sep, 2017
Siﾄﾞｰﾌﾟｎ型GaAsSbの電気的特性評価

河端一輝, 森友希, 横山春喜

第22回高専シンポジウム, Jan, 2017
Si ドープGaAs0.51Sb0.49 層の正孔移動度評価

森友希, 横山春喜

平成28年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会, 2016
GaAs傾斜基板上InGaP量子細線状構造の自己形成における積層数の影響

満原学, 渡邉則之, 横山春喜, 重川直輝

第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015
GaSb基板の熱処理条件最適化

横山春喜, 星拓哉, 杉山弘樹, 西康一, 竹中充, 高木信一

第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015
高正孔濃度GaAsSbコンタクト層を有するGaAsSb/InGaAsSbベースDHBTのMOCVD成長

星拓也, 柏尾典秀, 杉山弘樹, 横山春喜, 栗島賢二, 井田実, 松崎秀昭

第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015
Si上フロントゲートInAs/GaSb-OI p-MOSFETの移動度向上

西康一, 横山正史, 横山春喜, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

第62回応用物理学会春季学術講演会, 2015

Teaching Experience

Professional Memberships

Research Projects

構造相転移を電圧で制御する新規高機能マイクロアクチュエータの開発

科学研究費助成事業, 基盤研究(C), 日本学術振興会, Apr, 2020 - Mar, 2023

横山春喜
Study on acceptor level and thermal stability of Si-doped p-type GaAsSb

Grants-in-Aid for Scientific Research, Grant-in-Aid for Scientific Research (C), Japan Society for the Promotion of Science, Apr, 2017 - Mar, 2020

Yokoyama Haruki

Industrial Property Rights

特許6240061 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

星拓也, 柏尾典秀, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6193738 半導体薄膜の作製方法およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ

星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6152070 貼り合わせ用ＩｎＧａＳｂ積層構造基板

横山春喜, 星拓也
特許6130774 半導体素子とその作製方法

横山春喜, 星拓也
特許6096569 ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法

星拓也, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許6030416 アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 井田実
特開2016-174071 結晶成長方法

横山春喜, 星拓也, 杉山弘樹
特許5992867 アバランシェフォトダイオード

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 松崎秀昭, 石橋忠夫
特許5970408 シリコン基板上のＩｎＧａＳｂ薄膜の作製方法

横山春喜, 小林康之
特許5863069 半導体装置及び製造方法

横山春喜, 横山正史, 高木信一, 竹中充
特許5844445 アバランシ・フォトダイオード

石橋忠夫, 安藤精後, 名田允洋, 村本好史, 横山春喜
特許5841021 アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法

名田允洋, 村本好史, 横山春喜, 児玉聡, 石橋忠夫
特許5833491 半導体薄膜およびその製造方法

星拓也, 杉山弘樹, 横山春喜
特許5739357 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

星拓也, 栗島賢二, 杉山弘樹, 横山春喜
特許5723320 光変調導波路

廣木正伸, 渡邉則之, 横山春喜, 都築健, 藤澤剛
特許5700561 受光素子

名田允洋, 村本好史, 児玉聡, 堤卓也, 横山春喜, 石橋忠夫
特許5648915 共鳴トンネルダイオードおよびテラヘルツ発振器

杉山弘樹, 横山春喜, 鈴木左文, 浅田雅洋
特許5649219 半導体装置

石橋忠夫, 安藤精後, 村本好史, 吉松俊英, 横山春喜
特開2014-220464 アンチモン系ｐ型化合物半導体の積層構造

横山春喜, 星拓也
特許5600082 化合物半導体結晶の製造方法

横山春喜, 重川直輝, 杉山弘樹, 星拓也

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Papers

Misc.

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