醍醐佳明 (Yoshiaki Daigo) - マイポータル

基本情報

学位: 博士(東京電機大学大学院博士後期課程)

J-GLOBAL ID: 201501088212239607
researchmap会員ID: B000243556

研究分野

受賞

2020年12月

Best Award, Reduction of harmful effect due to by-product in CVD reactor for 4H-SiC epitaxy, ISSM2020(INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING)

Yoshiaki Daigo, Toru Watanabe, Akio Ishiguro, Shigeaki Ishii, Mitsuhiro Kushibe, Yoshikazu Moriyama

主要な論文

2

Impacts of surface C/Si ratio on in-wafer uniformity and defect density of 4H-SiC homo-epitaxial films grown by high-speed wafer rotation vertical CVD

Daigo, Y., Ishii, S., Kobayashi, T.

Japanese Journal of Applied Physics 58(SB) SBBK06-SBBK06 2019年査読有り筆頭著者責任著者
0

Improved luminescence from InGaN/GaN MQWs by reducing initial nucleation density using sputtered AlN on sapphire substrate

Wang, H., Sodabanlu, H., Daigo, Y., Seino, T., Nakagawa, T., Sugiyama, M.

Journal of Crystal Growth 465 12-17 2017年査読有り
0

Effect of initial growth on the quality of GaN on patterned sapphire substrate with ex situ physical vapor deposition AlN seed layer

Wang, H., Daigo, Y., Seino, T., Ishibashi, S., Sugiyama, M.

Japanese Journal of Applied Physics 55(10) 105501-105501 2016年査読有り
0

Initial growth control of GaN on Si with physical-vapor-deposition-AlN seed layer for high-quality GaN templates

Wang, H., Sodabanlu, H., Daigo, Y., Seino, T., Nakagawa, T., Sugiyama, M.

Applied Physics Express 9(5) 055503-055503 2016年査読有り
0

Synthesis of epitaxial GaN single-crystalline film by ultra high vacuum r.f. magnetron sputtering method

Daigo, Y., Mutsukura, N.

Thin Solid Films 483(1-2) 38-43 2005年査読有り筆頭著者

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MISC

低濃度ClF₃ガスによるSiC膜脱離を活用したSiCエピ装置クリーニング

間明田巧, 滝澤唯夏, 羽深等, 石黒暁夫, 石井成明, 醍醐佳明, 伊藤英樹, 水島一郎, 高橋至直

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
SiC膜脱離を活用したSiCエピ成長装置の短時間クリーニング

間明田巧, 林優也, 羽深等, 石黒暁夫, 石井成明, 醍醐佳明, 伊藤英樹, 水島一郎, 高橋至直

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2668-2668 2021年
三フッ化塩素ガスを用いた炭化珪素CVD装置高速クリーニング法

林優也, 間明田巧, 羽深等, 石黒暁夫, 石井成明, 醍醐佳明, 伊藤英樹, 水島一郎, 高橋至直

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2131-2131 2020年
4H-SiC(0001)表面近傍における炭素空孔の取り込みやすさの解析

中島響, 醍醐佳明, 水島一郎, 水島一郎, 依田孝, 依田孝, 長川健太, 白石賢二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2149-2149 2020年
HCl環境下でのSiC CVD成長における気相反応と表面構造の予測

長川健太, 醍醐佳明, 水島一郎, 水島一郎, 依田孝, 依田孝, 白石賢二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 3152-3152 2020年
縦型結晶成長装置におけるGaN MOVPEシミュレーション

富澤巧, 川上賢人, 櫻井照夫, 草場彰, 岡本直也, 芳松克則, 醍醐佳明, 水島一郎, 水島一郎, 依田孝 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 3152-3152 2019年
超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成長

藤井航, 山崎卓, 土井千晶, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 52nd(1) 2005年
高周波プラズマCVD法により成膜したa-CNx:H薄膜のEL素子への応用

柳佳宏, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

21世紀連合シンポジウム論文集 3rd 2004年
高周波マグネトロンスパッタリング法によるInN薄膜の構造および光学的性質 (I)

土井千晶, 牛玖由紀子, 菊地貴裕, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 51st(2) 2004年
高周波マグネトロンスパッタリング法によるInN薄膜の構造および光学的性質 (II)

醍醐佳明, 山崎卓, 土井千晶, 福井勉, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 51st(2) 2004年
高周波マグネトロンスパッタリング法によるAlN薄膜の成膜

山崎卓, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜, 金田輝男, 斎藤啓介

応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th(2) 2004年
a-CNx:H薄膜を用いたEL素子の開発

柳佳宏, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th(2) 2004年
超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜したAlN薄膜の構造

醍醐佳明, 山崎卓, 土井千晶, 篠田宏之, 六倉信喜, 斎藤啓介

応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th(1) 2004年
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜(1)基板温度および基板材料の検討

牛玖由紀子, 醍醐佳明, 篠田宏之

21世紀連合シンポジウムー科学技術と人間-論文集 / 21世紀連合シンポジウム企画運営委員会 [編] 2 295-298 2003年11月16日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜(2)成膜圧力の検討

福井勉, 醍醐佳明, 篠田宏之

21世紀連合シンポジウムー科学技術と人間-論文集 / 21世紀連合シンポジウム企画運営委員会 [編] 2 299-302 2003年11月16日
高周波プラズマCVD法によるa-C:H薄膜の構造と機械的特性

伊藤丈二, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 50th(2) 2003年
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (V)

福井勉, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜, 金田輝男

応用物理学会学術講演会講演予稿集 64th(2) 2003年
プラズマCVD法およびスパッタリング法によるa-CN_x膜の構造と光学的性質

醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 64th(2) 2003年
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (IV)

牛玖由紀子, 土井千晶, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 64th(2) 2003年
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (I)

福井勉, 土井千晶, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 50th(2) 2003年

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講演・口頭発表等

超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成長

藤井航, 山崎卓, 土井千晶, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2005年3月29日
超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜したAlN薄膜の構造

醍醐佳明, 山崎卓, 土井千晶, 篠田宏之, 六倉信喜, 斎藤啓介

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年9月1日
a‐CNx:H薄膜を用いたEL素子の開発

柳佳宏, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年9月1日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるAlN薄膜の成膜

山崎卓, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜, 金田輝男, 斎藤啓介

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年9月1日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるInN薄膜の構造および光学的性質 (II)

醍醐佳明, 山崎卓, 土井千晶, 福井勉, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年3月28日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるInN薄膜の構造および光学的性質 (I)

土井千晶, 牛玖由紀子, 菊地貴裕, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年3月28日
a‐C:H薄膜を用いたEL素子の開発

荒井俊光, 安原淳, 柳佳宏, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2003年8月30日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (IV)

牛玖由紀子, 土井千晶, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2003年8月30日
プラズマCVD法およびスパッタリング法によるa‐CN_x膜の構造と光学的性質

醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2003年8月30日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (V)

福井勉, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜, 金田輝男

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2003年8月30日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (II)

牛玖由紀子, 戸羽健夫, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (III)

醍醐佳明, 牛玖由紀子, 福井勉, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるa‐CN_x薄膜の成膜 (VII)

醍醐佳明, 小沢裕, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN薄膜の成膜 (I)

福井勉, 土井千晶, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日
高周波プラズマCVD法によるa‐C:H薄膜の構造と機械的特性

伊藤丈二, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月27日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるa‐CN_x薄膜の成膜 VI

永井伸典, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2002年9月24日
CH₄/N₂高周波プラズマによるa‐CN_x:H膜の成膜 (V)

醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2002年3月27日
高周波マグネトロンスパッタリング法によるa‐CN_x薄膜の成膜 (V)

永井伸典, 牛玖由紀子, 醍醐佳明, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2002年3月27日
CH₄/N₂高周波プラズマによるa‐CN_x:H膜の成膜 (VI)

醍醐佳明, 小沢裕, 篠田宏之, 六倉信喜

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2002年3月27日
CH₄/N₂高周波プラズマによるa‐CN_x:H膜の成膜とその応用

醍醐佳明, 小沢裕, 篠田宏之, 六倉信喜

電気化学会大会講演要旨集 2002年3月25日