特許権 窒化物半導体層の成膜方法及び半導体装置の製造方法 キヤノンアネルバ株式会社 醍醐 佳明 出願番号 特願2015-548510 出願日 2015年3月17日 特許番号/登録番号 特許第6001194号 登録日 2016年9月9日 発行日 2016年9月9日 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201603000379442243URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201603000379442243 ID情報 J-Global ID : 201603000379442243