特許権 成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置 キヤノンアネルバ株式会社 醍醐 佳明, 清野 拓哉, 大塚 喜隆, 牧田 裕之, 石橋 奏太朗, 山中 和人 出願番号 特願2016-537730 出願日 2015年7月9日 特許番号/登録番号 特許第6196384号 登録日 2017年8月25日 発行日 2017年8月25日 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201703012733163425URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201703012733163425 ID情報 J-Global ID : 201703012733163425
