本研究では、Si(111)表面にハフニウムジシリサイド（HfSi₂）を作製し、異なる並進運動エネルギーを持った超音速酸素分子線を照射した直後に放射光軟X線光電子分光法を行うことで、その酸化過程と反応障壁に関する研究を行った。得られたHf 4f、Si 2p、O 1s内殻光電子スペクトルを成分分離し、比較することで、直接解離吸着における表面構造に由来した反応障壁高さの違いを議論する。