徳田雄一郎 (Yuichiro Tokuda) - マイポータル

基本情報

所属: 株式会社デンソー

学位: 博士（工学）(2018年9月京都大学)

J-GLOBAL ID: 202001012638685986
researchmap会員ID: R000001031

研究分野

ナノテク・材料 / 無機材料、物性 /

学歴

2015年5月 - 2018年9月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻
2007年4月 - 2009年3月

東京大学, 大学院工学系研究科, 精密工学専攻
2003年4月 - 2007年3月

東京大学, 工学部, システム創成学科

主要な受賞

2019年9月

Poster Award, SSDM2019

Yuichiro Tokuda, Hideyuki Uehigashi, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida
2018年11月

研究発表奨励賞, 応用物理学会結晶工学分科会 x ISYSE

徳田雄一郎, 上東秀幸, 岡本武志, 神田貴裕, 大矢信之, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

主要な論文

Fast 4H-SiC Bulk Growth by High-Temperature Gas Source Method

Yuichiro Tokuda, Norihiro Hoshino, Hironari Kuno, Hideyuki Uehigashi, Takeshi Okamoto, Takahiro Kanda, Nobuyuki Ohya, Isaho Kamata, Hidekazu Tsuchida

Materials Science Forum 1004 5-13 2020年7月査読有り筆頭著者
Fabrication of 4H-SiC PiN diodes on substrate grown by HTCVD method

Yuichiro Tokuda, Hideyuki Uehigashi, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 SGGD07 2020年2月査読有り筆頭著者
Glide of C-core partial dislocations along edges of expanding double-Shockley stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC

Yuichiro Tokuda, Isaho Kamata, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(12) 121005 2019年11月査読有り筆頭著者
Glide velocities of Si-core partial dislocations for double-Shockley stacking fault expansion in heavily nitrogen-doped SiC during high-temperature annealing

Y. Tokuda, I. Kamata, T. Miyazawa, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

Journal of Applied Physics 124(2) 025705-025705 2018年7月14日査読有り
Structural analysis of double-layer Shockley stacking faults formed in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC during annealing

Y. Tokuda, T. Yamashita, I. Kamata, T. Naijo, T. Miyazawa, S. Hayashi, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto …

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122(4) 2017年7月査読有り筆頭著者
Observation of double Shockley stacking fault expansion in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC using PL technique

Y. Tokuda, I. Kamata, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 889-893 2017年6月査読有り筆頭著者
Stable and high-speed SiC bulk growth without dendrites by the HTCVD method

Yuichiro Tokuda, Emi Makino, Naohiro Sugiyama, Isaho Kamata, Norihiro Hoshino, Jun Kojima, Kazukuni Hara, Hidekazu Tsuchida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 448 29-35 2016年8月査読有り筆頭著者
4H-SiC Bulk Growth Using High-Temperature Gas Source Method

Yuichiro Tokuda, Jun Kojima, Kazukuni Hara, Hidekazu Tsuchida, Shoichi Onda

Materials Science Forum 778-780 51-54 2014年2月査読有り

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MISC

窒化ガリウムとガリウム砒素およびシリコンの常温接合

日暮栄治, 徳田雄一郎, 若松嗣治, 赤池正剛, 須賀唯知

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(3) 2007年

主要な講演・口頭発表等

Fast 4H-SiC Bulk Growth by High-Temperature Gas Source Method

Yuichiro Tokuda, Norihiro Hoshino, Hironari Kuno, Hideyuki Uehigashi, Takeshi Okamoto, Takahiro Kanda, Nobuyuki Ohya, Isaho Kamata, Hidekazu Tsuchida

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月3日招待有り
Fabrication of 4H-SiC PiN Diodes on Substrate Grown by HTCVD Method

Y. Tokuda, H. Uehigashi, K. Murata, H. Tsuchida,

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月4日
Structure and Glide Velocity of Leading Partials for Expanding Double Shockley Stacking Faults in n+-Type 4H-SiC

Y. Tokuda, I. Kamata, T. Yamashita, T. Naijo, T. Miyazawa, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016 2016年9月26日
Dislocation velocity of Shockley partials for stacking fault expansion in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC

Y. Tokuda, I. Kamata, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2016年8月12日
High Speed 4H-SiC Bulk Growth under High Source Gas Concentration Using High Temperature Gas Source Method

Y. Tokuda, E. Makino, N. Sugiyama, N. Hoshino, J. Kojima, H. Tsuchida

7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2015年3月27日
4H-SiC Bulk Growth Using High-Temperature Gas Source Method

Y. Tokuda, J. Kojima, H. Kazukuni, H. Tsuchida, S. Onda

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 2013年9月30日

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徳田雄一郎

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学歴

主要な受賞

主要な論文

MISC

主要な講演・口頭発表等

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