徳田雄一郎 (Yuichiro Tokuda) - マイポータル

基本情報

学位: 博士（工学）(2018年9月京都大学)

J-GLOBAL ID: 202001012638685986
researchmap会員ID: R000001031

研究分野

ナノテク・材料 / 無機材料、物性 /

学歴

2015年5月 - 2018年9月

京都大学, 大学院工学研究科, 電子工学専攻
2007年4月 - 2009年3月

東京大学, 大学院工学系研究科, 精密工学専攻
2003年4月 - 2007年3月

東京大学, 工学部, システム創成学科

主要な受賞

2019年9月

Poster Award, SSDM2019

Yuichiro Tokuda, Hideyuki Uehigashi, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida
2018年11月

研究発表奨励賞, 応用物理学会結晶工学分科会 x ISYSE

徳田雄一郎, 上東秀幸, 岡本武志, 神田貴裕, 大矢信之, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

主要な論文

Fast 4H-SiC Bulk Growth by High-Temperature Gas Source Method

Yuichiro Tokuda, Norihiro Hoshino, Hironari Kuno, Hideyuki Uehigashi, Takeshi Okamoto, Takahiro Kanda, Nobuyuki Ohya, Isaho Kamata, Hidekazu Tsuchida

Materials Science Forum 1004 5-13 2020年7月査読有り筆頭著者
Fabrication of 4H-SiC PiN diodes on substrate grown by HTCVD method

Yuichiro Tokuda, Hideyuki Uehigashi, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 SGGD07 2020年2月査読有り筆頭著者
Glide of C-core partial dislocations along edges of expanding double-Shockley stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC

Yuichiro Tokuda, Isaho Kamata, Norihiro Hoshino, Hidekazu Tsuchida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(12) 121005 2019年11月査読有り筆頭著者
Glide velocities of Si-core partial dislocations for double-Shockley stacking fault expansion in heavily nitrogen-doped SiC during high-temperature annealing

Y. Tokuda, I. Kamata, T. Miyazawa, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

Journal of Applied Physics 124(2) 025705-025705 2018年7月14日査読有り筆頭著者
Structural analysis of double-layer Shockley stacking faults formed in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC during annealing

Y. Tokuda, T. Yamashita, I. Kamata, T. Naijo, T. Miyazawa, S. Hayashi, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto …

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122(4) 2017年7月査読有り筆頭著者
Observation of double Shockley stacking fault expansion in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC using PL technique

Y. Tokuda, I. Kamata, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 889-893 2017年6月査読有り筆頭著者
Stable and high-speed SiC bulk growth without dendrites by the HTCVD method

Yuichiro Tokuda, Emi Makino, Naohiro Sugiyama, Isaho Kamata, Norihiro Hoshino, Jun Kojima, Kazukuni Hara, Hidekazu Tsuchida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 448 29-35 2016年8月査読有り筆頭著者
4H-SiC Bulk Growth Using High-Temperature Gas Source Method

Yuichiro Tokuda, Jun Kojima, Kazukuni Hara, Hidekazu Tsuchida, Shoichi Onda

Materials Science Forum 778-780 51-54 2014年2月査読有り筆頭著者

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MISC

Na₂CoP₂O₇の相制御と活物質特性

坂井穣, 岡部祐海, 長谷山秀悦, 依田孝次, 中村亨, 徳田雄一郎, 小林剛

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 37th 2024年
酸化物型全固体ナトリウムイオン電池におけるNa₄Ni₃(PO₄)₂P₂O₇の充放電挙動

小林剛, 小宮世紀, 岡部祐海, 坂井穣, 依田孝次, 長谷山秀悦, 中村亨, 徳田雄一郎

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 37th 2024年
バレルスパッタ法で修飾された正極活物質粒子の酸化物全固体ナトリウムイオン電池への適用

岡部祐海, 依田孝次, 坂井穣, 中村亨, 徳田雄一郎, 小林剛

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 37th 2024年
全固体Naイオン電池のオペランドSEM-EDS観察

山本和生, 沓澤大, 小林剛, 徳田雄一郎, 坂井穣, 平岡紘次, 関志朗

JFCC研究成果集 2023 2023年
正極活物質Na₄Ni₃(PO₄)₂P₂O₇の湿式プロセスにおける単相化

坂井穣, 岡部祐海, 依田孝次, 中村亨, 徳田雄一郎, 小林剛, 関志朗, 山本和生, 加藤丈晴

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 36th 2023年
高温ガス法による高速4H-SiCバルク結晶成長における転位密度低減

星乃紀博, 鎌田功穂, 神田貴裕, 徳田雄一郎, 久野裕也, 土田秀一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
ナシコン固体電解質を用いた全固体ナトリウム電池の開発

小林剛, 沓澤大, 藤原優衣, 小宮世紀, 関志朗, 山本和生, 岡部祐海, 坂井穣, 徳田雄一郎

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 35th 2022年
全固体Naイオン電池のオペランドSEM-EDS観察

山本和生, 佐野蓉子, 有賀純子, 横江大作, 加藤丈晴, 平岡紘次, 関志朗, 坂井穣, 徳田雄一郎, 小林剛

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 35th 2022年
Na₃Zr₂Si₂PO₁₂の低温焼結に向けたホウ酸ナトリウム系焼結助剤の探索

岡部祐海, 坂井穣, 中村亨, 徳田雄一郎, 関志朗, 平岡紘次, 小林剛, 沓澤大

日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web) 35th 2022年
ホットプレス焼結で作成した大型全酸化物全固体ナトリウムイオン二次電池

坂井穣, 岡部祐海, 依田孝次, 中村亨, 徳田雄一郎, 関志朗, 山本和生, 沓澤大, 小林剛

電池討論会PDF要旨集(CD-ROM) 63rd 2022年
全固体Naイオン電池のオペランド観察技術と応用解析

山本和生, 佐野蓉子, 有賀純子, 横江大作, 加藤丈晴, 平岡紘次, 関志朗, 坂井穣, 徳田雄一郎, 小林剛

電池討論会PDF要旨集(CD-ROM) 63rd 2022年
高容量化を目指したオール酸化物型全固体ナトリウム電池の開発

小林剛, 沓澤大, 藤原優衣, 西美奈, 小宮世紀, 関志朗, 山本和生, 岡部祐海, 坂井穣, 徳田雄一郎

電池討論会PDF要旨集(CD-ROM) 63rd 2022年
助剤にホウ酸ナトリウムを用いた低温焼結型Na₃Zr₂Si₂PO₁₂の作製・評価

岡部祐海, 坂井穣, 依田孝次, 中村亨, 徳田雄一郎, 小林剛, 沓澤大, 関志朗, 平岡紘次, 山本和生

電池討論会PDF要旨集(CD-ROM) 63rd 2022年
高温ガス成長法によるΦ6inch 4H-SiC結晶の開発

神田貴裕, 岡本武志, 徳田雄一郎, 鈴木玄, 大矢信之, 牧野英美, 上東秀幸, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 3293-3293 2019年2月25日
高温ガス成長法による高速レートでのφ４"長尺4H-SiC結晶の成長

徳田雄一郎, 久野裕也, 上東秀幸, 岡本武志, 神田貴裕, 大矢信之, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 3066-3066 2019年2月25日
ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶における厚さ方向の転位密度変化

星乃紀博, 鎌田功穂, 徳田雄一郎, 神田貴裕, 杉山尚宏, 土田秀一

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 3294-3294 2019年2月25日
熱処理によって高密度窒素ドープ4H-SiC結晶中に発生するダブルショックレー型積層欠陥の構造解析—Structural Analysis of Double-Layer Shockley Stacking Faults Formed in Heavily-Nitrogen-Doped 4H-SiC during Annealing—特集基盤技術 ; 半導体/センサ

徳田雄一郎, 山下任, 加藤智久, 奥村元, 星乃紀博, 宮澤哲哉, 鎌田功穂, 土田秀一, 木本恒暢

Denso technical review / デンソーテクニカルレビュー編 23 77-93 2018年
ガス成長法による4H-SiCバルク単結晶成長の開発

牧野英美, 徳田雄一郎, 神田貴裕, 杉山尚宏, 久野裕也, 小島淳, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一

化学工学会秋季大会研究発表講演要旨集(CD-ROM) 49th 2017年
レジスト表面形状の計測（第七報）—メンブレン挙動に基づいたプローブ変位算出方法の検討

徳田雄一郎, 渡邉健太郎, 高橋哲, 高増潔

精密工学会学術講演会講演論文集 2009S 473-474 2009年
レジスト表面形状の計測（第六報）—２次元独立プローブを有するマルチトポセンサの開発

徳田雄一郎, 高橋哲, 高増潔

精密工学会学術講演会講演論文集 2008A 273-274 2008年

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主要な講演・口頭発表等

Fast 4H-SiC Bulk Growth by High-Temperature Gas Source Method

Yuichiro Tokuda, Norihiro Hoshino, Hironari Kuno, Hideyuki Uehigashi, Takeshi Okamoto, Takahiro Kanda, Nobuyuki Ohya, Isaho Kamata, Hidekazu Tsuchida

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019年10月3日招待有り
Fabrication of 4H-SiC PiN Diodes on Substrate Grown by HTCVD Method

Y. Tokuda, H. Uehigashi, K. Murata, H. Tsuchida,

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月4日
Structure and Glide Velocity of Leading Partials for Expanding Double Shockley Stacking Faults in n+-Type 4H-SiC

Y. Tokuda, I. Kamata, T. Yamashita, T. Naijo, T. Miyazawa, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2016 2016年9月26日
Dislocation velocity of Shockley partials for stacking fault expansion in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC

Y. Tokuda, I. Kamata, N. Hoshino, T. Kato, H. Okumura, T. Kimoto, H. Tsuchida

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2016年8月12日
High Speed 4H-SiC Bulk Growth under High Source Gas Concentration Using High Temperature Gas Source Method

Y. Tokuda, E. Makino, N. Sugiyama, N. Hoshino, J. Kojima, H. Tsuchida

7th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2015年3月27日
4H-SiC Bulk Growth Using High-Temperature Gas Source Method

Y. Tokuda, J. Kojima, H. Kazukuni, H. Tsuchida, S. Onda

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 2013年9月30日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

孤立・極限環境に適用可能な酸化物型全固体電池の開発

科学技術振興機構戦略的な研究開発の推進経済安全保障重要技術育成プログラム 2025年6月 - 2029年5月

高田和典
再生可能エネルギーの地産地消を実現する高容量・高安全な全固体電池の材料開発

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 2023年度新エネルギー等のシーズ発掘・事業化に向けた技術研究開発事業 H-1低コストで信頼性の高い蓄電池の製造に資する技術の開発 2023年4月 - 2024年12月
電力貯蔵用高安全・低コスト二次電池の研究開発

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構２０２０年度追加公募エネルギー・環境新技術先導研究プログラム再生可能エネルギーの大量導入及びレジリエンス強化のための電力系統制御等に関する技術 2021年4月 - 2024年3月

産業財産権

特許第7628495号空隙および下部閉鎖要素を有する堆積反応器のための反応チャンバならびに反応器

コリア、フランチェスコ, クリッパ、ダニロ, メスチア、マウリリオ, プレーティ、シルヴィオ, 徳田雄一郎
特許第7536770号半導体材料の堆積のための回転要素および反応器を備えた反応チャンバ

コリア、フランチェスコ, クリッパ、ダニロ, メスチア、マウリリオ, 徳田雄一郎
特許第7393900号炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

鎌田功穂, 土田秀一, 星乃紀博, 徳田雄一郎, 岡本武志
特許第7363423号炭化珪素単結晶の製造方法

堀合慧祥, 徳田雄一郎, 土田秀一, 鎌田功穂, 星乃紀博
特許第7095385号浸炭部品の製造方法

久野裕也, 徳田雄一郎
特許第7024622号炭化珪素単結晶およびその製造方法

徳田雄一郎, 上東秀幸, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一
特開2021-088469 炭化珪素単結晶およびその製造方法

堀合慧祥, 徳田雄一郎, 土田秀一, 鎌田功穂, 星乃紀博
特開2021-050112 炭化珪素単結晶ウェハ及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

鎌田功穂, 土田秀一, 星乃紀博, 徳田雄一郎, 岡本武志
特許第6755524号 p型4H-SiC単結晶及びp型4H-SiC単結晶の製造方法

江藤数馬, 加藤智久, 周防裕政, 徳田雄一郎
特開2019-218229 炭化珪素単結晶およびその製造方法

徳田雄一郎, 上東秀幸, 星乃紀博, 鎌田功穂, 土田秀一
特開2019-196518 浸炭部品の製造方法

久野裕也, 徳田雄一郎
特許第6268761号炭化珪素単結晶の製造方法

牧野英美, 小島淳, 徳田雄一郎, 土田秀一, 鎌田功穂, 星乃紀博
特許第6187372号炭化珪素単結晶製造装置

徳田雄一郎
特開2017-065959 p型4H-SiC単結晶及びp型4H-SiC単結晶の製造方法

江藤数馬, 加藤智久, 周防裕政, 徳田雄一郎
特開2016-216303 炭化珪素単結晶製造装置

徳田雄一郎, 小島淳
特許第6052051号炭化珪素単結晶の製造装置

徳田雄一郎
特許第5900238号炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法

徳田雄一郎, 原一都
特許第5867335号炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法

徳田雄一郎
特開2015-202973 炭化珪素単結晶製造装置

徳田雄一郎
特許第5696804号炭化珪素単結晶の製造装置

徳田雄一郎

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徳田雄一郎

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学歴

主要な受賞

主要な論文

MISC

主要な講演・口頭発表等

共同研究・競争的資金等の研究課題

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