熊谷勇喜 (Yuki Kumagai) - マイポータル

基本情報

所属: 豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科准教授

学位: 博士（工学）(東北大学)

J-GLOBAL ID: 201801013513523117
researchmap会員ID: B000292799

研究キーワード

半導体工学

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2018年4月 - 現在

豊田工業高等専門学校, 電気・電子システム工学科

受賞

2014年9月

優秀論文賞, Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species, 応用物理学会

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Xiang Li, Yukihisa Nakao, Masashi Yamamoto, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori

論文

Improvement of Non-Uniform Temperature Distributions in Intrinsic Josephson Junction Stacks

Dai Oikawa, Keita Tsuzuki, Yuki Kumagai, Haruki Mitarai, Hiroya Andoh, Toko Sugiura, Takehiko Tsukamoto

IEEE TRANSACTIONS ON APPLIED SUPERCONDUCTIVITY 31(5) 2021年8月
Numerical analysis of temperature and current distributions in large-size intrinsic Josephson junctions with self-heating

Dai Oikawa, Haruki Mitarai, Hiromi Tanaka, Keita Tsuzuki, Yuki Kumagai, Toko Sugiura, Hiroya Andoh, Takehiko Tsukamoto

AIP ADVANCES 10(8) 2020年8月
10Mfps 960 Frames Video Capturing Using a UHS Global Shutter CMOS Image Sensor with High Density Analog Memories

Manabu Suzuki, Masashi Suzuki, Rihito Kuroda, Yuki Kumagai, Akira Chiba, Noriyuki Miura, Naoya Kuriyama, Shigetoshi Sugawa

2017 International Image Sensor Workshop 308-311 2017年5月31日査読有り
An over 1Mfps global shutter CMOS image sensor with 480 frame storage using vertical analog memory integration

M. Suzuki, M. Suzuki, R. Kuroda, Y. Kumagai, A. Chiba, N. Miura, N. Kuriyama, S. Sugawa

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 8.5.1-8.5.4 2017年1月31日査読有り
An Over 1Mfps Global Shutter CMOS Image Sensor with 480 Frame Storage Using Vertical Analog Memory Integration

M. Suzuki, M. Suzuki, R. Kuroda, Y. Kumagai, A. Chiba, N. Miura, N. Kuriyama, S. Sugawa

2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 2016年査読有り
Introduction of Atomically Flattening of Si Surface to Large-Scale Integration Process Employing Shallow Trench Isolation

Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Naoya Akagawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Toshiki Obara, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Yutaka Kamata …

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 5(2) P67-P72 2016年査読有り
Electrical Properties of MOSFETs Introducing Atomically Flat Gate Insulator/Silicon Interface

Tetsuya GOTO, Rihito KURODA, Tomoyuki SUWA, Akinobu TERAMOTO, Toshiki OBARA, Daiki KIMOTO, Shigetoshi SUGAWA, Yutaka KAMATA, Yuki KUMAGAI, Katsuhiko SHIBUSAWA

IEICE Technical Report, Silicon Devices and Materials SDM2017-74 17-22 2015年10月査読有り
Atomically flattening of Si surface of silicon on insulator and isolation-patterned wafers

Tetsuya Goto, Rihito Kuroda, Naoya Akagawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Xiang Li, Toshiki Obara, Daiki Kimoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 2015年4月査読有り
Low temperature atomically flattening of Si surface of shallow trench isolation pattern

T. Goto, R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, N. Akagawa, D. Kimoto, S. Sugawa, T. Ohmi, Y. Kamata, Y. Kumagai …

ECS Transactions 66(5) 285-292 2015年査読有り
Low temperature atomically flattening of Si surface of shallow trench isolation pattern

T. Goto, R. Kuroda, T. Suwa, A. Teramoto, N. Akagawa, D. Kimoto, S. Sugawa, T. Ohmi, Y. Kamata, Y. Kumagai …

ECS Transactions 66(5) 285-292 2015年査読有り
A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80 000 MOSFETs in 80 s

Takuya Inatsuka, Yuki Kumagai, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING 26(3) 288-295 2013年8月査読有り
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species (vol 52, 031302, 2013)

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Xiang Li, Yukihisa Nakao, Masashi Yamamoto, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(6) 2013年6月査読有り
Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Xiang Li, Yukihisa Nakao, Masashi Yamamoto, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(3) 2013年3月査読有り
Demonstrating Distribution of SILC Values at Individual Leakage Spots

Takuya Inatsuka, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Yuki Kumagai, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

2013 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM (IRPS) GD.5.1 2013年査読有り
Changes in SiO2/Si(100) Interface Structure Induced by Forming Gas Annealing

Tomoyuki Suwa, Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

221st Meeting of The Electrochemical Society Abs.712 2012年5月査読有り
Recovery Characteristics of Anomalous Stress-Induced Leakage Current of 5.6nm Oxide Films

Takuya Inatsuka, Yuki Kumagai, Rihito Kuroda, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(4) 2012年4月査読有り
A Test Circuit for Extremely Low Gate Leakage Current Measurement of 10 aA for 80,000 MOSFETs in 80 s

Y. Kumagai, T. Inatsuka, R. Kuroda, A. Teramoto, T. Suwa, S. Sugawa, T. Ohmi

2012 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES (ICMTS) 131-136 2012年査読有り
Influence of Forming Gas Annealing on SiO2/Si(100) Interface Structures Formed Utilizing Oxygen Molecules Different From That Utilizing Oxygen Radicals

Tomoyuki Suwa, Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 5: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING -AND-TUTORIALS IN NANOTECHNOLOGY: MORE THAN MOORE - BEYOND CMOS EMERGING MATERIALS AND DEVICES 45(3) 453-460 2012年査読有り
Evaluation for Anomalous Stress-Induced Leakage Current of Gate SiO2 Films Using Array Test Pattern

Yuki Kumagai, Akinobu Teramoto, Takuya Inatsuka, Rihito Kuroda, Tomoyuki Suwa, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 58(10) 3307-3313 2011年10月査読有り
Large-Scale Test Circuits for High-Speed and Highly Accurate Evaluation of Variability and Noise in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Electrical Characteristics

Yuki Kumagai, Kenichi Abe, Takafumi Fujisawa, Shunichi Watabe, Rihito Kuroda, Naoto Miyamoto, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(10) 2011年10月査読有り

もっとみる

MISC

高専におけるサイクロトロンをはじめとした加速器製作活動

熊谷勇喜, 芦塚悠世, 下堂薗弘貴, 斎藤栄輔, 岡本恵太, 佐々井祐二, 三宅望々香, 長尾和樹, 小暮聡, 高梨宇宙 …

加速器 20(4) 2024年
極低温下におけるPN接合特性の評価と評価環境の検討

大塚冬偉, 及川大, 熊谷勇喜

令和5年度電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会 2023年8月
固有接合内部のc軸方向における温度分布の数値解析

及川大, 都築啓太, 熊谷勇喜, 安藤浩哉, 杉浦籐虎, 塚本武彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
温度分布を有するメサ型固有接合素子における同期現象の検討

及川大, 都築啓太, 熊谷勇喜, 安藤浩哉, 杉浦籐虎, 塚本武彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
自己フラックス法におけるBi2212単結晶育成の融剤付加効果

水谷有希, 三井俊樹, 及川大, 都築啓太, 熊谷勇喜, 杉浦藤虎, 安藤浩哉, 塚本武彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
立体交差型Bi-2212超伝導デバイスの特性評価

竹内響, 及川大, 都築啓太, 熊谷勇喜, 杉浦藤虎, 安藤浩哉, 塚本武彦

電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会講演論文集(CD-ROM) 2020 2020年
大型固有ジョセフソン接合内部の温度分布の数値解析

御手洗陽紀, 及川大, 田中博美, 都築啓太, 熊谷勇喜, 安藤浩哉, 杉浦藤虎, 塚本武彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
フラックス法により育成されたBi2212単結晶の融剤添加効果

及川大, 田中博美, 三井俊樹, 水谷有希, 都築啓太, 熊谷勇喜, 安藤浩哉, 杉浦籐虎, 塚本武彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
高密度アナログメモリを搭載した超高速グローバルシャッタCMOSイメージセンサ

鈴木学, 鈴木将, 黒田理人, 熊谷勇喜, 千葉亮, 三浦規之, 栗山尚也, 須川成利

映像情報メディア学会技術報告 41(10(IST2017 8-19)) 7‐10-10 2017年3月3日
Introduction of Atomically Flattening of Silicon Surface in Shallow Trench Isolation Process Technology (シリコン材料・デバイス)

後藤哲也, 黒田理人, 赤川直矢, 諏訪智之, 寺本章伸, 李翔, 小原俊樹, 木本大幾, 須川成利, 大見忠弘 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(255) 7-12 2014年10月16日
SiO_2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性

諏訪智之, 熊谷勇喜, 寺本章伸, 木下豊彦, 室隆桂之, 服部健雄, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(249) 49-52 2011年10月13日
異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価

稲塚卓也, 熊谷勇喜, 黒田理人, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告 111(249(SDM2011 97-114)) 11-16 2011年10月13日
酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性

諏訪智之, 熊谷勇喜, 寺本章伸, 大見忠弘, 服部健雄, 木下豊彦, 室隆桂之

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(241) 61-65 2010年10月14日
Stress Induced Leakage Current と Random Telegraph Signal ノイズとの相関

熊谷勇喜, 寺本章伸, 阿部健一, 藤澤孝文, 渡部俊一, 諏訪智之, 宮本直人, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(236) 57-62 2008年10月2日
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価

熊谷勇喜, 寺本章伸, 須川成利, 諏訪智之, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 107(85) 27-32 2007年5月31日
大規模アレイTEGにより評価した低ビットエラーのKr/O_2/NOトンネル酸窒化膜の形成

諏訪智之, 熊谷勇喜, 寺本章伸, 須川成利, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(277) 7-11 2006年9月28日
Very Low Bit Error Rate in Flash Memory using Tunnel Dielectrics formed by Kr/O_2/NO Plasma Oxynitridation

SUWA Tomoyuki, TAKAHASHI Hiroto, KUMAGAI Yuki, FUJITA Genya, TERAMOTO Akinobu, SUGAWA Shigetoshi, OHMI Tadahiro

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 296-297 2006年9月13日

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

高精度信号計測のための半導体のリーク電流とノイズ発生原因の究明の研究

令和6年度生体医歯工学共同研究拠点共同研究プロジェクト 2024年4月 - 2025年3月

熊谷勇喜
鉛フリー強誘電体を用いた先進医療用マイクロスケール形状記憶材料の新規創出

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

今泉文伸

熊谷勇喜

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

受賞

論文

MISC

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

メニュー

共著者の一覧