2014年10月16日
Introduction of Atomically Flattening of Silicon Surface in Shallow Trench Isolation Process Technology (シリコン材料・デバイス)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
- 巻
- 114
- 号
- 255
- 開始ページ
- 7
- 終了ページ
- 12
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22μmのshallow trench isolation(STI)プロセス工程へ適用した.原子オーダー平坦面を維持するために,ゲート酸化前のアクティブ領域のシリコン酸化膜のエッチングは遮光した清浄窒素雰囲気で行い,また,ゲート酸化膜はKr/O_2プラズマによるラジカル酸化により形成した.これにより,原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を有する電界効果MOSトランジスタが実現した.STIエッジ部における寄生チャネル形成を抑制するチャネルストップ注入の検討も行った.原子オーダー平坦界面界面を導入したことにより,ゲート絶縁膜の絶縁破壊耐圧が向上した.
- リンク情報
-
- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110009959297
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
- ID情報
-
- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110009959297
- CiNii Books ID : AN10013254
- identifiers.cinii_nr_id : 9000005111192