論文

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2013年6月

Chemical Structure of Interfacial Transition Layer Formed on Si(100) and Its Dependence on Oxidation Temperature, Annealing in Forming Gas, and Difference in Oxidizing Species (vol 52, 031302, 2013)

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • Tomoyuki Suwa
  • Akinobu Teramoto
  • Yuki Kumagai
  • Kenichi Abe
  • Xiang Li
  • Yukihisa Nakao
  • Masashi Yamamoto
  • Hiroshi Nohira
  • Takayuki Muro
  • Toyohiko Kinoshita
  • Shigetoshi Sugawa
  • Tadahiro Ohmi
  • Takeo Hattori
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巻
52
号
6
記述言語
英語
掲載種別
DOI
10.7567/JJAP.52.069203
出版者・発行元
JAPAN SOC APPLIED PHYSICS
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.7567/JJAP.52.069203
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000319998200048&DestApp=WOS_CPL
ID情報
  • DOI : 10.7567/JJAP.52.069203
  • ISSN : 0021-4922
  • eISSN : 1347-4065
  • Web of Science ID : WOS:000319998200048
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