谷田部 然治

J-GLOBALへ         更新日: 18/06/21 07:49
 
アバター
研究者氏名
谷田部 然治
 
ヤタベ ゼンジ
eメール
yatabecs.kumamoto-u.ac.jp
URL
https://www.eng.kumamoto-u.ac.jp/department/dept3/
所属
熊本大学
部署
大学院先導機構
職名
助教
学位
博士(農学)(東京農工大学)
科研費研究者番号
00621773
ORCID ID
0000-0003-2069-6677

プロフィール

2005年度日仏共同博士課程派遣学生としてÉcole normale supérieure de Cachan (ENS Cachan) に留学.08年東京農工大学大学院 連合農学研究科 博士課程修了.博士(農学).Université de Pau et des Pays de l'Adour (UPPA) 研究員、北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 研究員、同特任助教を経て15年より熊本大学 大学院先導機構 助教.化合物半導体の表面・界面の評価と制御に関する研究に従事.

研究分野

 
 

経歴

 
2015年
 - 
現在
熊本大学 大学院先導機構 助教
 
2015年
 - 
2015年
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 特任助教
 
2011年
 - 
2015年
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 研究員
 
2009年
 - 
2010年
Université de Pau et des Pays de l'Adour (UPPA) Laboratoire des Fluides Complexes et leurs Réservoirs (LFC-R) 研究員
 

学歴

 
2005年
 - 
2008年
東京農工大学大学院 連合農学研究科 生物工学専攻
 
2005年
 - 
2006年
École normale supérieure de Cachan (ENS Cachan) Laboratoire de Photophysique et Photochime Supramoléculaires et Macromoléculaire (PPSM) 日仏共同博士課程派遣学生
 
2003年
 - 
2005年
東京農工大学大学院 農学教育部 環境資源物質科学専攻
 
1999年
 - 
2003年
東京農工大学 農学部 環境資源科学科
 

委員歴

 
2018年
 - 
現在
日本表面真空学会関西支部  真空幹事
 

受賞

 
2016年9月
応用物理学会 第38回応用物理学会論文賞 (応用物理学会優秀論文賞) Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
受賞者: 谷田部 然治, 堀 祐臣, Joel T. Asubar, 赤澤 正道, 佐藤 威友, 橋詰 保
 
2013年11月
電子情報通信学会 電子デバイス研究会 論文発表奨励賞 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性
受賞者: 熊崎 祐介
 
2013年8月
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10) Outstanding Poster Presentation Award Characterization and Control of MOS Interface States in GaN-based MOS-HEMTs Using Al2O3 Gate Insulator
受賞者: Yujin Hori
 

論文

 
Koshi Okita, Katsuhiko Inaba, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura
Japanese Journal of Applied Physics   57(6) 065503-1-7   2018年   [査読有り]
ZnS is attractive as a material for low-cost light-emitting diodes. In this study, a non-polar ZnS layer was epitaxially grown on a sapphire substrate by inserting a ZnO buffer layer between ZnS and sapphire. The ZnS and ZnO layers were grown by a...
Zenji Yatabe, Shinya Inoue, Joel T. Asubar, Seiya Kasai
Applied Physics Express   11(3) 031201-1-4   2018年   [査読有り]
An analytical technique is proposed to reveal the relaxation time distribution of dynamic charge events using the current noise spectrum of a transistor, by applying an inverse integral transformation to the McWhorter model. In the proposed method...
Tamotsu Hashizume, Kenya Nishiguch, Shota Kaneki, Jan Kuzmik, Zenji Yatabe
Materials Science in Semiconductor Processing   78 85-95   2018年   [査読有り][招待有り]
Invited Review Article

In this article, we review recent progress on AlGaN/GaN and InAlN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) using Al-based oxides, nitride dielectrics, SiO2 and high-...
R. Stoklas, D. Gregušová, M. Blaho, K. Fröhlich, J. Novák, M. Matys, Z. Yatabe, P. Kordoš, T. Hashizume
Semiconductor Science and Technology   32(4) 045018-1-8   2017年   [査読有り]
The electrical properties of AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO2 prepared by atomic layer deposition with and w/o oxygen-plasma treatment (further referred to as PHf-MOS and Hf-MOS) were investigated. The sub-threshold slope of the MOSHFETs (3...
Hironobu Tanoue, Masato Takenouchi, Tatsuya Yamashita, Shohei Wada, Zenji Yatabe, Shoji Nagaoka, Yoshihiro Naka, Yusui Nakamura
Physica Status Solidi (a) - Applications and Materials Science   214(3) 1600603-1-5   2017年   [査読有り]
The crystal quality of ZnO films grown by mist chemical vapor deposition (mist‐CVD) was improved by introducing ZnO buffer layers on sapphire substrates. The ZnO films were grown by high‐speed rotation‐type mist‐CVD with a ZnCl2 aqueous...
Zenji Yatabe, Takaaki Tsuda, Junya Matsushita, Takehide Sato, Tatsuya Otabe, Koji Sue, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura
Physica Status Solidi (c) - Current Topics in Solid State Physics   14(1-2) 1600148-1-4   2017年   [査読有り]
Cover Picture: Phys. Status Solidi C 1–2/2017

Tin dioxide (SnO2) thin films, as a candidate for realizing next‐generation electrical and optical devices, were grown on 2‐inch diameter m ‐plane sapphire substrates by mist ...
M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume
Journal of Applied Physics   120(22) 225305-1-11   2016年   [査読有り]
The energy spectrum of interface state density, Dit(E), was determined at oxide/III-N heterojunction interfaces in the entire band gap, using two complementary photo-electric methods: (i) photo-assisted capacitance-voltage...
Shota Kaneki, Joji Ohira, Shota Toiya, Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Tamotsu Hashizume
Applied Physics Letters   109(16) 162104-1-5   2016年   [査読有り]
Interface characterization was carried out on Al2O3/GaN structures using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates with relatively low dislocation density (< 3 × 106 cm−2). The Al...
Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Tamotsu Hashizume
Journal of Physics D: Applied Physics   49(39) 393001-1-19   2016年   [査読有り][招待有り]
Invited Review Article

Recent years have witnessed GaN-based devices delivering their promise of unprecedented power and frequency levels and demonstrating their capability as an able replacement for Si-based devices. High-electron-mobilit...
M. Matys, R. Stoklas, J. Kuzmik, B. Adamowicz, Z. Yatabe, T. Hashizume
Journal of Applied Physics   119(20) 205304-1-7   2016年   [査読有り]
We performed, for the first time, quantitative characterization of electron capture cross sections σ of the interface states at dielectric/III-N heterojunction interfaces. We developed a new method, which is based on the photo-assisted capacitance...
Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
Japanese Journal of Applied Physics   55(4S) 04EJ12-1-5   2016年   [査読有り]
We aimed to develop a photoassisted electrochemical etching process for the formation of GaN porous structures. Pore linearity and depth controllability were strongly affected by the anode voltage. In addition, the use of light with an energy belo...
Taketomo Sato, Yusuke Kumazaki, Hirofumi Kida, Akio Watanabe, Zenji Yatabe, Soichiro Matsuda
Semiconductor Science and Technology   31(1) 014012-1-6   2016年   [査読有り]
Photoresponse and photoabsorption properties of GaN porous structures were investigated by measuring photocurrent and spectroscopic photoabsorption under monochromatic light with various wavelengths. The measured photocurrents on the porous GaN el...
Joel T. Asubar, Yoshiki Sakaida, Satoshi Yoshida, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara
Applied Physics Express   8(11) 111001-1-4   2015年   [査読有り]
We studied the effects of pre-passivation oxygen plasma treatment of the AlGaN surface on the current collapse of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs). Oxygen plasma-treated devices generally exhibited significantly less dynamic on...
Taketomo Sato, Hirofumi Kida, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe
ECS Transactions   69(2) 161-166   2015年   [査読有り]
Photoabsorption properties of GaN porous structures were investigated by measuring photocurrent and transmittance under monochromatic light with various wavelengths. The measured photocurrents on the porous GaN electrode were larger than those on ...
Joel T. Asubar, Yohei Kobayashi, Koji Yoshitsugu, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Masahiro Horita, Yukiharu Uraoka, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara
IEEE Transactions on Electron Devices   62(8) 2423-2428   2015年   [査読有り]
We have demonstrated for the first time a remarkable reduction of current collapse in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) by high-pressure water vapor annealing (HPWVA). The device subjected to HPWVA exhibited considerably low dyn...
Akio Watanabe, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
ECS Electrochemistry Letters   4(5) H11-H13   2015年   [査読有り]
We investigated the structural features of gallium-nitride-porous structures formed using the photo-assisted electrochemical process in the back-side illumination (BSI) mode. The pore diameter and depth were strongly affected by the direction of i...
Zenji Yatabe, Toru Muramatsu, Joel T. Asubar, Seiya Kasai
Physics Letters A   379(7) 738-742   2015年   [査読有り]
A novel method is presented for obtaining the distribution function of relaxation times G(τ) from power spectrum 1/fα (1 ≤ α ≤ 2). It is derived using McWhorter model and its inverse Stieltjes transfor...
Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
Physica Status Solidi (a) - Applications and Materials Science   212(5) 1075-1080   2015年   [査読有り]
We have investigated the effects of the inductively coupled plasma (ICP) etching of AlGaN surface on the resulting interface properties of the Al2O3/AlGaN/GaN structures. The experimentally measured capacitance–voltage (...
Zenji Yatabe, Yujin Hori, Wan-Cheng Ma, Joel T. Asubar, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
Japanese Journal of Applied Physics   53(10) 100213-1-10   2014年   [査読有り]
第38回(2016年度)応用物理学会優秀論文賞

Spotlights 2014

Selected Topics in Applied Physics, "Progresses and Future Prospects in Nitride Semiconductors"

This paper presents a systematic characterization of electronic states at insulators/(A...
Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
Applied Physics Letters   105(5) 053510-1-5   2014年   [査読有り]
Dramatic reduction of thermal resistance was achieved in AlGaN/GaN Multi-Mesa-Channel (MMC) high electron mobility transistors (HEMTs) on sapphire substrates. Compared with the conventional planar device, the MMC HEMT exhibits much less negative s...
Yusuke Kumazaki, Akio Watanabe, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
Journal of The Electrochemical Society   161(10) 705-709   2014年   [査読有り]
We investigated the correlation between structural and photoelectrochemical properties of GaN porous nanostructures formed by photo-assisted electrochemical etching. The porous nanostructures were formed during light irradiation of the top-surface...
橋詰 保, 谷田部 然治, 佐藤 威友
表面科学   35(2) 96-101   2014年   [査読有り]
Interface properties of GaN-based heterostructures have been characterized. Schottky contacts on dry-etched n-GaN layers showed leaky I-V characteristics. An anneal process at 400 ºC was effective in recovering the rectifying characteristics. To c...
Y. Hori, Z. Yatabe, T. Hashizume
Journal of Applied Physics   114(24) 244503-1-8   2013年   [査読有り]
We have investigated the relationship between improved electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors (MOS-HEMTs) and electronic state densities at the...
Ryohei Jinbo, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
ECS Transactions   50(37) 247-252   2013年   [査読有り]
Schottky interfaces were formed on InP porous structures by the electrodeposition of Pt films. The coverage of the Pt film and its optical reflectance depended largely on the surface morphology of the porous structure. Removal of the irregular top...
Yusuke Kumazaki, Tomohito Kudo, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
Applied Surface Science   279 116-120   2013年   [査読有り]
We investigated the optical absorption properties of InP porous structures formed by the electrochemical process using photoelectric conversion (PC) devices formed on p–n junction substrates. The photocurrent measurements revealed that the current...
Zenji Yatabe, Yujin Hori, Sungsik Kim, Tamotsu Hashizume
Applied Physics Express   6(1) 016502-1-4   2013年   [査読有り]
The effects of the inductively coupled plasma (ICP) etching of AlGaN on the interface properties of the Al2O3/AlGaN/GaN structures prepared by atomic layer deposition were investigated. It was found from the photoassisted cap...
Toru Muramatsu, Kensuke Miura, Yuta Shiratori, Zenji Yatabe, Seiya Kasai
Japanese Journal of Applied Physics   51(6S) 06FE18-1-5   2012年   [査読有り]
Low-frequency noise in SiNx insulator–gate GaAs-based etched nanowire field-effect transistors (FETs) is investigated, focusing on the device size dependence and the effect of electron traps in the insulator. Intensity of the dra...
Ryohei Jinbo, Tomohito Kudo, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
Thin Solid Films   520(17) 5710-5714   2012年   [査読有り]
A photoelectric-conversion device—based on an InP porous structure utilizing the large surface area inside pores and the low reflectance on the porous surface—is proposed. The InP walls inside the pores are covered with thin platinum films that fo...
Junko Kamiguri, Noriko Tsuchiya, Ruri Hidema, Zenji Yatabe, Masahiko Shoji, Chihiro Hashimoto, Robert Bernard Pansu, Hideharu Ushiki
BIOPHYSICS   8 11-19   2012年   [査読有り]
The contraction process of living Vorticella sp. in polymer solutions with various viscosities has been investigated by image processing using a high-speed video camera. The viscosity of the external fluid ranges from 1 to 5 mPa·s for diffe...
Junko Kamiguri, Noriko Tsuchiya, Ruri Hidema, Masatoshi Tachibana, Zenji Yatabe, Masahiko Shoji, Chihiro Hashimoto, Robert Bernard Pansu, Hideharu Ushiki
BIOPHYSICS   8 1-9   2012年   [査読有り]
The contraction process of living Vorticella sp. has been investigated by image processing using a high-speed video camera. In order to express the temporal change in the stalk length resulting from the contraction, a damped spring model an...
Ruri Hidema, Zenji Yatabe, Masahiko Shoji, Chihiro Hashimoto, Robert Pansu, Gabriel Sagarzazu, Hideharu Ushiki
Experiments in Fluids   49(3) 725-732   2010年   [査読有り]
Two-dimensional turbulence in flowing soap films with polymer additives is analyzed by image analysis. The power spectra of the interference patterns of turbulent soap films are calculated. The scaling exponent of the power spectrum is −5/3 for po...
Zenji Yatabe, Ruri Hidema, Chihiro Hashimoto, Robert Bernard Pansu, Hideharu Ushiki
Chemical Physics Letters   475(1-3) 101-104   2009年   [査読有り]
The formation process of onion structure in a quaternary mixture, which consists of water, NaCl, octanol and sodium dodecyl sulfate, has been investigated by two-dimensional light scattering under oscillatory shear flow. In our experiment, we inve...
Zenji Yatabe, Yasufumi Miyake, Masatoshi Tachibana, Chihiro Hashimoto, Robert Pansu, Hideharu Ushiki
Chemical Physics Letters   456(1-3) 31-35   2008年   [査読有り]
The formation process of onion structure in a quaternary mixture made of water, NaCl, octanol and sodium dodecyl sulphate, have been investigated by two dimensional light scattering under various shear rates. In this Letter, we investigated the si...
Serge Desportes, Zenji Yatabe, Sébastien Baumlin, Valérie Génot, Jean-Pierre Lefèvre, Hideharu Ushiki, Jacques Alexis Delaire, Robert Bernard Pansu
Chemical Physics Letters   446(1-3) 212-216   2007年   [査読有り]
A 3D hydrodynamic focusing microreactor was used to observe the in situ nanocrystallization of rubrene by fluorescence lifetime imaging (FLIM). The crystallization is achieved by a precipitation method based on the addition of a non-solvent. The r...

Misc

 
Zenji Yatabe, Hironobu Tanoue, Koshi Okita, Masato Takenouchi, Takahiro Ishida, Takaaki Tsuda, Tomoki Mikuriya, Shoji Nagaoka, Koji Sue, Yusui Nakamura
Proceedings of the 35th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Conference   35(1) INV-1B-01-1-4   2017年   [依頼有り]
Invited
Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume
Proceedings of the 34th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress   34 INV-1B-01-1-4   2016年   [依頼有り]
Invited
Hironobu Tanoue, Tatsuya Yamashita, Shohei Wada, Zenji Yatabe, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)   2016(CSW) 1   2016年
Tatsuya Otabe, Takehide Sato, Junya Matsushita, Zenji Yatabe, Koji Sue, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura
2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)   2016(CSW) 1   2016年
喜田 弘文, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   115(170) 51-54   2015年
谷田部 然治, 橋詰 保
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   115(108) 1-4   2015年   [依頼有り]
Invited Lecture
Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs
T. Hashizume, Z. Yatabe, K. Nishiguchi
Proceedings of the 39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2015)   51-54   2015年
熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   115(63) 63-66   2015年
橋詰 保, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会   EDD-14(39-49) 13-16   2014年   [依頼有り]
Invited
熊崎, 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤威友
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   113(329) 113-116   2013年
電子デバイス研究会 論文発表奨励賞
熊崎, 祐介, 神保 亮平, 谷田部 然治, 佐藤威友
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   113(39) 61-64   2013年
堀 祐臣, 谷田部 然治, 馬 万程, 橋詰 保
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112(327) 37-40   2012年
Zenji Yatabe, Yujin Hori, Sungsik Kim, Tamotsu Hashizume
Proceedings of the 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2012)   24-25   2012年
谷田部 然治, 堀 祐臣, 金 聖植, 橋詰 保
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   112(32) 49-52   2012年
村松 徹, 葛西 誠也, 谷田部 然治
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111(425) 89-93   2012年
金 聖植, 堀 祐臣, 谷田部 然治, 橋詰 保
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス   111(290) 25-28   2011年
Zenji Yatabe, Chihiro Hashimoto, Robert Pansu, Hideharu Ushiki
Proceedings of the 8th Asian Thermophysical Properties Conference (ATPC 2007)   Paper No. 081    2007年
Ruri Hidema, Zenji Yatabe, Chihiro Hashimoto, Robert Pansu, Hideharu Ushiki
Proceedings of the 8th Asian Thermophysical Properties Conference (ATPC 2007)   Paper No. 079    2007年

講演・口頭発表等

 
Yudai Tanaka, Hironobu Tanoue, Masato Takenouchi, Yuki Nagao, Zenji Yatabe, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura
The 1st International Workshop on the Research and Development of Unique Reaction/Separation Techniques in Kumamoto   2018年3月6日   
津田 貴昭, 西山 光士, 谷田部 然治, 須恵 耕二, 中村 有水
平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会   2017年12月2日   応用物理学会九州支部
石田 貴廣, 皆見 憲亮, 沖田 晃史, 須恵 耕二, 永岡 昭二, 谷田部 然治, 中村 有水
平成29年度応用物理学会九州支部学術講演会   2017年12月2日   応用物理学会九州支部
K. Okita, T. Goto, Y. Tanaka, M. Takenouchi, Z. Yatabe, Y. Nakamura
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)   2017年9月21日   The Japan Society of Applied Physics
竹之内 真人, 和田 祥平, 田之上 博信, 本郷 直哉, 永岡 昭二, 谷田部 然治, 中村 有水
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月7日   応用物理学会
田中 雄大, 田之上 博信, 竹之内 真人, 永岡 昭二, 谷田部 然治, 中村 有水
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月7日   応用物理学会
沖田 晃史, 田之上 博信, 後藤 太希, 田中 雄大, 永岡 昭二, 谷田部 然治, 中村 有水
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月5日   応用物理学会
Z. Yatabe, T. Tsuda, J. Matsushita, Y. Nakamura
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)   2017年8月31日   
Shota Kaneki, Zeniji Yatabe, Tamotsu Hashizume
12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2017)   2017年8月29日   
Zenji Yatabe, Hironobu Tanoue, Koshi Okita, Masato Takenouchi, Takahiro Ishida, Takaaki Tsuda, Tomoki Mikuriya, Shoji Nagaoka, Koji Sue, Yusui Nakamura
35th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Conference and Annual Meeting (SPP 2017)   2017年6月7日   Samahang Pisika ng Pilipinas
Invited Subplenary Talk
Zenji Yatabe
Physics Dept. hosts talk on semiconductors   2017年6月6日   Department of Physics, Mapúa University
Invited Lecture
沖田 晃史, 田之上 博信, 後藤 太希, 田中 雄大, 永岡 昭二, 谷田部 然治, 中村 有水
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月17日   応用物理学会
御厨 丈輝, 小川 寛高, 城戸 智孝, 谷田部 然治, 西 康孝, 中積 誠, 岩堀 恒一郎, 奈良 圭, 浪平 隆男, 中村 有水
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月14日   応用物理学会
津田 貴昭, 佐藤 岳秀, 松下 淳矢, 小田邊 達也, 谷田部 然治, 須恵 耕二, 永岡 昭二, 中村 有水
平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会   2016年12月3日   応用物理学会九州支部
小川 寛高, 御厨 丈輝, 皆見 憲亮, 谷田部 然治, 西 康孝, 中積 誠, 岩堀 恒一郎, 奈良 圭, 浪平 隆男, 中村 有水
平成28年度応用物理学会九州支部学術講演会   2016年12月3日   応用物理学会九州支部
谷田部 然治
界面科学コロキウム   2016年11月25日   神⼾⼤学⼯学研究科 界⾯科学研究センター
依頼公演
谷田部 然治
第314回RISTフォーラム:RISTシーズ・活用事例発表会   2016年11月17日   くまもと技術革新・融合研究会 (RIST), 熊本産業技術センター, くまもと産業支援財団
依頼講演
Z. Yatabe, J. T. Asubar, Y. Nakamura, T. Hashizume
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)   2016年9月28日   The Japan Society of Applied Physics
沖田 晃史, 皆見 憲亮, 寺屋 さとみ, 永岡 昭二, 谷田部 然治, 中村 有水
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月16日   応用物理学会
谷田部 然治, 堀 祐臣, 馬 万程, Joel T. Asubar, 赤澤 正道, 佐藤 威友 橋詰 保
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月14日   応用物理学会
招待講演 (優秀論文賞受賞記念講演)
Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume
34thSPP Physics Conference and Annual Meeting (SPP 2016)   2016年8月18日   Samahang Pisika ng Pilipinas
Sub-plenary Talk
Hironobu Tanoue, Tatsuya Yamashita, Shohei Wada, Zenji Yatabe, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura
2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016)   2016年6月27日   The Japan Society of Applied Physics, IEEE
Tatsuya Otabe, Takehide Sato, Junya Matsushita, Zenji Yatabe, Koji Sue, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura
2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016)   2016年6月27日   The Japan Society of Applied Physics, IEEE
田之上 博信, 和田 祥平, 山下 達也, 永岡 昭二, 谷田部 然治, 中村 有水
第63回応用物理学会春季学術講演会   2016年3月20日   応用物理学会
谷田部 然治
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 情報機能素子科学研究室 特別講演会   2016年3月14日   奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 情報機能素子科学研究室
招待講演
Maciej Matys, Boguslawa Adamowicz, Roman Stoklas, Masamichi Akazawa, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
2015 MRS Fall Meeting & Exhibit   2015年12月3日   Materials Research Society
Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
2015 MRS Fall Meeting & Exhibit   2015年12月3日   Materials Research Society
Tamotsu Hashizume, Zenji Yatabe
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (2015 IWDTF)   2015年11月3日   
Invited Talk
T. Sato, Y. Kumazaki, Z. Yatabe
228th ECS Meeting   2015年10月13日   The Electrochemical Society
Y. Kumazaki, T. Sato, Z. Yatabe
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)   2015年9月30日   The Japan Society of Applied Physics
西村 明生, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 高柳 正夫, 牛木 秀治
第64回高分子討論会   2015年9月17日   高分子学会
枝元 将彰, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月15日   応用物理学会
熊崎 祐介, 近江 沙也夏, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月14日   応用物理学会
喜田 弘文, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月14日   応用物理学会
近江 沙也夏, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第76回応用物理学会秋季学術講演会   2015年9月13日   応用物理学会
Sayaka Omi, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)   2015年8月26日   
Hirofumi Kida, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)   2015年8月26日   
Masaaki Edamoto, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)   2015年8月26日   
Taketomo Sato, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)   2015年8月26日   
Invited Talk
Joel T. Asubar, Yoshiki Sakaida, Satoshi Yoshida, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)   2015年8月26日   
Zenji Yatabe, Joji Ohira, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)   2015年8月24日   
Joji Ohira, Yutaka Senzaki, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2015)   2015年8月24日   
喜田 弘文, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電子情報通信学会 電子デバイス研究会/電気学会 フィジカルセンサ/バイオ・マイクロシステム合同研究会   2015年8月4日   電子情報通信学会/電気学会
Characterization and Control of Insulated Gate Interfaces for Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs [招待有り]
Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
2015 Compound Semiconductor Week (CSW 2015)   2015年7月2日   UCSB, MIT
Invited Talk
Influence of the Oxygen-Plasma Treatment on the AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO2 by ALD to Reduce Leakage Current
Roman Stoklas, Dagmar Gregušová, Michal Blaho, Karol Fröhlich, Jozef Novák, Peter Kordoš, Maciek Matys, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
2015 Compound Semiconductor Week (CSW 2015)   2015年6月29日   UCSB, MIT
T. Hashizume, Z. Yatabe
2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2015)   2015年6月29日   The Institute of Electronics and Information Engineers, Brain Korea 21, IEICE Electronics Society
Invited Talk
谷田部 然治, 橋詰 保
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会/応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第182回研究集会   2015年6月19日   電子情報通信学会/応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
依頼講演
Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs
T. Hashizume, Z. Yatabe, K. Nishiguchi
39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2015)   2015年6月9日   Slovak University of Technology in Bratislava
橋詰 保, 西口 賢弥, 谷田部 然治
第95回研究会   2015年5月29日   日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会
熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電子情報通信学会 電子デバイス研究会   2015年5月29日   電子情報通信学会
西村 明生, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 高柳 正夫, 牛木 秀治
第64回高分子学会年次大会   2015年5月28日   高分子学会
Tamotsu Hashizume, Zenji Yatabe
2015 MRS Spring Meeting & Exhibit   2015年4月8日   Materials Research Society
Invited Talk
谷田部 然治, 大平 城二, 佐藤 威友, 橋詰 保
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月11日   応用物理学会
小林 洋平, Joel T. Asubar, 吉嗣 晃治, 谷田部 然治, 徳田 博邦, 堀田 昌宏, 浦岡 行治, 橋詰 保, 葛原 正明
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月11日   応用物理学会
大平 城二, 千崎 泰, 谷田部 然治, 橋詰 保
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月11日   応用物理学会
熊崎 祐介, 近江 沙也夏, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月11日   応用物理学会
渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第50回応用物理学会北海道支部/第11回日本光学会北海道地区合同学術講演会   2015年1月10日   応用物理学会北海道支部
千崎 泰, 谷田部 然治, 橋詰 保
第50回応用物理学会北海道支部/第11回日本光学会北海道地区合同学術講演会   2015年1月10日   応用物理学会北海道支部
Akio Watanabe, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatebe, Taketomo Sato
The 7th International Symposium on Surface Science (ISSS-7)   2014年11月3日   The Surface Science Society of Japan
T. Sato, A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe
2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting   2014年10月8日   The Electrochemical Society
渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
2014年電気化学秋季大会   2014年9月27日   電気化学会
丸岡 敬和, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 牛木 秀治
第63回高分子討論会   2014年9月26日   高分子学会
西村 明生, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 高柳 正夫, 牛木 秀治
第63回高分子討論会   2014年9月26日   高分子学会
小棚木 陽一郎, 赤澤 正道, Joel T. Asubar, 谷田部 然治, 橋詰 保
第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月19日   応用物理学会
熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月18日   応用物理学会
佐藤 威友, 熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治
第75回応用物理学会秋季学術講演会   2014年9月17日   応用物理学会
招待講演
M. Matys, Z. Yatabe, Y. Hori, T. Hashizume, B. Adamowicz
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)   2014年8月27日   
Yusuke Kumazaki, Akio Watanabe, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)   2014年8月27日   
Zenji Yatabe, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014)   2014年8月27日   
Invited Talk
Akio Watanabe, Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (IEEE INEC 2014)   2014年7月30日   IEEE Electron Devices Society
橋詰 保, 西口 賢弥, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第1回先進パワー半導体分科会研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの信頼性」   2014年7月30日   応用物理学会 先進パワー半導体分科会
Taketomo Sato, Yusuke Kumazaki, Akio Watanabe, Zenji Yatabe
The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (IEEE INEC 2014)   2014年7月30日   IEEE Electron Devices Society
Invited Talk
西村 明生, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 牛木 秀治
第63回高分子学会年次大会   2014年5月30日   高分子学会
丸岡 敬和, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 牛木 秀治
第63回高分子学会年次大会   2014年5月30日   高分子学会
谷田部 然治, 堀 祐臣, 橋詰 保
第61回応用物理学会春季学術講演会   2014年3月17日   応用物理学会
橋詰 保, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電気学会 電子デバイス研究会   2014年3月13日   電気学会
招待講演
堀 祐臣, 谷田部 然治, 橋詰 保
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会   2013年12月10日   応用物理学会 先進パワー半導体研究会
依頼講演
渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第49回応用物理学会北海道支部/第10回日本光学会北海道地区合同学術講演会   2013年12月9日   応用物理学会北海道支部
熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電子情報通信学会 電子デバイス研究会   2013年11月29日   電子情報通信学会
電子デバイス研究会 論文発表奨励賞
Taketomo Sato, Yusuke Kumazaki, Ryohei Jinbo, Zenji Yatabe
224th ECS Meeting   2013年10月30日   The Electrochemical Society
Yusuke Kumazaki, Akio Watanabe, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
224th ECS Meeting   2013年10月29日   The Electrochemical Society
堀 祐臣, 谷田部 然治, 橋詰 保
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013年9月20日   応用物理学会
渡部 晃生, 熊崎 祐介, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013年9月19日   応用物理学会
熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013年9月16日   応用物理学会
西村 明生, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 四方 俊幸, 牛木 秀治
第62回高分子討論会   2013年9月12日   高分子学会
Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013)   2013年9月3日   
Zenji Yatabe, Yujin Hori, Tamotsu Hashizume
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)   2013年8月27日   
Yujin Hori, Zenji Yatabe, Tamotsu Hashizume
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)   2013年8月26日   
Outstanding Poster Presentation Award
Yusuke Kumazaki, Akio Watanabe, Ryohei Jinbo, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
第32回電子材料シンポジウム (EMS-32)   2013年7月10日   
熊崎 祐介, 渡部 晃生, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第29回ライラックセミナー・第19回若手研究者交流会   2013年6月15日   電気化学会北海道支部
丸岡 敬和, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 四方 俊幸, 牛木 秀治
第62回高分子学会年次大会   2013年5月30日   高分子学会
西村 明生, 谷田部 然治, 庄司 雅彦, 橋本 千尋, 四方 俊幸, 牛木 秀治
第62回高分子学会年次大会   2013年5月30日   高分子学会
Electrochemical Formation and Optical Characterization of GaN Porous Structures
Yusuke Kumazaki, Akio Watanabe, Ryohei Jinbo, Zenji Yatabe, Taketomo Sato
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)   2013年5月22日   ISCS 2013 Committees
熊崎 祐介, 神保 亮平, 谷田部 然治, 佐藤 威友
電子情報通信学会 電子デバイス研究会   2013年5月17日   電子情報通信学会
熊崎 祐介, 渡部 晃生, 神保 亮平, 谷田部 然治, 佐藤 威友
第60回応用物理学会春季学術講演会   2013年3月30日   応用物理学会
馬 万程, 堀 祐臣, 谷田部 然治, 橋詰 保
第60回応用物理学会春季学術講演会   2013年3月28日   応用物理学会
堀 祐臣, 谷田部 然治, 橋詰 保
第60回応用物理学会春季学術講演会   2013年3月28日   応用物理学会
谷田部 然治, 堀 祐臣, 馬 万程, 橋詰 保
第60回応用物理学会春季学術講演会   2013年3月28日   応用物理学会
谷田部 然治, 堀 祐臣, 馬 万程, 橋詰 保
第48回応用物理学会北海道支部/第9回日本光学会北海道地区合同学術講演会   2013年1月11日   応用物理学会北海道支部
堀 祐臣, 谷田部 然治, 馬 万程, 橋詰 保
電子情報通信学会 電子デバイス研究会   2012年11月29日   電子情報通信学会

担当経験のある科目

 
 

競争的資金等の研究課題

 
科学技術振興機構 (JST): マッチングプランナープログラム「企業ニーズ解決試験」
研究期間: 2016年6月 - 2017年3月    代表者: 谷田部 然治
材料科学技術振興財団 (MST): 平成28年度研究助成
研究期間: 2016年4月 - 2017年3月    代表者: 谷田部 然治
熊本大学エコ・エネ研究会: 研究資金
研究期間: 2015年12月 - 2016年3月    代表者: 谷田部 然治
日本学術振興会: 科学研究費補助金 若手研究(B)
研究期間: 2015年4月 - 2018年3月    代表者: 谷田部 然治
日本学術振興会: 科学研究費補助金 基盤研究(B)
研究期間: 2013年4月 - 2016年3月    代表者: 佐藤 威友
自在ズリ流動場下での玉葱構造の形成過程について
日仏共同博士課程日本コンソーシアム: 日仏共同博士課程
研究期間: 2005年9月 - 2006年8月    代表者: 谷田部 然治

Mountaineering

 
2001年8月   Muztagh Ata (7,509 m) 登頂
岡林 良一, 宮本 美貴夫, 桂木 行人, 水野 暢夫, 小口 順史, 谷田部 然治
東京農工大学山岳会
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