谷田部然治 (Zenji Yatabe) - マイポータル

基本情報

所属: 熊本大学半導体・デジタル研究教育機構半導体部門基礎分野准教授

学位: 博士(農学)(2008年東京農工大学)
修士(農学)(2005年東京農工大学)
学士(農学)(2003年東京農工大学)

連絡先: yatabecs.kumamoto-u.ac.jp
研究者番号: 00621773
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0003-2069-6677
J-GLOBAL ID: 201001063938165263
Researcher ID: A-5506-2012
researchmap会員ID: 6000021446

外部リンク: https://researchmap.jp/zenji.yatabe/link

2001年新疆ウイグル自治区Muztagh Ata(7,509 m)登頂成功。 2005年度日仏共同博士課程派遣学生としてÉcole normale supérieure de Cachan (ENS Cachan)に留学。2008年東京農工大学大学院連合農学研究科博士課程修了。博士(農学)。Université de Pau et des Pays de l'Adour (UPPA)研究員、北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター研究員、同特任助教を経て2015年熊本大学大学院先導機構助教。2020年より現職。GaN系半導体を中心とした化合物半導体界面の電子物性評価とゲート絶縁膜プロセス技術に関する研究に従事。2016年度応用物理学会優秀論文賞受賞。応用物理学会会員。

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研究キーワード

研究分野

経歴

2023年 - 現在

熊本大学, 半導体・デジタル研究教育機構半導体部門基礎分野, 准教授
2020年 - 2023年

熊本大学, 大学院先端科学研究部情報・エネルギー部門電気電子材料分野, 准教授
2015年 - 2020年

熊本大学, 大学院先導機構, 助教
2015年 - 2015年

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 特任助教
2011年 - 2015年

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 研究員
2009年 - 2010年

Université de Pau et des Pays de l'Adour (UPPA), Laboratoire des Fluides Complexes et leurs Réservoirs (LFC-R), 研究員

学歴

2005年 - 2008年

東京農工大学, 大学院連合農学研究科, 生物工学専攻
2005年 - 2006年

École normale supérieure de Cachan (ENS Cachan), Laboratoire de Photophysique et Photochime Supramoléculaires et Macromoléculaire (PPSM)
2003年 - 2005年

東京農工大学, 大学院農学教育部, 環境資源物質科学専攻
1999年 - 2003年

東京農工大学, 農学部, 環境資源科学科

委員歴

2024年4月 - 現在

応用物理学会, 学術講演会プログラム編集委員 (13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価)
2023年 - 現在

電気学会電子・情報・システム部門(C部門) 電子デバイス技術委員会化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション調査専門委員会, 委員
2020年 - 現在

文部科学省科学技術･学術政策研究所科学技術予測・政策基盤調査研究センター, 専門調査員
2023年 - 2023年

応用物理学会, 第84回応用物理学会秋季学術講演会現地実行委員
2022年 - 2022年

第13回半導体材料・デバイスフォーラム, 実行委員
2021年 - 2021年

日本表面真空学会, 2021年学術講演会実行委員
2018年 - 2021年

日本表面真空学会関西支部, 幹事
2020年 - 2020年

日本表面真空学会, 2020年学術講演会実行委員
2019年 - 2019年

応用物理学会九州支部, 2019年度応用物理学会九州支部学術講演会現地実行委員

受賞

2016年9月

第38回応用物理学会論文賞 (応用物理学会優秀論文賞), Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors, 応用物理学会

谷田部然治, 堀祐臣, Joel T. Asubar, 赤澤正道, 佐藤威友, 橋詰保

論文

Evidence of reduced interface states in Al₂O₃/AlGaN MIS structures via insertion of ex-situ regrown AlGaN layer

Ali Baratov, Shinsaku Kawabata, Shun Urano, Itsuki Nagase, Masaki Ishiguro, Shogo Maeda, Takahiro Igarashi, Toi Nezu, Zenji Yatabe, Maciej Matys …

Applied Physics Express 15(10) 104002-1-5 2022年9月2日査読有り
Ornstein–Uhlenbeck process in a human body weight fluctuation

Zenji Yatabe, Joel T. Asubar

Physica A: Statistical Mechanics and its Applications 582 126286-1-6 2021年11月査読有り筆頭著者責任著者
Controlling surface/interface states in GaN-based transistors: Surface model, insulated gate, and surface passivation

Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Dagmar Gregusova, Tamotsu Hashizume

Journal of Applied Physics 129(12) 121102-1-28 2021年3月査読有り招待有り
GaN-based MIS-HEMTs with Al₂O₃ dielectric deposited by low-cost and environmental-friendly mist-CVD technique

Rui Shan Low, Joel T. Asubar, Ali Baratov, Shunsuke Kamiya, Itsuki Nagase, Shun Urano, Shinsaku Kawabata, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Yusui Nakamura …

Applied Physics Express 14(3) 031004-1-5 2021年2月査読有り最終著者責任著者
Inverse integral transformation method to derive local viscosity distribution measured by optical tweezers

Ruri Hidema, Zenji Yatabe, Hikari Takahashi, Ryusei Higashikawa, Hiroshi Suzuki

Soft Matter 16(29) 6826-6833 2020年7月査読有り
Structural characterization of mist chemical vapor deposited amorphous aluminum oxide films using water-free solvent

Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Takaaki Tsuda, Yusui Nakamura

Journal of the Ceramic Society of Japan 127(8) 590-593 2019年8月査読有り筆頭著者責任著者
On the presence of Ga₂O sub-oxide in high-pressure water vapor annealed AlGaN surface by combined XPS and first-principles methods

Mary Clare S. Escaño, Joel T. Asubar, Zenji Yatabe, Melanie Y. David, Mutsunori Uenuma, Hirokuni Tokuda, Yukiharu Uraoka, Masaaki Kuzuhara, Masahiko Tani

Applied Surface Science 481 1120-1126 2019年7月査読有り
Synthesis and characterization of mist chemical vapor deposited aluminum titanium oxide films

Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Takaaki Tsuda, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics 58(7) 070905-1-4 2019年6月査読有り筆頭著者責任著者
Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs

Joel Tacla Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume

PISIKA - Journal of the Physics Society of the Philippines 1(1) 11-1-6 2018年12月査読有り
Structural characteristics of a non-polar ZnS layer on a ZnO buffer layer formed on a sapphire substrate by mist chemical vapor deposition

Koshi Okita, Katsuhiko Inaba, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 065503-1-7 2018年5月査読有り
State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs

Tamotsu Hashizume, Kenya Nishiguchi, Shota Kaneki, Jan Kuzmik, Zenji Yatabe

Materials Science in Semiconductor Processing 78 85-95 2018年5月査読有り招待有り最終著者
Analytical derivation of charge relaxation time distribution in transistor from current noise spectrum using inverse integral transformation method

Zenji Yatabe, Shinya Inoue, Joel T. Asubar, Seiya Kasai

Applied Physics Express 11(3) 031201-1-4 2018年2月査読有り筆頭著者
Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO₂ by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction

R. Stoklas, D. Gregušová, M. Blaho, K. Fröhlich, J. Novák, M. Matys, Z. Yatabe, P. Kordoš, T. Hashizume

Semiconductor Science and Technology 32(4) 045018-1-8 2017年4月査読有り
Improvement of m-plane ZnO films formed on buffer layers on sapphire substrates by mist chemical vapor deposition

Hironobu Tanoue, Masato Takenouchi, Tatsuya Yamashita, Shohei Wada, Zenji Yatabe, Shoji Nagaoka, Yoshihiro Naka, Yusui Nakamura

Physica Status Solidi A – Applications and Materials Science 214(3) 1600603-1-5 2017年3月査読有り
Single crystalline SnO₂ thin films grown on m-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition

Zenji Yatabe, Takaaki Tsuda, Junya Matsushita, Takehide Sato, Tatsuya Otabe, Koji Sue, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura

Physica Status Solidi C – Current Topics in Solid State Physics 14(1-2) 1600148-1-4 2017年1月査読有り筆頭著者責任著者
On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces

M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume

Journal of Applied Physics 120(22) 225305-1-11 2016年12月査読有り
Highly-stable and low-state-density Al₂O₃/GaN interfaces using epitaxial n-GaN layers grown on free-standing GaN substrates

Shota Kaneki, Joji Ohira, Shota Toiya, Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Tamotsu Hashizume

Applied Physics Letters 109(16) 162104-1-5 2016年10月査読有り
Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors

Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Tamotsu Hashizume

Journal of Physics D: Applied Physics 49(39) 393001-1-19 2016年10月査読有り招待有り筆頭著者
Characterization of capture cross sections of interface states in dielectric/III-nitride heterojunction structures

M. Matys, R. Stoklas, J. Kuzmik, B. Adamowicz, Z. Yatabe, T. Hashizume

Journal of Applied Physics 119(20) 205304-1-7 2016年5月査読有り
Formation of GaN porous structures with improved structural controllability by photoassisted electrochemical etching

Yusuke Kumazaki, Zenji Yatabe, Taketomo Sato

Japanese Journal of Applied Physics 55(4S) 04EJ12-1-5 2016年3月査読有り

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MISC

Mist chemical vapor deposited-gate insulators for GaN-based MIS devices applications

Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Joel T. Asubar

2022 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 1-3 2022年11月招待有り筆頭著者責任著者
Mist chemical vapor deposited-Al₂O₃/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs

Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara

2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 1-2 2021年11月責任著者
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al₂O₃ gate dielectric deposited by mist-CVD method

M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe …

2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 1-2 2021年11月
Electrical properties of GaN-based MIS-HEMTs with Al₂O₃ gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques

S. Urano, R. S. Low, M. Faris, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe …

2021 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 1-2 2021年11月
Mist-CVD法によるAl₂O₃絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

ロールイシャン, 永瀬樹, バラトフアリ, アスバルジョエルタクラ, 徳田博邦, 葛原正明, 谷田部然治, 内藤健太, 本山智洋, 中村有水

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 120(254) 49-52 2020年11月責任著者
Epitaxial Tin Oxide Films on Sapphire Substrate Grown by Mist Chemical Vapor Deposition

Thant Zin Win, Takumi Furukawa, Yuki Kanetake, Katsuhiko Inaba, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura

Proceedings of 10th International Conference on Science and Engineering 2019 ICSE2019 EE-2 2019年12月
Synthesis and characterization of AlTiO films by mist-CVD

Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Takaaki Tsuda, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura

2019 Compound Semiconductor Week (CSW) TuP-H-3 2019年5月筆頭著者責任著者
Effect of Buffer Layer on Improvement of SnO₂ Thin Film on Sapphire Substrate Formed by Mist Chemical Vapor Deposition

Thant Zin Win, Takumi Furukawa, Yudai Tanaka, Koshi Okita, Koji Sue, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura

2019 Compound Semiconductor Week (CSW) TuP-H-5 2019年5月
Characterization of amorphous aluminium oxide thin films synthesized by mist-CVD

Zenji Yatabe, Koshi Nishiyama, Takaaki Tsuda, Kazuki Nishimura, Yusui Nakamura

2019 Compound Semiconductor Week (CSW) TuP-H-6 2019年5月筆頭著者責任著者
Effect of Buffer Layer on the Structural Properties of Tin Oxide Thin Film on Sapphire Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition

Thant Zin Win, Takumi Furukawa, Yudai Tanaka, Koshi Okita, Kensuke Minami, Koji Sue, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura

Proceedings of the Engineering Workshop 2018 OC- 6 2018年11月
Formation of N-doped ZnO thin films formed by annealing in NH₃ gas ambient

Takumi Furukawa, Masato Takenouchi, Yudai Tanaka, Koji Sue, Shoji Nagaoka, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura

Proceedings of the Engineering Workshop 2018 PC- 6 2018年11月
Epitaxial growth of non-polar ZnO films on buffer layers on sapphire substrates by mist chemical vapor deposition

Yudai Tanaka, Yuki Nagao, Takumi Furukawa, Zenji Yatabe, Koji Sue, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura

Proceedings of the Engineering Workshop 2018 PC-9 2018年11月
Mist-CVD deposition of AlTiO thin films for potential applications in AlGaN/GaN MOS-HEMTs

K. Nishiyama, K. Nishimura, T. Tsuda, Z. Yatabe, K. Sue, Y. Nakamura

Proceedings of the Engineering Workshop 2018 PC- 3 2018年11月責任著者
Mist-chemical vapor deposition grown-single crystalline oxide semiconductors

Zenji Yatabe, Hironobu Tanoue, Koshi Okita, Masato Takenouchi, Takahiro Ishida, Takaaki Tsuda, Tomoki Mikuriya, Shoji Nagaoka, Koji Sue, Yusui Nakamura

Proceedings of the 35th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Conference 35(1) INV-1B-01-1-4 2017年6月招待有り筆頭著者責任著者
Improved linearity, stability, and thermal performance of multi-mesa-channel AlGaN/GaN HEMTs

Joel T. Asubar, Hirokuni Tokuda, Masaaki Kuzuhara, Zenji Yatabe, Kenya Nishiguchi, Tamotsu Hashizume

Proceedings of the 34th Samahang Pisika ng Pilipinas Physics Congress 34 INV-1B-01-1-4 2016年8月招待有り
Improvement of m-plane ZnO films formed on buffer layers on sapphire substrates by mist chemical vapor deposition

Hironobu Tanoue, Tatsuya Yamashita, Shohei Wada, Zenji Yatabe, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura

2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) (53) MoP-ISCS-103-34 2016年6月
SnO₂ thin films grown on m-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition

Tatsuya Otabe, Takehide Sato, Junya Matsushita, Zenji Yatabe, Koji Sue, Shoji Nagaoka, Yusui Nakamura

2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS) MoP-ISCS-101 2016年6月責任著者
電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性

喜田弘文, 熊崎祐介, 谷田部然治, 佐藤威友

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 115(170) 51-54 2015年7月
Al₂O₃/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価

谷田部然治, 橋詰保

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 115(108) 1-4 2015年6月招待有り筆頭著者
Effects of surface charging and interface states on current stability of GaN HEMTs

T. Hashizume, Z. Yatabe, K. Nishiguchi

Proceedings of the 39th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2015) 51-54 2015年6月

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講演・口頭発表等

214

1/f雑音の電子トラップ時定数分布

谷田部然治, 葛西誠也

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月23日応用物理学会
GaN自立基板上に作製したmist-Al₂O₃/n-GaN構造の評価

谷田部然治, 福光将也, ラズアンハディラ, 尾藤圭悟, 越智亮太, 中村有水, 佐藤威友

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月22日応用物理学会
次世代パワー・高周波デバイスの実現に向けたワイドギャップ半導体界面の評価と制御

谷田部然治

2024年年会 2024年3月14日日本セラミックス協会招待有り
界面準位がワイドバンドギャップ半導体MOSキャパシタの容量–電圧特性に与える影響

福島匠, 谷田部然治

第14回半導体材料・デバイスフォーラム 2023年12月9日熊本高等専門学校電子材料・デバイス研究部半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会
ゲート絶縁膜堆積プロセスとデバイス評価技術の開拓

谷田部然治

電子情報通信学会北海道支部講演会 2023年11月28日電子情報通信学会北海道支部招待有り
GaN-based MOS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Gate Insulator

Keigo Bito, Hikaru Hiroshige, Ren Hashimoto, Masaki Ishiguro, Joel T. Asubar, Yusui Nakamura, Zenji Yatabe

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) 2023年11月12日
ミストCVD法によるアモルファスAl₂O₃薄膜とmist-Al₂O₃/AlGaN/GaN MISキャパシタの界面評価

廣重輝, 尾藤圭悟, 橋本蓮, 石黒真輝, アスバルジョエル, 中村有水, 谷田部然治

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日応用物理学会
Al₂O₃/AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの閾値変動と界面準位の関連性

福光将也, 谷田部然治

2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会 2023年9月7日電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会
Mist chemical vapor deposited-gate insulators for GaN-based MIS devices applications

Zenji Yatabe, Joel T. Asubar, Yusui Nakamura

The 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2022) 2022年11月28日 IEEE EDS Kansai Chapter 招待有り
半導体デバイス解析技術を応用した体重変動のウルトラスローダイナミクスの解析

谷田部然治

第4回熊本大学ライフサイエンスシーズ探索研究会 2022年11月23日熊本大学病院総合臨床研究部
室温におけるAl₂O₃/AlGaN/GaN HEMTの界面準位密度評価手法の開発

本山智洋, 谷田部然治

第13回半導体材料・デバイスフォーラム 2022年10月10日熊本高等専門学校電子材料・デバイス研究部半導体材料・デバイスフォーラム実行委員会
Anomalously high threshold voltage shift in Al₂O₃/AlGaN/GaN structures with regrown AlGaN layer

A. Baratov, S. Kawabata, S. Urano, I. Nagase, M. Ishiguro, S. Maeda, T. Igarashi, T. Nezu, Z. Yatabe, M. Matys, T. Kachi, B. Adamowicz, A. Wakejima, M. Kuzuhara, A. Yamamoto, J. T. Asubar

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022) 2022年8月30日 The Technical Committee on Electron Devices, IEICE
Simple characterization of interface states in ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN structure at room temperature

Zenji Yatabe, Takumi Fukushima, Hikaru Hiroshige, Tomohiro Motoyama, Joel T. Asubar

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2022) 2022年8月30日 The Technical Committee on Electron Devices, IEICE
Mist-Al₂O₃とALD-Al₂O₃を絶縁膜としたAlGaN/GaN MIS-HEMTs

浦野駿, アスバルジョエル, ロウルイシャン, ムハンマドファリス, 石黒真輝, 永瀬樹, バラトフアリ, 本山智洋, 中村有水, 葛原正明, 谷田部然治

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日応用物理学会
ミストCVD法により堆積したAl₂O₃絶縁膜の評価とmist-Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTへの応用

本山智洋, 浦野駿, バラトフアリ, 中村有水, 葛原正明, アスバルジョエル, 谷田部然治

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日応用物理学会
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al₂O₃ gate dielectric deposited by mist-CVD method

M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara

The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月19日 IEEE EDS Kansai Chapter
Electrical properties of GaN-based MISHEMTs with Al₂O₃ gate insulator deposited by ALD and mist-CVD techniques

S. Urano, R. S. Low, M. Faris, M. Ishiguro, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara

The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月18日 IEEE EDS Kansai Chapter
Mist chemical vapor deposited-Al₂O₃/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs

Tomohiro Motoyama, Zenji Yatabe, Yusui Nakamura, Ali Baratov, Rui Shan Low, Shun Urano, Joel T. Asubar, Masaaki Kuzuhara

The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK 2021) 2021年11月18日 IEEE EDS Kansai Chapter
ミストCVD法により作製したAl₂O₃薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用

本山智洋, Ali Baratov, Rui Shan Low, 浦野駿, 中村有水, 葛原正明, Joel T. Asubar, 谷田部然治

2021年日本表面真空学会学術講演会 2021年11月4日日本表面真空学会
ミストCVD法によるAl₂O₃絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの作製と評価

本山智洋, Ali Baratov, Rui Shan Low, 浦野駿, 中村有水, 葛原正明, 谷田部然治, Joel T. Asubar

第10回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール 2021年8月21日つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション (TPEC)

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担当経験のある科目(授業)

2023年9月 - 現在

現代半導体物理学 (熊本大学)
2021年6月 - 現在

半導体物理学特論 (熊本大学)
2020年11月 - 現在

課題解決法演習 (熊本大学)
2019年4月 - 現在

情報電気電子工学実験Ⅰ (熊本大学)
2022年6月 - 2024年3月

電磁気学Ⅰ (熊本大学)
2022年6月 - 2024年3月

電磁気学第一 (熊本大学)
2017年4月 - 2024年3月

情報電気電子工学実験第一電気計測基礎(2) (熊本大学)
2020年4月 - 2022年7月

ものづくり入門実習 (熊本大学)
2019年6月 - 2021年8月

電磁気学演習Ⅰ (熊本大学)
2016年4月 - 2021年8月

電磁気学演習第一 (熊本大学)

所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

谷田部然治, Joel Asubar, 中村有水
Study on high-κ dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

Joel Asubar, 谷田部然治, 葛原正明
高分子溶液の流動挙動を相転移の観点から明らかにする積分変換法の提案

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2019年6月 - 2022年3月

日出間るり, 谷田部然治, 鈴木洋
ミストCVD法による窒化物半導体の表面パッシベーション・絶縁ゲート構造の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

谷田部然治, Joel Asubar, 末吉哲郎, 中村有水
絶縁膜/窒化物半導体界面の評価・制御とトランジスタ応用への基礎的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

谷田部然治
低温・大気圧におけるプラスチック基板上透明導電膜の作製

科学技術振興機構 (JST) マッチングプランナープログラム「企業ニーズ解決試験」 2016年6月 - 2017年3月

谷田部然治
パワーデバイス応用に向けた絶縁膜/酸化物半導体界面の評価と制御

材料科学技術振興財団 (MST) 平成28年度研究助成 2016年4月 - 2017年3月

谷田部然治
酸化物を用いた新型パワートランジスタの開発

熊本大学エコ・エネ研究会研究資金 2015年12月 - 2016年3月

谷田部然治
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一, 谷田部然治
Onion Formation Process of Oil/Water/Surfactant System Under Shear Flow

東京農工大学同窓会同窓会学生援助事業 2007年8月 - 2007年8月

谷田部然治
自在ズリ流動場下での玉葱構造の形成過程について

日仏共同博士課程日本コンソーシアム日仏共同博士課程 2005年9月 - 2006年8月

谷田部然治

産業財産権

特開2018-140914 積層構造体及び発光ダイオード

中村有水, 谷田部然治

学術貢献活動

Applied Physics Letters

査読

2024年
第84回応用物理学会秋季学術講演会現地実行委員

企画立案・運営等

第84回応用物理学会秋季学術講演会現地実行委員 (熊本城ホールほか3会場) 2023年9月19日 - 2023年9月23日
第84回応用物理学会秋季学術講演会化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価座長

パネル司会・セッションチェア等

応用物理学会 (熊本市民会館) 2023年9月22日 - 2023年9月22日
2023年度(第76回)電気・情報関係学会九州支部連合大会半導体・電子デバイス座長

パネル司会・セッションチェア等

電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会 (崇城大学) 2023年9月7日 - 2023年9月7日
Applied Physics Express

査読

2023年
Applied Physics Express

査読

2023年
Applied Physics Express

査読

2023年
Applied Physics Express

査読

2023年
第13回半導体材料・デバイスフォーラム

企画立案・運営等

熊本高等専門学校電子材料・デバイス研究部 (熊本大学工学部) 2022年10月10日 - 2022年10月10日
Power Electronic Devices and Components

査読

2022年
Power Electronic Devices and Components

査読

2022年
Micromachines

査読

2022年
Applied Physics Express

査読

2022年
Applied Physics Express

査読

2022年
Applied Physics Express

査読

2022年
2021年日本表面真空学会学術講演会実行委員

企画立案・運営等

日本表面真空学会 (Virtual Conference) 2021年11月3日 - 2021年11月5日
Japanese Journal of Applied Physics

査読

2021年
Nanomaterials

査読

2021年
Japanese Journal of Applied Physics

査読

2021年
Coatings

査読

2021年

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メディア報道

エネルギー効率の未来次世代半導体デバイスの探求

熊本大学熊大通信 Vol. 91 半導体の可能性を探求する研究者たち—DX時代におけるイノベーションをおこす— 2024年1月会誌・広報誌
第7回熊本大学定例学長記者懇談会

熊本大学 3. 半導体関連について (資料3) 2021年12月その他
Mist-CVD enhances MIS-HEMTs

Compound Semiconductor 27(3) 53 2021年5月新聞・雑誌

その他

ムスタグアタ山 (7,509 m) 登頂

2001年8月 - 2001年8月

岡林良一, 宮本美貴夫, 桂木行人, 水野暢夫, 小口順史, 谷田部然治東京農工大学山岳会 https://sites.google.com/site/tuatacarchive/home

谷田部然治

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

学術貢献活動

メディア報道

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