小野 行徳

J-GLOBALへ         更新日: 17/06/30 02:55
 
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研究者氏名
小野 行徳
 
オノ ユキノリ
URL
https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/
所属
静岡大学
部署
電子工学研究所 - 極限デバイス研究部門
職名
教授
学位
修士(工学)(早稲田大), 博士(工学)(早稲田大)

研究分野

 
 

受賞

 
2016年9月
第38回応用物理学会論文賞
 

書籍等出版物

 
電子・物性系のための量子力学-デバイスの本質を理解する
小野 行徳
森北出版株式会社   2015年9月   

講演・口頭発表等

 
Time domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS transistors
T.Watanabe,M.Hori,Y.Ono
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2016)   2016年7月   
Charge pumping EDMR towards charge/spin manipulation in silicon at room temperature
M.Hori,R.Narimatsu,Y.Ono
2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop(SNW2016)   2016年6月   
Novel application of the charge pumping process for charge and spin control [招待有り]
M. Hori,Y. Ono
EMN Meeting on Quantum 2016   2016年4月   
Cryogenic Charge Pumping using Silicon on Insulators
T. Watanabe,M. Hori,T. Saruwatari,A. Fujiwara,Y. Ono
28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)   2015年11月   
Electrically detected magnetic resonance study on silicon PN junction
Y. Nishiuchi ,K. Furuta,T. Mitani,M. Hori,Y. Ono
2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015)   2015年6月   

担当経験のある科目

 

競争的資金等の研究課題

 
シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御
基盤研究(A)
研究期間: 2016年4月 - 2020年3月
高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御
挑戦的萌芽研究
研究期間: 2015年4月 - 2017年3月
シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究
基盤研究(B)
研究期間: 2013年4月 - 2016年3月