2010年 - 2011年
中性子散乱による高分子薄膜の表面及び界面物性研究
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究(B) 若手研究(B)
高分子薄膜の物性はバルクと大きく異なることが知られている。そこで、高分子薄膜の特異物性の原因を探るため,我々は中性子反射率法により高分子薄膜の表面・界面近傍の物性を調べた。その結果、高分子薄膜の表面近傍の運動性はバルクと比較して高く、一方界面近傍の運動性はバルクと比較して著しく低下することが明らかとなった。即ち最終的な高分子薄膜の物性は薄膜の表面・界面物性の言わばバランスに起因することが分かった。
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- 課題番号 : 22750110
- 体系的課題番号 : JP22750110