Biをサーファクタントとした独自の成長方法によって成長したGaAsP歪補償層を有する10層量子ドットを対象とし、DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy)評価を行った。DLTSのパルス幅依存性測定からキャリアの捕獲に長い時間がかかっていることが明らかになったため、キャリア捕獲過程のDLTS測定を試みた。その結果、キャリアの放出と捕獲の過程において、活性化エネルギー等が同様の特性を示すことがわかった。この結果から、双方の過程は共通のバリアで律速されており、共通のバリアはGaAsP歪補償層と考えられることを示した。