MISC

2009年3月4日

サブスレッショルド回路における基板バイアスを考慮したトランジスタのばらつきモデリングとリングオシレータを用いた検証

電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術
  • 更田 裕司
  • ,
  • 橋本 昌宜
  • ,
  • 密山 幸男
  • ,
  • 尾上 孝雄

108
478
開始ページ
201
終了ページ
206
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

本稿では,90nmプロセスで試作したテストチップを用いて,サブスレッショルド回路における製造ばらつきのモデリングと基板バイアスによる回路性能制御性の評価を行う.試作した測定回路は,トランジスタ単体特性を測定する回路とリングオシレータの発振周期を測定する回路をアレイ状に配置したものである.本回路を用いて,トランジスタ特性測定からばらつきモデルを抽出し,リングオシレータの発振周期測定の結果を用いてばらつきモデルの検証行う.また,基板バイアスについても同様の検証を行い,基板バイアスによる性能制御性のモデリングを行う.

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110007325028
CiNii Books
http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013323
URL
http://id.ndl.go.jp/bib/10204047
ID情報
  • ISSN : 0913-5685
  • CiNii Articles ID : 110007325028
  • CiNii Books ID : AN10013323

エクスポート
BibTeX RIS