2009年3月4日
サブスレッショルド回路における基板バイアスを考慮したトランジスタのばらつきモデリングとリングオシレータを用いた検証
電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術
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- 巻
- 108
- 号
- 478
- 開始ページ
- 201
- 終了ページ
- 206
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
本稿では,90nmプロセスで試作したテストチップを用いて,サブスレッショルド回路における製造ばらつきのモデリングと基板バイアスによる回路性能制御性の評価を行う.試作した測定回路は,トランジスタ単体特性を測定する回路とリングオシレータの発振周期を測定する回路をアレイ状に配置したものである.本回路を用いて,トランジスタ特性測定からばらつきモデルを抽出し,リングオシレータの発振周期測定の結果を用いてばらつきモデルの検証行う.また,基板バイアスについても同様の検証を行い,基板バイアスによる性能制御性のモデリングを行う.
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110007325028
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013323
- URL
- http://id.ndl.go.jp/bib/10204047
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110007325028
- CiNii Books ID : AN10013323