本研究では、フレキシブルディスプレイ駆動用素子として有機半導体材料と埋め込み型ゲート電極を用いた有機静電誘導型トランジスタ(Organic Static Induction Transistor : OSIT)と有機発光素子(Organic Light Emitting Diode : OLED)を組み合わせた有機発光トランジスタ(Organic Light Emitting Transistor : OLET)を作製し、その基礎的動作特性について調べた。有機半導体層として銅フタロシニン、α-NPDを有機薄膜層とした素子を作製した結果、良好なSIT特性を有する素子を得ることが可能となった。また、ガラス基板上に作製したSIT素子の静特性を測定した結果、Alゲート電極形状がトランジスタ特性に大きな影響を与えていることが判明した。OLET素子の応答速度と発光特性の関係について調べた結果、スリット状ゲート電極間隔がOLETの輝度特性の大きく関与していることが判明した。一方、有機半導体層として高い移動度を有するペンタセンを用いたOSIT素子を作製した結果、ソース電極界面のホール注入に対する適切なポテンシャルバリアを形成することによって、良好なゲート変調特性を有する素子を得ることが可能となった。また、プラスチック基板上に作製したSIT素子の静特性を測定した結果、ガラス基板上に作製したSI...