半導体放射線検出器は、放射線から電気信号への変換効率が良く、高い分解能を持つ。しかし、従来は無機材料が用いられており、製作に手間がかかるなどの欠点があった。本研究では、有機半導体を用いて放射線測定が可能な素子を製作し、その特性を評価することを目的とした。製作にあたっては、真空度4.5×10-6[Torr]において、ITO電極上にα-NPD(500A)/td-PTC(500A)/Al(700A)を積層した。陽極と陰極の幅は2[mm]、素子の面積は4[mm2]とした。まず、可視光の強さが1[kW/cm2]となるように素子の位置を調整した状態で可視光を照射し、測定を行った。素子に逆電圧を印加し可視光を照射すると、暗電流よりも10^5程度大きい電流値が得られた。次に、製作した素子が放射線検出器として動作するのか確認するため、X線発生装置を用いて実験を行った。素子に逆電圧を印加した状態でX線(約710mSv/h)を照射しつつ測定した。素子にX線を照射すると、暗電流に比べて電流が約40〜50[pA]程度増加した。印加電圧が大きくなるにつれて電流の増加量も大きくなった。逆電圧の増加よって空乏層が大きくなり、放射線からの付与エネルギーが大きくなったためと考えられる。また、X線発生装置の加速電圧を大きくしても電流値が大きくなった。これらのことから、製作した有機PDが、放射線検出器として動作して...