論文

2010年6月18日

金属埋め込みInAs量子ドットからの高効率単一光子発生

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス
  • 中島 秀朗
  • ,
  • 江国 晋吾
  • ,
  • 熊野 英和
  • ,
  • 井筒 康洋
  • ,
  • 飯島 仁史
  • ,
  • 笹倉 弘理
  • ,
  • 末宗 幾夫

110
103
開始ページ
11
終了ページ
14
記述言語
日本語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

量子情報分野への応用に向けた量子ドットの研究において、量子ドットを含む半導体ピラー構造を金属層中に埋め込む金属埋め込み構造を新規に提案し、その作製を行い、単一光子発生に関して単一光子純度(多光子発生の抑制)・光子取り出し効率の2つの観点から評価を行った。金属埋め込み構造による非共鳴励起下での高純度な単一光子発生、光子取出し効率の向上について報告する。

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/110007890793
CiNii Books
http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10442691
ID情報
  • ISSN : 0913-5685
  • CiNii Articles ID : 110007890793
  • CiNii Books ID : AN10442691

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