2010年6月18日
金属埋め込みInAs量子ドットからの高効率単一光子発生
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス
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- 巻
- 110
- 号
- 103
- 開始ページ
- 11
- 終了ページ
- 14
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
量子情報分野への応用に向けた量子ドットの研究において、量子ドットを含む半導体ピラー構造を金属層中に埋め込む金属埋め込み構造を新規に提案し、その作製を行い、単一光子発生に関して単一光子純度(多光子発生の抑制)・光子取り出し効率の2つの観点から評価を行った。金属埋め込み構造による非共鳴励起下での高純度な単一光子発生、光子取出し効率の向上について報告する。
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110007890793
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10442691
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110007890793
- CiNii Books ID : AN10442691