2006年
Investigation of N-Channel Triple-Gate MOSFETs on (100) SOI Substrate
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
- 巻
- 45
- 号
- 4B
- 開始ページ
- 3097
- 終了ページ
- 3100
- DOI
- 10.1143/JJAP.45.3097
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1143/JJAP.45.3097