2015年4月 - 2018年3月
有機グラフォエピタキシーの分子レベル初期過程の解明
日本学術振興会 基盤研究(C) (15K04674) 基盤研究(C)
- 課題番号
- 15K04674
- 体系的課題番号
- JP15K04674
- 担当区分
- 研究代表者
- 配分額
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- (総額)
- 4,940,000円
- (直接経費)
- 3,800,000円
- (間接経費)
- 1,140,000円
- 資金種別
- 競争的資金
グラフォエピタキシーは、基板表面に人工的に作製した溝等の微細構造に対して面内配向した結晶薄膜が成長する疑似的なエピタキシー現象である。この現象が有機半導体分子系でも起こることを2006 年に報告したが、メカニズムは未明瞭であり、本課題では、分子動力学(MD)シミュレーションを駆使して分子レベルの素過程を解明する研究に取り組んだ。溝のある基板のモデルを作成し、その溝の中で有機半導体分子がどのように振舞うかをシミュレートしたところ、実験で得られた溝壁面に対する面内配向を再現できたほか、分子の堆積、結晶化過程まで含めた有機グラフォエピタキシーの総合的シミュレーションにも成功した。
- リンク情報
- ID情報
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- 課題番号 : 15K04674
- 体系的課題番号 : JP15K04674