2016年5月19日
絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 (電子部品・材料)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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- 巻
- 116
- 号
- 49
- 開始ページ
- 19
- 終了ページ
- 23
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 電子情報通信学会
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/40020849144
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10012932
- URL
- http://id.ndl.go.jp/bib/027374986
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 40020849144
- CiNii Books ID : AN10012932