Etsumasa Kameda

半導体デバイス内発光分布と発光解析用顕微鏡で観測した光強度分布の光伝搬経路シミュレーションを用いた比較 

シミュレーション, 21(1) 65-71, 2002  

An Analytical Propagating Path and Intensity Profile of Photons Emitted in Semiconductor Devices Regarding Reflection and Refracted Transmission 

Journal of the Japan Society for Simulation Technology, 20(1) 78-85, 2001  

半導体デバイス内の光伝搬経路と光量強度分布の一解析法(共著) 

シミュレーション, 18(2) 51-57, 1999  

Interface state density in n-MOSFETs with Si-implanted gate oxide measured by subthreshold slope analusis(共著) 

SOLID-STATE ELECTRONICS, 43(3) 565-573, 1999  

Study of the current-voltage characteristics in MOS capacitors with Si-implanted gate oxide(共著) 

SOLID-STATE ELECTRONICS, 43(3) 555-563, 1999  

磁気飽和を考慮した軸対称静磁界有限要素法解析 

富山工業高等専門学校紀要, 32(1) 45-49, 1998  

A Finite Element Analysis on Saturating Magnetostatic Fields with Axical Symmetry 

RESEARCH REPORTS OF TOYAMA NATIONAL COLLEGE OF TECHNOLOGY, 32(1) 45-49, 1998  

半導体における2次元有限要素シミュレーション 

日本シミュレーション学会第14回計算電気・電子工学シンポジウム論文集, 3-1,175, 1993  

Two Dimensional Finite Element Simulation on Semiconductors 

3-1,175, 1993  

高専教育の充実について 

高専教育, 15, 1992  

疎結合トランスを含むE級動作スイッチング回路の状態方程式 

富山工業高等専門学校紀要, 22(1), 1988  

E級動作スイッチング回路について 

富山工業高等専門学校紀要, 21(1), 1987  

直流電源の特性改善(2)…DC-DCコンバータの2次側オン時間制御方式… 

富山工業高等専門学校紀要, 20(1), 1986  

Finite Element Simulation of Hall Effect in Semiconductors 

COMPEL The International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering, 5(3), 1986  

バスケットボール競技のための電光掲示時計板の製作について 

富山工業高等専門学校紀要, 18(1), 1984