MISC

1980年

Lateral Definition of Monocrystalline GaAs Prepared by Molecular Beam Epitaxy “jointly worked”

Journal of the Electrochemical Society

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1562
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1567
DOI
10.1149/1.2129951

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https://doi.org/10.1149/1.2129951
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  • DOI : 10.1149/1.2129951
  • ISSN : 0013-4651

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