宇治原徹 (Toru Ujihara) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部教授

学位: 博士(工学）(京都大学)

連絡先: ujiharanagoya-u.jp
J-GLOBAL ID: 200901028961011256
Researcher ID: M-3152-2016
researchmap会員ID: 1000283078

外部リンク: https://ujihara.material.nagoya-u.ac.jp/

研究キーワード

経歴

2022年6月 - 現在

株式会社UJ-Crystal, 代表取締役
2021年4月 - 現在

国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研), エレクトロニクス・製造領域研究戦略部窒（現：研究企画室）化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ, ラボ長
2019年11月 - 現在

株式会社アイクリスタル, 取締役
2018年6月 - 現在

国立研究開発法人理化学研究所, 革新知能統合研究センター, 客員研究員
2018年4月 - 現在

三重県教育委員会, 県立津高等学校スーパーサイエンスハイスクルール運営指導委員
2018年4月 - 現在

公益財団法人名古屋産業科学研究所(名産研), 非常勤所員
2016年11月 - 現在

国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研), エレクトロニクス・製造領域研究戦略部窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ, ラボ長
2016年11月 - 現在

株式会社U-MaP, 取締役 CTO
2015年10月 - 現在

名古屋大学, 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部, 教授
2015年10月 - 現在

名古屋大学未来材料・システム研究所未来エレクトロニクス集積研究センター・教授
2010年10月 - 現在

名古屋大学大学院工学研究科・教授
2016年11月 - 2021年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研), エレクトロニクス・製造領域研究戦略部窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ, 副ラボ長
2016年11月 - 2021年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所(産総研), エレクトロニクス・製造領域研究戦略部窒（現：研究企画室）化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ, 副ラボ長
2018年1月 - 2018年12月

株式会社キスモ, 社外アドバイザー
2014年4月 - 2015年9月

名古屋大学, グリーンモビリティ連携研究センターグリーンモビリティ連携研究センター運営統括室, 教授
2014年4月 - 2015年9月

名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター・教授
2010年10月 - 2014年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科マテリアル理工学専攻, 教授
2007年4月 - 2010年9月

名古屋大学, 大学院工学研究科結晶材料工学専攻, 准教授
2008年10月

名古屋大学大学院工学研究科附属バックキャストテクノロジー材料センター准教授（兼任）
2007年4月

名古屋大学大学院工学研究科准教授

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学歴

1993年4月 - 1995年3月

京都大学, 工学研究科, 材料工学

委員歴

2021年8月 - 2023年3月

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構, 技術委員
2021年3月 - 2021年3月

第8回アジア結晶成長・結晶技術国際会議（CGCT-8), 実行委員
2020年11月 - 2020年11月

第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）, プログラム委員

受賞

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論文

274

Machine Learning for Semiconductor Process Simulation Described by Coupled Partial Differential Equations

Sato, R, Kutsukake, K, Harada, S, Tagawa, M, Ujihara

ADVANCED THEORY AND SIMULATIONS 2023年7月16日査読有り最終著者
Numerical Modeling of the Cellular Structure Formation Process in SiC Solution Growth for Suppression of Solvent Inclusions

Zhou, HQ, Zhou, Huiqin, Miura, H, Miura, Hitoshi, Dang, YF, Dang, Yifan, Fukami, Y, Fukami, Yuma, Takemoto, H, Takemoto, Hisaki …

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 23(5) 3393-3401 2023年5月3日査読有り
Modeling-Based Design of the Control Pattern for Uniform Macrostep Morphology in Solution Growth of SiC

Dang, Yifa, Liu, Xinbo,Zhu, Can, Fukami, Yuma,Ma, Shuyang , Zhou, Huiqin ,Liu, Xin, Kutsukake, Kentaro …

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 23(2) 1023-1032 2023年2月23日最終著者
Thermal conduction in titanium-chromium oxide natural superlattices with an ordered arrangement of nearly pristine interfaces

Shunya Sugimoto, Gareoung Kim, Tsunehiro Takeuchi, Miho Tagawa, Toru Ujihara, Shunta Harada

Journal of Alloys and Compounds 934 2023年2月10日査読有り最終著者
非弾性Ｘ線散乱によるルチル型酸化チタンのフォノン分散測定

原田俊太, 小坂直輝, 筒井智嗣, 田中克志, 田川美穂, 宇治原徹

SPring-8/SACLA利用研究成果集 10(6) 521-523 2022年12月査読有り最終著者
Bayesian Optimization for Cascade-Type Multistage Processes

Kusakawa, S, Takeno, S, Inatsu, Y, Kutsukake, K, Iwazaki, S, Nakano, T, Ujihara, T, Karasuyama, M, Takeuchi, I

NEURAL COMPUTATION 34(12) 2408-2431 2022年11月8日査読有り
Nucleation sites of expanded stacking faults detected by in operando x-ray topography analysis to design epitaxial layers for bipolar-degradation-free SiC MOSFETs

Kumiko Konishi, Ryusei Fujita, Keisuke Kobayashi, Akio Yoneyama, Kotaro Ishiji, Hiroyuki Okino, Akio Shima, Toru Ujihara

AIP Advances 12 2022年3月4日査読有り
Numerical investigation of solute evaporation in crystal growth from solution: A case study of SiC growth by TSSG method

Yifan Dang, Can Zhu, Xin Liu, Wancheng Yu, Xinbo Liu, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Journal of Crystal Growth 2022年2月1日
Solvent design aiming at solution property induced surface stability: A case study using SiC solution growth

Liu Xinbo, Dang Yifan, Suzuki Koki, Zhu Can, Yu Wancheng, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 578 2022年1月15日
High fracture toughness AlN achieved by addition of AlN whiskers and tape-casting

Shimizu Hiroki, Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Harada Shunta, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

JOURNAL OF THE CERAMIC SOCIETY OF JAPAN 130(1) 195-198 2022年1月
Immobilization of partial dislocations bounding double Shockley stacking faults in 4H-SiC observed by in situ synchrotron X-ray topography

Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Suo Hiromasa, Raghothamachar Balaji, Dudley Michael, Hanada Kenji, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

MATERIALIA 20 2021年12月
Bayesian Optimization for Cascade-type Multi-stage Processes

Shunya Kusakawa, Shion Takeno, Yu Inatsu, Kentaro Kutsukake, Shogo Iwazaki, Takashi Nakano, Toru Ujihara, Masayuki Karasuyama, Ichiro Takeuchi

arXiv:2111 2021年11月26日査読有り
In-operando x-ray topography analysis of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors to visualize stacking fault expansion motions dynamically during operations

Konishi Kumiko, Fujita Ryusei, Kobayashi Keisuke, Yoneyama Akio, Ishiji Kotaro, Okino Hiroyuki, Shima Akio, Ujihara Toru

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 130(14) 2021年10月14日査読有り
Control of microstructure and mechanical properties of sintered aluminum nitride through addition of aluminum nitride whiskers

Kondo Naoki, Shimamura Akihiro, Hotta Mikinori, Shimizu Hiroki, Ujihara Toru, Ohnishi Yoshihiro

JOURNAL OF ASIAN CERAMIC SOCIETIES 9(3) 1248-1254 2021年7月3日査読有り
Intensity Interference in a Coherent Spin-Polarized Electron Beam

Kuwahara Makoto, Yoshida Yuya, Nagata Wataru, Nakakura Kojiro, Furui Masato, Ishida Takafumi, Saitoh Koh, Ujihara Toru, Tanaka Nobuo

PHYSICAL REVIEW LETTERS 126(12) 2021年3月26日
Detection and classification of dislocations in GaN by optical microscope using birefringence

Atsushi Tanaka, Shunta Harada, Kenji Hanada, Yoshio Honda, Toru Ujihara, Hiroshi Amano

Proc. SPIE 11706, Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXV (117060Y) 2021年3月5日
Analysis of dislocation line tilt in GaN single crystal by Raman spectroscopy

Kokubo Nobuhiko, Tsunooka Yosuke, Inotsume Sho, Fujie Fumihiro, Onda Shoichi, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(SA) 2021年1月1日
Adaptive Bayesian optimization for epitaxial growth of Si thin films under various constraints

Osada Keiichi, Kutsukake Kentaro, Yamamoto Jun, Yamashita Shigeo, Kodera Takashi, Nagai Yuta, Horikawa Tomoyuki, Matsui Kota, Takeuchi Ichiro, Ujihara Toru

MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS 25 2020年12月査読有り
Plasmonic Manipulation of Sodium Chlorate Chiral Crystallization: Directed Chirality Transfer via Contact-Induced Polymorphic Transformation and Formation of Liquid Precursor

Niinomi Hiromasa, Sugiyama Teruki, Tagawa Miho, Ujihara Toru, Omatsu Takashige, Miyamoto Katsuhiko, Yoshikawa Hiroshi Y, Kawamura Ryuzo, Nozawa Jun, Okada Junpei T …

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 20(8) 5493-5507-5507 2020年8月5日
Temperature dependence of double Shockley stacking fault behavior in nitrogen-doped 4H-SiC studied by in-situ synchrotron X-ray topography

Fujie Fumihiro, Harada Shunta, Hanada Kenji, Suo Hiromasa, Koizumi Haruhiko, Kato Tomohisa, Tagawa Miho, Ujihara Toru

ACTA MATERIALIA 194 387-393 2020年8月1日査読有り

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MISC

Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion Behavior during Solution Growth of 4H-SiC Using Si-Al solvent

Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Shiyu Xiao, Miho Tagawa, Toru Ujihara

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 67-70 2014年査読有り
Electron Spectroscopy of Conduction Electrons Excited by Visible Light Utilizing NEA Surface

2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 288-291 2013年査読有り
Development of the new type polarized electron source for SPLEEM

Shoji Okumi, Naoto Yamamoto, Kuniaki Tamagaki, Atsushi Mano, Ryosuke Sakai, Masahiro Yamamoto, Makoto Kuwahara, Takanorl Morino, Aakira Utsua, Tsutomu Nakanishi …

PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL SPIN PHYSICS SYMPOSIUM 915 1085-+ 2007年査読有り

書籍等出版物

「データ駆動型材料開発」オントロジーとマイニング、計測と実験装置の自動制御・マテリアルズ・インフォマティクスを加速化させ実験プロセスを革新する「データ駆動型材料開発」の全貌!・材料探索のオントロジー、文献情報の抽出、計測インフォマティクスから実験装置の自動制御まで!・新規触媒や電池材料など、最新のデータ駆動型材料探索手法も一挙掲載!

船津公人, 堀憲次, 山口徹, 髙橋ローレンニコール, 山縣友紀, 櫛田達矢, 松本裕治, 石井真史, 岡博之, 鈴木晃, 坂本浩一, 石垣達也, 加藤明彦, 吉川友也, 進藤裕之, 久米慧嗣, 古崎晃司, 高下大貴, 小野直亮, 黄銘, Md.Altaf-Ul-Amin, 金谷重彦, 沓掛健太朗, 原田俊太, 宇治原徹, 清水研一, 濱本信次, 蒲池高志, 日沼洋陽, 宮里一旗, 髙橋啓介, 矢田陽, 佐藤一彦, 冨谷茂隆, 山本寛人, 山下俊介, 永村直佳, 松村太郎次郎, 安藤康伸, 堀場弘司, 尾嶋正治, 孝橋照生, 石附直弥, 清水亮太, 一杉太郎, 長田貴弘, 柳生進二郎, 松田翔一, 岩﨑悠真, 石田真彦 (担当:共著)

(株)エヌ・ティー・エス 2021年11月20日
ポストシリコン半導体―ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果―『第3編結晶成長・成膜法第4章溶液法によるSiC結晶成長法～SiCを事例として～』, 株式会社ニッケイ印刷編

財満鎮明, 佐藤勝昭, 押山淳, 室田淳一, 櫻庭政夫, 奥村元, 北畠真, 石田夕起, 矢野裕司, 竹内哲也, 尾鍋研太郎, 鳥海明, 酒井朗, 中塚理, 堀越佳治, 杉山弘樹, 秦雅彦, 高木信一, 大友明, 東脇正高, 佐々木公平, 須崎友文, 川原田洋, 小泉聡, 伊藤利道, 鈴木一博, 山崎聡, 竹内大輔, 大串秀世, 牧野敏晴, 小倉政彦, 加藤宙光, 末光眞希, 中辻寛, 小森文夫, 近藤大雄, 熊谷義直, 纐纈明伯, 森勇介, 今出完, 丸山美帆子, 吉村政志, 寒川義裕, 宇治原徹, 着本享, 松畑洋文, 幾原雄一, 中山隆史, 小日向恭祐, 山下良之, 笹原亮, 富取正彦, 吉武道子, 吉野淳二, 伊藤智徳, 岡田晋, 金山敏彦

株式会社エヌ・ティー・エス 2013年6月
『５パワー半導体材料』, 「太陽エネルギー社会を築く材料テクノロジー（Ⅰ） -材料デバイス編-」

宇治原徹, 名古屋大学大学院工学研究科材料バックキャストテクノロジー研究センター編 (担当:共著)

コロナ社 2013年
SiCパワーデバイスの開発と最新動向―普及に向けたデバイスプロセスと実装技術―

岩室憲幸, 中野佑紀, 原田信介, 古川彰彦, 今泉昌之, 大森達夫, 矢野裕司, 吉川正信, 先崎純寿, 二本木直, 築野孝, 浅野勝則, 辻崇富, 中山浩二, 匹田政幸, 渡邉純二, 加藤正史, 高尾和人, 徳田人基, 石川佳寛, 門田健次, 大谷昇, 宇治原徹, 藤本辰雄, 高橋宏和, 岩井利光, 星山豊宏, 加藤智久, 山口桂司, 佐藤誠, 佐野泰久, 有馬健太, 山内和人, 石田夕起, 土田秀一, 齋藤真, 伊瀬敏史 (担当:共著)

S＆T出版 2012年10月30日 (ISBN: 9784907002060)
これで使える機能性材料パーフェクトガイド

大竹尚登, 神埼昌郎, 宇治原徹, 髙﨑正也 (担当:共著)

講談社サイエンティフィク 2012年3月16日
半導体SiC技術と応用第2版 3.3.2 六方晶基板上への3C-SiC溶液成長

松浪弘之, 大谷昇, 木本恒暢, 中村孝, 編著, 宇治 (担当:共著)

日刊工業新聞社 2011年
「工学的手法による膜制御」, トランスポートソームの世界－膜輸送研究の源流から未来へ－

宇治原徹

京都廣川書店 2011年
SiCパワーデバイスの最新技術, SiCバルク結晶の溶液成長技術

宇治原徹

サイエンス&テクノロジー社 2010年
薄膜ハンドブック第2版, 2．2．1 エピタキシーの基礎

竹田美和, 宇治原徹 (担当:共著)

オーム社 2008年
4.1.5. 半導体量子構造の結晶成長と形成過程「自然に学ぶ材料プロセッシング」

宇治原徹

三共出版 2007年
"Effects of a Magnetic Field on the Crystallization of Protein" in "Materials Science in Static High Magnetic Fields"

G. Sazaki, S. Yanagiya, S.D. Durbin, S. Miyashita, T. Nakata, H. Komatsu, T. Ujihara, K.Nakajima, M. Motokawa (担当:共著)

Springer-Verlag Berlin, Heidelberg 2002年

講演・口頭発表等

864

Large Diameter SiC Crystal Growth assisted by AI technology

Toru UJIHARA

33th 2022 International Symposium on Micro-Nano Mechatronics and Human Science (MHS2022) 2023年11月30日
GaN気相成長における結晶表面状態予測のためのデジタルツインの構築

関翔太, 橋爪優果, 髙石将輝, 角岡洋介, 沓掛健太朗, 園田勉, 高橋言緒, 井手利英, 清水三聡, 宇治原徹

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
GaN気相成長における結晶表面状態予測のための機械学習用特徴量抽出

園田勉, 高橋言緒, 角岡洋介, 高石将輝, 関翔太, 沓掛健太朗, 井手利英, 清水三聡, 宇治原徹

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション

鄭朗程, 周惠琴, 黨一帆, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
SiC溶液法における溶媒中の溶質-不純物間結合安定性の第一原理計算による解析

関翔太, 河村貴宏, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会 2023年9月22日
ＳｉＣ溶液成長における炭素拡散場を介したマクロステップ相互作用の数値解析

中西祐貴, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会 2023年9月22日
大口径SiC 溶液成長における基礎技術とその応用

宇治原徹

日本金属学会2023年(第173回)秋期講演大会 2023年9月22日
Effects of Solution Properties on Growth Conditions of SiC Solution Growth

Juanheng Li, Zhou Huiqin, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2023） 2023年9月20日
Optimization of Temperature Distribution and Flow Distribution using Machine Learning for 8-Inch SiC Crystal Growth by TSSG Method

Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2023） 2023年9月19日
Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth

Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Tour Ujihara

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM2023） 2023年9月19日
AI を活用した SiC溶液成長技術の開発と今後の展望

宇治原徹

一般社団法人ワイドギャップ半導体学会特別公開シンポジウム 2023年9月7日
Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: An Ab InitioBased Approach

DC)Cai Peiyang, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20) 2023年8月3日
First-principles analysis of the activation energy of solute-additive bonds in the solvent of the SiC solution growth

Shota Seki, Takahiro Kawamura, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20) 2023年8月3日
Effect of crystallization conditions for the enlargement of the size of DNA-functionalized nanoparticles crystals

Lidong Zhang, Maasa Yokomori, Hayato Sumi, HsinYi Chou, Shoko Kojima, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20) 2023年8月2日
Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth

Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20) 2023年8月1日
Effect of macrostep height on formation of solvent inclusion in SiC solution growth

Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20) 2023年8月1日
Optimization method of crystal growth conditions by tacit knowledge (for large-diameter SiC solution growth)

Toru Ujihara, Masaru Isono, Kentaro Kutsukake, Ichiro Takeuchi, Koki Suzuki, Tomoaki Furusho, Miho Tagawa, Shunta Harada

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20) 2023年7月31日
Effects of PEG addition on particle-particle interactions in crystal growth of DNA functionalized nanoparticles

Shoko Kojima, Hayato Sumi, Noboru Ohta, Hiroshi Sekiguchi, Shunta Harada, Toru Ujihara, Katsuo Tsukamoto, Miho Tagawa

20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-20) 2023年7月31日
連立微分方程式で記述される半導体プロセスシミュレーションの機械学習

佐藤陸彌, 沓掛健太朗, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月18日
量子アニーリングを用いたプロセス最適化の検討

眞野幸希, 沓掛健太朗, 丹野航太, 中野倖太, 丸山伸伍, 宇治原徹

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日

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所属学協会

日本表面真空学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2022年4月 - 2025年3月

宇治原徹
情報学を融合した移動速度論に基づく半導体バルク結晶成長技術の革新

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2025年3月

岡野泰則, 稲富裕光, 宇治原徹
酸化物へのインターカレーションによる熱伝導可変素子の開発

挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2024年3月

宇治原徹
インターカレーションによる熱物性変化を活用した熱スイッチ素子の提案

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2020年7月 - 2022年3月

宇治原徹, 原田俊太
AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能放熱材料の研究開発

名古屋産業科学研究所戦略的創造研究推進事業 2018年9月 - 2021年3月

宇治原徹
結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2018年4月 - 2021年3月

宇治原徹
スポット溶接電極用銅基傾斜機能材料の研究

国内共同研究 2019年5月 - 2020年4月
AINウィスカー(窒化アルミニウム針状結晶)を用いた次世代高機能

科学研究費助成事業戦略的基盤技術高度化支援事業 2018年9月 - 2020年3月

宇治原徹
可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2016年4月 - 2017年3月

宇治原徹
パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

国内共同研究 2016年4月 - 2017年3月
可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2015年4月 - 2017年3月

宇治原徹
パワーデバイス実装用高熱伝導絶縁接着剤フィルムの開発

国内共同研究 2014年8月 - 2017年3月
高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2014年4月 - 2017年3月

宇治原徹
高品質・低抵抗SiC結晶の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2013年4月 - 2017年3月

亀井一人
可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2015年4月 - 2016年3月

宇治原徹
パワーデバイス実装用超高熱伝導接着剤フィルムの開発

国内共同研究 2015年4月 - 2016年3月
可視光励起光電子分光法による伝導バンド高速・高精度測定

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2014年4月 - 2015年3月

宇治原徹
AｌN多結晶体作製に関する研究

学内共同研究 2014年4月 - 2015年3月
LEDの素子特性および信頼性に及ぼす結晶欠陥の影響に関する技術情報

学内共同研究 2013年10月 - 2014年3月
量子構造太陽電池中を伝導する電子のエネルギー分光

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2013年4月 - 2014年3月

宇治原徹

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産業財産権

US20210009885A1 Aln crystal preparation method, aln crystals, and organic compound including aln crystals

Toru Ujihara, Yukihisa Takeuchi, Mingyu Chen, Masashi Nagaya
特開2020-085737 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法

横山竜介, 藤原俊幸, 樋口雄介, 宇治原徹
6534030 ＡｌＮ単結晶の作製方法及びＡｌＮ単結晶

宇治原徹, 永冶仁, 渡邉将太, 陳鳴宇, 竹内幸久
10-1911455 炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

宇治原徹, 原田俊太, 古池大輝, 梅崎智典
特許第6337389号炭化珪素粉粒体の製造方法

宇治原徹, 増田賢太, 一坪幸輝, 鈴木将和, 野中潔, 山﨑広樹
特許第6304477号炭化珪素粉粒体及びその製造方法

宇治原徹, 増田賢太, 一坪幸輝, 鈴木将和, 野中潔, 山﨑広樹
9881767 スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃
特許第6259740号炭化ケイ素の結晶の製造方法及び結晶製造装置

宇治原徹, 原田俊太, 古池大輝, 梅崎智典
特許第6207014号化合物半導体結晶の製造方法

宇治原徹, 柴田顕次
3150749 ＡＩＮ結晶の作製方法、ＡＩＮ結晶、及びＡＩＮ結晶を含む有機化合物

宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁
6086595 2次元ナノ粒子構造体及びその製造方法。

田川美穂, 宇治原徹, 磯貝卓巳, 赤田英里
特許第6069758号ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 朱燦
特許第5991556号太陽光で励起された電子のエネルギーの測定方法と測定装置

宇治原徹, 桑原真人, 原田俊太, 志村大樹, 市橋史朗
特許第5975482号ＳｉＣ単結晶の製造方法

宇治原徹, 原田俊太, 朱燦
特許第5936344号ＳｉＣ結晶の成長方法およびＳｉＣ結晶の製造装置

宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 柴田顕次, 市川慎一郎, 今岡功
特許第5936343号ＳｉＣ結晶の成長方法、ＳｉＣ結晶の製造装置、および結晶基板

宇治原徹, 原田俊太, 関和明, 柴田顕次, 市川慎一郎
WO2016/056425 スピン偏極電子線のコヒーレンス測定装置と、その利用方法

桑原真人, 田中信夫, 宇治原徹, 齋藤晃
WO2015/182477 ＡＩＮ結晶の作製方法、ＡＩＮ結晶、及びＡＩＮ結晶を含む有機化合物

宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁
2014-174171 AlN単結晶とその製造方法

宇治原徹, 永冶仁, 渡邉将太, 陳鳴宇, 竹内幸久
2014-112691 AlN結晶の作製方法、AlN結晶、及びAlN結晶を含む有機化合物

宇治原徹, 竹内幸久, 陳鳴宇, 永冶仁

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主要な社会貢献活動

株式会社サイオクス社内講演

講師

株式会社サイオクス株式会社サイオクス 2022年3月9日 - 2022年3月9日
ＳＳＨ運営指導委員会

講師, 助言・指導

三重県立津高等学校オンライン 2022年2月5日 - 2022年2月5日
津高等学校SSH研修会

講師, 助言・指導

三重県立津高等学校名古屋大学 C-TECs 2021年12月18日 - 2021年12月18日
三菱電機株式会社先端技術総合研究所社内講演

講師

三菱電機株式会社オンライン 2021年12月17日 - 2021年12月17日
愛知県立半田高等学校

講師

愛知県立半田高等学校愛知県立半田高等学校 2021年10月16日 - 2021年10月16日
愛知県立天白高等学校模擬授業

講師

愛知県立天白高等学校愛知県立天白高等学校 2021年10月5日 - 2021年10月5日
ＳＳＨ運営指導委員会

講師, 助言・指導

三重県立津高等学校名古屋大学 C-TECs 2021年6月10日 - 2021年6月10日
大陽日酸株式会社講演

講師

大陽日酸株式会社オンライン 2021年5月6日 - 2021年5月6日

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メディア報道

失敗作から新放熱材

読売新聞 2022年9月7日新聞・雑誌
新興で次世代パワー半導体「研究の軸は仮想空間で」

日本経済新聞 2022年4月5日新聞・雑誌
次世代半導体、AIで欠陥100分の1に名大が手法開発

日本経済新聞 2021年11月29日新聞・雑誌
STORY OF MOBILITY

ZIP-FM 2021年3月6日テレビ・ラジオ番組
製造プロセスにＡＩ活用３年でＳｉＣ６インチにめど

電子デバイス産業新聞 2021年1月14日新聞・雑誌
M&A目的に技術追及

日刊工業新聞 2020年12月29日新聞・雑誌
究極の材料と加工技術による技術革新を

トヨタ社内報 TES MAGAZINE vol.71,2020 2020年12月25日会誌・広報誌
大田高と名大、連携授業ーオンラインで対談。進路選択へ、大学生に聞く

山陰中央新報、日日新聞 2020年12月11日新聞・雑誌
１０年先の未来を見通し、革新的新素材で世界を変える

名古屋商工会議所 NAGOYA 2020年12月1日会誌・広報誌
放熱新素材の開拓加速

化学工業日報 2020年9月8日新聞・雑誌
大学発のロールモデルに

中部経済新聞 2020年7月14日新聞・雑誌
放熱性高める独自素材量産へ

中部経済新聞 2020年6月19日新聞・雑誌