2003年12月12日
InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製
電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス
- ,
- 巻
- 103
- 号
- 527
- 開始ページ
- 45
- 終了ページ
- 48
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
InP基板に格子整合するMgZnCdSe、BeZnTeII-VI族材料及びこれらを組み合わせた超格子材料を開拓し、広い可視光域で発光する半導体レーザ(LD)及び発光ダイオード(LED)に応用した。ZnCdSe/BeZnTe超格子を活性層、MgSe/BeZnTe超格子をpクラッド層、MgSe/ZnCdSe超格子をnクラッド層としたLEDを作製し、ピーク波長554nm(黄緑色)から644nm(赤色)の発光を得た。また、3500時間以上の長寿命動作を達成し、この素子の高い信頼性を示した。さらに活性層にZnCdSeを用いたLDを作製し、77Kにおいて中心波長560nmの黄緑色レーザ発振に初めて成功した。
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110003306908
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10442705
- URL
- http://id.ndl.go.jp/bib/6827854
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110003306908
- CiNii Books ID : AN10442705