絶縁ゲート構造を有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(AlGaN/GaN MIS HEMT)の、しきい値変動などの動作安定性・信頼性に係わる問題を解決するため、絶縁膜/AlGaN界面の界面準位密度の特性評価をおこない、AlGaN/GaN MIS HEMTをパワーデバイスへと応用する上で重要な知見を得た．容量―電圧特性の実験結果および理論的考察をもとに解析し、しきい値電圧変動は絶縁膜/AlGaN界面の界面準位に依存することが示唆された。また低ダメージの絶縁膜形成手法として有望なミスト化学気相成長法により、チタン酸アルミニウム薄膜を成膜することに成功した。