犬石 昌秀

J-GLOBALへ         更新日: 18/10/24 14:56
 
アバター
研究者氏名
犬石 昌秀
 
イヌイシ マサヒデ
所属
早稲田大学
部署
理工学術院
職名
教授
学位
Ph.D(Northwestern Univ.)

経歴

 
2003年4月
 - 
2016年2月
ルネサスエレクトロニクス 生産本部技術統括部 技師長/統括部長/部長
 

論文

 
Eikyu Katsumi, Sakai Atsushi, Matsuura Hitoshi, Nakazawa Yoshito, Akiyama Yutaka, Yamaguchi Yasuo, Inuishi Masahide
IEEE Conference Proceedings   2016(ISPSD) 211‐214   2016年
OHBAYASHI Shigeki, YABUUCHI Makoto, NII Koji, TSUKAMOTO Yasumasa, IMAOKA Susumu, ODA Yuji, YOSHIHARA Tsutomu, IGARASHI Motoshige, TAKEUCHI Masahiko, KAWASHIMA Hiroshi, YAMAGUCHI Yasuo, TSUKAMOTO Kazuhiro, INUISHI Masahide, MAKINO Hiroshi, ISHIBASHI Koichiro, SHINOHARA Hirofumi
IEEE J Solid-State Circuits   42(4) 820-829   2007年4月
HAYASHI Takashi, YAMASHITA Tomohiro, SHIGA Katsuya, HAYASHI Kiyoshi, ODA Hidekazu, EIMORI Takahisa, INUISHI Masahide, OHJI Yuzuru
Jpn J Appl Phys Part 1   44(4B) 2157-2160   2005年4月
ISHIBASHI Masato, HORITA Katsuyuki, SAWADA Mahito, KITAZAWA Masashi, IGARASHI Motoshige, KUROI Takashi, EIMORI Takahisa, KOBAYASHI Kiyoteru, INUISHI Masahide
Jpn J Appl Phys Part 1   44(4B) 2152-2156   2005年4月
YAMASHITA T, NISHIDA Y, HAYASHI K, EIMORI T, INUISHI M, OHJI Y
Jpn J Appl Phys Part 1   43(4B) 1799-1803   2004年4月
MAEDA S, KURIYAMA H, IPPOSHI T, MAEGAWA S, INOUE Y, INUISHI M, KOTANI N, NISHIMURA T
IEEE Trans Electron Devices   50(6) 1451-1458   2003年6月
YAMASHITA T, KITAZAWA M, KAWASAKI Y, TAKASHINO H, KUROI T, INOUE Y, INUISHI M
Jpn J Appl Phys Part 1   41(4B) 2399-2403   2002年4月
MATSUMOTO T, MAEDA S, HIRANO Y, EIKYU K, YAMAGUCHI Y, MAEGAWA S, INUISHI M, NISHIMURA T
IEEE Trans Electron Devices   49(1) 55-60   2002年1月
YAMAGUCHI Y, IPPOSHI T, UEDA K, MASHIKO K, MAEGAWA S, INUISHI M, NISHIMURA T
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E84-C(12) 1735-1745   2001年12月
HIRANO Y, MAEDA S, NII K, IWAMATSU T, IPPOSHI T, KAWASHIMA H, MAEGAWA S, INUISHI M, NISHIMURA T
IEEE Trans Electron Devices   48(12) 2816-2822   2001年12月
MAEDA S, WADA Y, YAMAMOTO K, KOMURASAKI H, MATSUMOTO T, HIRANO Y, IWAMATSU T, YAMAGUCHI Y, INUISHI M
IEEE Trans Electron Devices   48(9) 2065-2073   2001年9月
IWAMATSU T, NAKAYAMA K, TAKAOKA H, TAKAI M, YAMAGUCHI Y, MAEGAWA S, INUISHI M, KINOMURA A, NISHIMURA T
Jpn J Appl Phys Part 1   39(4B) 2236-2240   2000年4月
UENO S, INOUE Y, INUISHI M, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   39(4B) 1963-1968   2000年4月
SHIMIZU M, MITSUI K, INUISHI M, ARIMA H, HAMAGUCHI C
Jpn J Appl Phys Part 1   37(12A) 6340-6347   1998年12月
SHIMIZU M, KUROI T, INUISHI M, ARIMA H, ABE H, HAMAGUCHI C
Jpn J Appl Phys Part 1   37(11) 5926-5931   1998年11月
SHIMOMURA K, SHIMANO H, SAKASHITA N, OKUDA F, OASHI T, YAMAGUCHI Y, EIMORI T, INUISHI M, KYUMA K
IEEE J Solid-State Circuits   32(11) 1712-1720   1997年11月
KISHIMOTO T, TAKAI M, OHNO Y, NISHIMURA T, INUISHI M, KINOMURA A, HORINO Y, FUJII K
Nucl Instrum Method Phys Res Sect B Beam Interact Mater At   130(1/4) 524-527   1997年7月
KISHIMOTO T, TAKAI M, OHNO Y, NISHIMURA T, INUISHI M
Jpn J Appl Phys Part 1   36(6A) 3460-3462   1997年6月
YASUOKA A, KUROI T, SHIMIZU S, SHIRAHATA M, OKUMURA Y, INOUE Y, INUISHI M, NISHIMURA T, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   36(2) 617-622   1997年2月
MURAKAMI T, KUROI T, KAWASAKI Y, INUISHI M, MATSUI Y, YASUOKA A
Nucl Instrum Method Phys Res Sect B Beam Interact Mater At   121(1/4) 257-261   1997年1月
YAMASHITA T, KOMORI S, KUROI T, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 869-873   1996年2月
SHIRAHATA M, OKUMURA Y, ABE Y, KUROI T, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 874-881   1996年2月
SHIMIZU S, KUROI T, KUSUNOKI S, OKUMURA Y, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 802-806   1996年2月
KUROI T, SHIRAHATA M, OKUMURA Y, SHIMIZU S, TERAMOTO A, ANMA M, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 1454-1459   1996年2月
SHIMIZU S, TANIZAWA M, KUSUNOKI S, INUISHI M, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   34(2B) 889-894   1995年2月
KUROI T, KOBAYASHI M, SHIRAHATA M, OKUMURA Y, KUSUNOKI S, INUISHI M, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   34(2B) 771-775   1995年2月
SHIMIZU M, INUISHI M, TSUKAMOTO K, ARIMA H, MIYOSHI H
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E77-C(8) 1369-1376   1994年8月
KUROI T, KAWASAKI Y, ISHIGAKI Y, KINOSHITA Y, INUISHI M, TSUKAMOTO K, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   33(1B) 541-545   1994年1月
SHIMIZU M, YAMAGUCHI T, INUISHI M, TSUKAMOTO K
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E76-C(4) 532-540   1993年4月
KUROI T, KAWASAKI Y, MOMORI S, FUKUMOTO K, INUISHI M, TSUKAMOTO K, SHINYASHIKI H, SHINGYOJI T
Jpn J Appl Phys Part 1   32(1B) 303-307   1993年1月
OKUMURA Y, KUNIKIYO T, OGOH I, GENJO H, INUISHI M, NAGATOMO M, MATSUKAWA T
IEEE Trans Electron Devices   38(12) 2647-2656   1991年12月
MORIMOTO H, TSUKAMOTO K, SHINOHARA H, INUISHI M, KATO T
IEEE Trans Electron Devices   34(2 Pt.1) 230-234   1987年2月
INUISHI M, WESSELS B W
Thin Solid Films   103(1/2) 141-153   1983年5月

Misc

 
山口泰男, 新川田裕樹, 蒲原史朗, 犬石昌秀
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd ROMBUNNO.19P-W631-4   2016年3月
薮内 誠, 大林 茂樹, 新居 浩二, 塚本 康正, 今岡 進, 五十嵐 元繁, 竹内 雅彦, 川島 光, 牧野 博之, 山口 泰男, 塚本 和宏, 犬石 昌秀, 石橋 孝一郎, 篠原 尋史
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   106(206) 149-153   2006年8月
SRAM動作マージンを改善するための新しい回路技術を提案する。65nm世代の6T-SRAMにこの技術を導入することで、スケーリングトレンドに沿ったセル面積0.494mm^2を実現、新規回路を導入しない場合と比べ20%の高集積化を達成した。8Mbit規模のSRAMを試作し、その安定動作による高い歩留を得ることを確認した。
岡垣健, 谷沢元昭, 藤永正人, 国清辰也, 結城秀昭, 石川清志, 西川毅一, 栄森貴尚, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   52nd(0) 16   2005年3月
石橋真人, 堀田勝之, 沢田真人, 北沢雅志, 五十嵐元繁, 黒井隆, 栄森貴尚, 小林清輝, 犬石昌秀
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   67th 68-71   2004年12月
前川繁登, 一法師隆志, 犬石昌秀, 大路譲
電子情報通信学会技術研究報告   104(251(ICD2004 82-96)) 19-23   2004年8月
小松大士, 岩松俊明, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀, 大路譲
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   51st(2) 967   2004年3月
一法師 隆志, 平野 有一, 新居 浩二, 塚本 康正, 前川 繁登, 犬石 昌秀, 大路 譲
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   103(556) 33-36   2004年1月
独自のハイブリッドトレンチ分離を用いて,分離酸化膜を貫通して下部のSOI層へ電気的接触部を形成する直接ボディコンタクト構造を開発した.これにより,素子面積や寄生容量の増大を引き起こさずに,個々のトランジスタのボディ電位を制御できるSOIトランジスタ構造(Actively Body-bias Controlled (ABC) SOI構造)を実現することができた.このABC-SOI構造を用いて,アクセストランジスタとドライバトランジスタのボディ部をワードラインに接続した新構造SRAM(ABC-...
岩松俊明, 前川繁登, 犬石昌秀, 大路譲
応用物理学会学術講演会講演予稿集   64th(0) 69   2003年8月
阿保智, 水谷斉治, 池田幸司, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   49th(2) 884   2002年3月
前田茂伸, 栗山祐忠, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀
電子情報通信学会大会講演論文集   2002 222   2002年3月
前田 茂伸, 栗山 祐忠, 一法師 隆志, 前川 繁登, 犬石 昌秀
電子情報通信学会総合大会講演論文集   2002    2002年3月
西田征男, 佐山弘和, 太田一伸, 尾田秀一, 片山実紀, 井上靖朗, 森本博明, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   101(573(SDM2001 213-226)) 17-23   2002年1月
松本拓治, 太田和伸, 平野有一, 佐山弘和, 岩松俊明, 山本和也, 加藤隆幸, 山口泰男, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   101(573(SDM2001 213-226)) 31-36   2002年1月
前田茂伸, 栗山祐忠, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   101(573(SDM2001 213-226)) 37-42   2002年1月
西田 征男, 佐山 弘和, 太田 一伸, 尾田 秀一, 片山 実紀, 井上 靖朗, 森本 博明, 犬石 昌秀
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   101(573) 17-23   2002年1月
工程の増加を伴わずに、表面チャネル(Surface channel=SC)pMOSFETと埋め込みチャネル(Buried channel=BC)pMOSFETを1つのチップ内に作ることで、高信頼性と高性能の両立を可能とする新たなデバイス構造を提案する。System-on-a-Chip(SoC)において、I/O系およびアナログ系回路にBC構造を用いることにより負バイアス・温度不安定性(NBTI)とホットキャリア注入(HCI)に対する高い信頼性と優れた雑音特性が実現される。また、コア回路にSC...
園田賢一郎, 谷沢元昭, 永久克巳, 石川清志, 熊本敏夫, 河野浩之, 犬石昌秀, 井上靖朗
電子情報通信学会技術研究報告   101(318(VLD2001 68-72)) 13-18   2001年9月
前川繁登, 一法師隆志, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 594   2001年9月
太田和伸, 佐山弘和, 尾田秀一, 井上靖朗, 犬石昌秀, 中岡弘明, 中石賢太郎, 布施玄秀, 柁谷敦宏, 小倉基次
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 692   2001年9月
上野修一, 園田賢一郎, 寺本章伸, 梅田浩司, 黒井隆, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 693   2001年9月
阿保智, 水谷斉治, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 702   2001年9月
堀田勝之, 北澤雅志, 内田哲也, 黒井隆, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 919   2001年3月
上野修一, 寺本章伸, 梅田浩司, 黒井隆, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 805   2001年3月
園田賢一郎, 谷沢元昭, 永久克己, 熊本敏夫, 河野浩之, 石川清志, 小谷教彦, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(0) 36   2001年3月
水谷斉治, 阿保智, 岩松俊明, 前川繁登, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 917   2001年3月
阿保智, 水谷斉治, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 917   2001年3月
平野有一, 松本拓治, 前田茂伸, 岩松俊明, 国清辰也, 新居浩二, 山本和也, 山口泰男, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 918   2001年3月
犬石昌秀
三菱電機技報   75(3) 184-187   2001年3月
犬石 昌秀
三菱電機技報   75(3) 184-187   2001年3月
西田征男, 佐山弘和, 尾田秀一, 井上靖朗, 犬石昌秀
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   59th 18-23   2000年12月
前田 茂伸, 和田 佳樹, 山本 和也, 小紫 浩史, 松本 拓治, 平野 有一, 岩松 俊明, 山口 泰男, 一法師 隆志, 上田 公大, 益子 耕一郎, 前川 繁登, 犬石 昌秀
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   100(477) 47-53   2000年11月
RF/アナログ混載への応用に対して高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μm SOI CMOSが提案され、その可能性が明らかされる。ハイブリッドトレンチ分離とは、分離酸化膜の下に薄いSOI層を残すパーシャルトレンチ分離と残さない完全トレンチ分離の組み合わせである。この技術を用いて作成したSOI MOSFETを評価することにより、静電誘導損失の低減によるSOI MOSFETのRF応用に対するメリットが定量的に明らかにされる。また、このSOI MOSFETの優れたボディー固定能力...
塩沢勝臣, 堀田勝之, 伊藤康悦, 梅田浩司, 内田哲也, 徳田安紀, 井上靖朗, 佐藤真一, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   100(374(SDM2000 148-157)) 53-59   2000年10月
木寺真琴, 谷沢元昭, 園田賢一郎, 石川清志, 小谷教彦, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   100(293(VLD2000 48-56)) 35-40   2000年9月
奥平智仁, 油谷明栄, 柏原慶一朗, 常峰美和, 伊藤博巳, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th(2) 508   2000年3月
上野修一, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th(2) 904   2000年3月
阿保智, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th(2) 886   2000年3月
松本拓治, 前田茂伸, 平野有一, 山口泰男, 前川繁登, 犬石昌秀, 西村正
電子情報通信学会技術研究報告   99(681(SDM99 225-234)) 1-6   2000年3月
奥平智仁, 油谷明栄, 柏原慶一朗, 常峰美和, 伊藤博巳, 犬石昌秀
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   57th 97-102   1999年12月
平野 有一, 前田 茂伸, 松本 拓治, 新居 浩二, 岩松 俊明, 山口 泰男, 一法師 隆志, 川島 光, 前川 繁登, 犬石 昌秀, 西村 正
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   57 19-24   1999年12月
奥平 智仁, 油谷 明栄, 柏原 慶一朗, 常峰 美和, 伊藤 博巳, 犬石 昌秀
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   57 97-102   1999年12月
柏原慶一朗, 常峰美和, 油谷明栄, 奥平智仁, 藤田靖, 堀川剛, 芝野照夫, 大森達夫, 犬石昌秀
月刊Semiconductor World   18(13) 58-64   1999年11月
上野修一, 井上聡朗, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th(2) 758   1999年9月
西田征男, 佐山弘和, 大石敏之, 尾田秀一, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th(2) 643   1999年9月
伊藤博巳, 柏原慶一朗, 常峰美和, 奥平智仁, 油谷明栄, 犬石昌秀
月刊ファインケミカル   28(14) 24-36   1999年8月
黒井 隆, 清水 悟, 井上 靖郎, 犬石 昌秀
応用物理   66(4) 381-384   1997年
微細MOSFETの高性能,高信頼化を実現するための新しい窒素イオン注入技術についで述べる.ポリシリコンゲート電極に窒素イオン注入を行い窒素をゲート酸化膜に拡散させることで窒化酸化膜力形成できる.この技術を用いてボロンのゲート電極からの突き抜けが抑制できると同時に,ホットキャリア耐性などのゲート酸化膜信頼性を向上させることがでぎる.ざらに, MOSFETのソースドレイン領域に注入される窒素の影響で,不純物の拡散を抑制し,接合リーク電流を増加させることなく浅し接合の形成が河能となる.
酒井舞子, 黒井隆, 内田哲也, 安田徹, 小森重樹, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 622   1996年9月
西田征男, 清水悟, 黒井隆, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 669   1996年9月
古川彰彦, 阿部雄次, 清水悟, 黒井隆, 徳田安紀, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 668   1996年9月
佐山弘和, 黒井隆, 清水悟, 白畑正芳, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 664   1996年9月
黒井隆, 清水悟, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 平尾正
半導体研究   42 45-88   1996年8月
中込儀延, 犬石昌秀, ANAND M B
月刊Semiconductor World   15(8) 42-46   1996年8月
清水 悟, 谷沢 元昭, 楠 茂, 犬石 昌秀, 三好 寛和
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス 2-電子素子・応用   79(6) 273-281   1996年6月
ULSIは,デイープサブミクロン領域への微細化による高集積化と共に,低電源電圧での高性能動作が要求されてきている. このような要求に対して,電源電圧を下げても従来の信頼性判定基準である直流(DC)ストレスによるMOSトランジスタのホットキャリヤ寿命の見積りでは,劣化を過剰に見積もるため, トランジスタ性能が制限されてしまう.従って,実回路動作状態での実質的なデバイスの寿命である交流(AC)寿命を,精度良く求める手法が切望されている.我々は,ホットキャリヤ劣化速度係数がストレス条件に依存し,...
尾田 秀一, 上野 修一, 味香 夏夫, 犬石 昌秀, 三好 寛和
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス 2-電子素子・応用   79(6) 282-289   1996年6月
フラッシュメモリでは,メモリセルへの書き込みはチャネルホットエレクトロン注入を用い,消去はFNトンネリングを用いて行う.そのため,高い印加電圧が必要である. メモリセル構造は,効率的に書き込み/消去を行うためにソース/ドレーン非対称構造となっている.微細化を進めて行くうえで, これらの動作電圧の高いことやソース/ドレーンが非対称構造であることが問題となる. これらの問題に対し,べリッドチャネル形nMOSFETを用いたメモリセルを試作し,ホットキャリヤ注入効率を向上させ,低電源電圧化,対称構...
尾田秀一, 上野修一, 味香夏夫, 犬石昌秀, 三好寛和
電子情報通信学会論文誌 C-2   79(6) 282-289   1996年6月
清水悟, 黒井隆, 川崎洋司, 楠茂, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   43rd(2) 690   1996年3月
山下朋弘, 黒井隆, 小森重樹, 内田哲也, 小林清輝, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   43rd(2) 729   1996年3月
清水 悟, 黒井 隆, 酒井 舞子, 藤野 毅, 前田 容志, 堤 聡明, 広瀬 幸範, 楠 茂, 犬石 昌秀, 平尾 正
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス   95(194) 47-54   1995年7月
高性能,高信頼性を有する0.15μmCMOSトランジスタの新規プロセスを開発した。特徴は、以下の通り。(1)シリコン注入を用いたCoSi_2/Si基板界面の改善による浅い接合形成。(2)ゲート電極への窒素注入を用いたゲート窒化酸化膜形成による信頼性の改善。(3)ゲートアラウンドマスクを用いた選択的チャネル注入による接合容量の低減。これらの新規プロセスを用いる事で、ゲート長が0.15μmのトランジスタのホットキャリア耐圧が2Vをクリアし、CMOSリングオシレータにおいて、Vcc=2Vで21p...
KUROI T, INUISHI M
超LSIウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム   22nd 333-342   1994年8月

講演・口頭発表等

 
HIRANO Y, IPPOSHI T, THAI D H, IWAMATSU T, IKEDA T, TSUJIUCHI M, MAEGAWA S, INUISHI M, OHJI Y
Dielectr Nanosystems Mater Sci Process Reliab Manuf   2004年   
TOMITA K, HASHIMOTO K, INBE T, OASHI T, INUISHI M, MIYANAGA I, NAKAMURA M, KAJIYA A, OGURA M
Dig Tech Pap Symp VLSI Technol   2002年   
SONODA K, TANIZAWA M, EIKYU K, ISHIKAWA K, KUMAMOTO T, KOUNO H, INUISHI M
SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 2001   2001年9月20日   
MOSFETのフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性を, MOSFETのチャネル内の電子濃度分布を用いてモデル化した.このモデルを用いることで, 飽和領域でのばらつきの増加を説明できることを確認した.さらに, 飽和領域でのばらつきはゲート電圧に依存し, 飽和領域でのフリッカ雑音のばらつきは線形領域での値の最大2.5倍になることも, このモデルで説明できる.
NISHIDA Y, SAYAMA H, OHTA K, ODA H, KATAYAMA M, INOUE Y, MORIMOTO H, INUISHI M
Tech Dig Int Electron Devices Meet   2001年   
MAEDA S, KURIYAMA H, IPPOSHI T, MAEGAWA S, INUISHI M
Tech Dig Int Electron Devices Meet   2001年   

特許

 
山下 朋弘, 小森 重樹, 犬石 昌秀
小森 重樹, 山下 朋弘, 犬石 昌秀
小森 重樹, 山下 朋弘, 犬石 昌秀
石神 俊一郎, 小森 重樹, 降屋 久, 犬石 昌秀