INUISHI, Masahide

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Name
INUISHI, Masahide
Affiliation
Waseda University
Section
Faculty of Science and Engineering

Published Papers

 
Eikyu Katsumi, Sakai Atsushi, Matsuura Hitoshi, Nakazawa Yoshito, Akiyama Yutaka, Yamaguchi Yasuo, Inuishi Masahide
IEEE Conference Proceedings   2016(ISPSD) 211‐214   2016
OHBAYASHI Shigeki, YABUUCHI Makoto, NII Koji, TSUKAMOTO Yasumasa, IMAOKA Susumu, ODA Yuji, YOSHIHARA Tsutomu, IGARASHI Motoshige, TAKEUCHI Masahiko, KAWASHIMA Hiroshi, YAMAGUCHI Yasuo, TSUKAMOTO Kazuhiro, INUISHI Masahide, MAKINO Hiroshi, ISHIBASHI Koichiro, SHINOHARA Hirofumi
IEEE J Solid-State Circuits   42(4) 820-829   Apr 2007
HAYASHI Takashi, YAMASHITA Tomohiro, SHIGA Katsuya, HAYASHI Kiyoshi, ODA Hidekazu, EIMORI Takahisa, INUISHI Masahide, OHJI Yuzuru
Jpn J Appl Phys Part 1   44(4B) 2157-2160   Apr 2005
ISHIBASHI Masato, HORITA Katsuyuki, SAWADA Mahito, KITAZAWA Masashi, IGARASHI Motoshige, KUROI Takashi, EIMORI Takahisa, KOBAYASHI Kiyoteru, INUISHI Masahide
Jpn J Appl Phys Part 1   44(4B) 2152-2156   Apr 2005
YAMASHITA T, NISHIDA Y, HAYASHI K, EIMORI T, INUISHI M, OHJI Y
Jpn J Appl Phys Part 1   43(4B) 1799-1803   Apr 2004
MAEDA S, KURIYAMA H, IPPOSHI T, MAEGAWA S, INOUE Y, INUISHI M, KOTANI N, NISHIMURA T
IEEE Trans Electron Devices   50(6) 1451-1458   Jun 2003
YAMASHITA T, KITAZAWA M, KAWASAKI Y, TAKASHINO H, KUROI T, INOUE Y, INUISHI M
Jpn J Appl Phys Part 1   41(4B) 2399-2403   Apr 2002
MATSUMOTO T, MAEDA S, HIRANO Y, EIKYU K, YAMAGUCHI Y, MAEGAWA S, INUISHI M, NISHIMURA T
IEEE Trans Electron Devices   49(1) 55-60   Jan 2002
YAMAGUCHI Y, IPPOSHI T, UEDA K, MASHIKO K, MAEGAWA S, INUISHI M, NISHIMURA T
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E84-C(12) 1735-1745   Dec 2001
HIRANO Y, MAEDA S, NII K, IWAMATSU T, IPPOSHI T, KAWASHIMA H, MAEGAWA S, INUISHI M, NISHIMURA T
IEEE Trans Electron Devices   48(12) 2816-2822   Dec 2001
MAEDA S, WADA Y, YAMAMOTO K, KOMURASAKI H, MATSUMOTO T, HIRANO Y, IWAMATSU T, YAMAGUCHI Y, INUISHI M
IEEE Trans Electron Devices   48(9) 2065-2073   Sep 2001
IWAMATSU T, NAKAYAMA K, TAKAOKA H, TAKAI M, YAMAGUCHI Y, MAEGAWA S, INUISHI M, KINOMURA A, NISHIMURA T
Jpn J Appl Phys Part 1   39(4B) 2236-2240   Apr 2000
UENO S, INOUE Y, INUISHI M, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   39(4B) 1963-1968   Apr 2000
SHIMIZU M, MITSUI K, INUISHI M, ARIMA H, HAMAGUCHI C
Jpn J Appl Phys Part 1   37(12A) 6340-6347   Dec 1998
SHIMIZU M, KUROI T, INUISHI M, ARIMA H, ABE H, HAMAGUCHI C
Jpn J Appl Phys Part 1   37(11) 5926-5931   Nov 1998
SHIMOMURA K, SHIMANO H, SAKASHITA N, OKUDA F, OASHI T, YAMAGUCHI Y, EIMORI T, INUISHI M, KYUMA K
IEEE J Solid-State Circuits   32(11) 1712-1720   Nov 1997
KISHIMOTO T, TAKAI M, OHNO Y, NISHIMURA T, INUISHI M, KINOMURA A, HORINO Y, FUJII K
Nucl Instrum Method Phys Res Sect B Beam Interact Mater At   130(1/4) 524-527   Jul 1997
KISHIMOTO T, TAKAI M, OHNO Y, NISHIMURA T, INUISHI M
Jpn J Appl Phys Part 1   36(6A) 3460-3462   Jun 1997
YASUOKA A, KUROI T, SHIMIZU S, SHIRAHATA M, OKUMURA Y, INOUE Y, INUISHI M, NISHIMURA T, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   36(2) 617-622   Feb 1997
MURAKAMI T, KUROI T, KAWASAKI Y, INUISHI M, MATSUI Y, YASUOKA A
Nucl Instrum Method Phys Res Sect B Beam Interact Mater At   121(1/4) 257-261   Jan 1997
YAMASHITA T, KOMORI S, KUROI T, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 869-873   Feb 1996
SHIRAHATA M, OKUMURA Y, ABE Y, KUROI T, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 874-881   Feb 1996
SHIMIZU S, KUROI T, KUSUNOKI S, OKUMURA Y, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 802-806   Feb 1996
KUROI T, SHIRAHATA M, OKUMURA Y, SHIMIZU S, TERAMOTO A, ANMA M, INUISHI M, MIYOSHI H
Jpn J Appl Phys Part 1   35(2B) 1454-1459   Feb 1996
SHIMIZU S, TANIZAWA M, KUSUNOKI S, INUISHI M, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   34(2B) 889-894   Feb 1995
KUROI T, KOBAYASHI M, SHIRAHATA M, OKUMURA Y, KUSUNOKI S, INUISHI M, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   34(2B) 771-775   Feb 1995
SHIMIZU M, INUISHI M, TSUKAMOTO K, ARIMA H, MIYOSHI H
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E77-C(8) 1369-1376   Aug 1994
KUROI T, KAWASAKI Y, ISHIGAKI Y, KINOSHITA Y, INUISHI M, TSUKAMOTO K, TSUBOUCHI N
Jpn J Appl Phys Part 1   33(1B) 541-545   Jan 1994
SHIMIZU M, YAMAGUCHI T, INUISHI M, TSUKAMOTO K
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E76-C(4) 532-540   Apr 1993
KUROI T, KAWASAKI Y, MOMORI S, FUKUMOTO K, INUISHI M, TSUKAMOTO K, SHINYASHIKI H, SHINGYOJI T
Jpn J Appl Phys Part 1   32(1B) 303-307   Jan 1993
OKUMURA Y, KUNIKIYO T, OGOH I, GENJO H, INUISHI M, NAGATOMO M, MATSUKAWA T
IEEE Trans Electron Devices   38(12) 2647-2656   Dec 1991
MORIMOTO H, TSUKAMOTO K, SHINOHARA H, INUISHI M, KATO T
IEEE Trans Electron Devices   34(2 Pt.1) 230-234   Feb 1987
INUISHI M, WESSELS B W
Thin Solid Films   103(1/2) 141-153   May 1983

Misc

 
山口泰男, 新川田裕樹, 蒲原史朗, 犬石昌秀
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   63rd ROMBUNNO.19P-W631-4   Mar 2016
YABUUCHI Makoto, OHBAYASHI Shigeki, NII Koji, TSUKAMOTO Yasumasa, IMAOKA Susumu, IGARASHI Motoshige, TAKEUCHI Masahiko, KAWASHIMA Hiroshi, MAKINO Hiroshi, YAMAGUCHI Yasuo, TSUKAMOTO Kazuhiro, INUISHI Masahide, ISHIBASHI Koichiro, SHINOHARA Hirofumi
IEICE technical report   106(206) 149-153   Aug 2006
We propose a new design scheme to improve the SRAM read and write operation margins in the presence of a large Vth variability. By applying this scheme to a 0.494μm^2 SRAM cell with a β ratio of 1, which is an aggressively small cell size, we can ...
岡垣健, 谷沢元昭, 藤永正人, 国清辰也, 結城秀昭, 石川清志, 西川毅一, 栄森貴尚, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   52nd(0) 16   Mar 2005
石橋真人, 堀田勝之, 沢田真人, 北沢雅志, 五十嵐元繁, 黒井隆, 栄森貴尚, 小林清輝, 犬石昌秀
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   67th 68-71   Dec 2004
前川繁登, 一法師隆志, 犬石昌秀, 大路譲
電子情報通信学会技術研究報告   104(251(ICD2004 82-96)) 19-23   Aug 2004
小松大士, 岩松俊明, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀, 大路譲
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   51st(2) 967   Mar 2004
IPPOSHI Takashi, HIRANO Yuuichi, NII Kouji, TSUKAMOTO Yasumasa, MAEGAWA Shigeto, INUISHI Masahide, OHJI Yuzuru
Technical report of IEICE. SDM   103(556) 33-36   Jan 2004
Actively Body-bias Controlled (ABC) SOI SRAM that has a new cell structure including connections of the access and the driver transistor's bodies to the word line is proposed to realize low-voltage operation. We developed the direct body contact t...
岩松俊明, 前川繁登, 犬石昌秀, 大路譲
応用物理学会学術講演会講演予稿集   64th(0) 69   Aug 2003
阿保智, 水谷斉治, 池田幸司, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   49th(2) 884   Mar 2002
前田茂伸, 栗山祐忠, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀
電子情報通信学会大会講演論文集   2002 222   Mar 2002
Maeda Shigenobu, Kuriyama Hirotada, Ipposhi Takashi, Maegawa Shigeto, Inuishi Masahide
Proceedings of the IEICE General Conference   2002    Mar 2002
西田征男, 佐山弘和, 太田一伸, 尾田秀一, 片山実紀, 井上靖朗, 森本博明, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   101(573(SDM2001 213-226)) 17-23   Jan 2002
松本拓治, 太田和伸, 平野有一, 佐山弘和, 岩松俊明, 山本和也, 加藤隆幸, 山口泰男, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   101(573(SDM2001 213-226)) 31-36   Jan 2002
前田茂伸, 栗山祐忠, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   101(573(SDM2001 213-226)) 37-42   Jan 2002
NISHIDA Yukio, SAYAMA Hirokazu, OHTA Kazunobu, ODA Hidekazu, KATAYAMA Miki, INOUE Yasuo, MORIMOTO Hiroaki, INUISHI Masahide
Technical report of IEICE. SDM   101(573) 17-23   Jan 2002
Novel device architecture is presented for realization of high reliability and high performance, where surface channel (SC) pMOSFET and buried channel (BC) pMOSFET are fabricated on the same chip without extra process steps. High reliability for n...
園田賢一郎, 谷沢元昭, 永久克巳, 石川清志, 熊本敏夫, 河野浩之, 犬石昌秀, 井上靖朗
電子情報通信学会技術研究報告   101(318(VLD2001 68-72)) 13-18   Sep 2001
前川繁登, 一法師隆志, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 594   Sep 2001
太田和伸, 佐山弘和, 尾田秀一, 井上靖朗, 犬石昌秀, 中岡弘明, 中石賢太郎, 布施玄秀, 柁谷敦宏, 小倉基次
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 692   Sep 2001
上野修一, 園田賢一郎, 寺本章伸, 梅田浩司, 黒井隆, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 693   Sep 2001
阿保智, 水谷斉治, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学会学術講演会講演予稿集   62nd(2) 702   Sep 2001
堀田勝之, 北澤雅志, 内田哲也, 黒井隆, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 919   Mar 2001
上野修一, 寺本章伸, 梅田浩司, 黒井隆, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 805   Mar 2001
園田賢一郎, 谷沢元昭, 永久克己, 熊本敏夫, 河野浩之, 石川清志, 小谷教彦, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(0) 36   Mar 2001
水谷斉治, 阿保智, 岩松俊明, 前川繁登, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 917   Mar 2001
阿保智, 水谷斉治, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 917   Mar 2001
平野有一, 松本拓治, 前田茂伸, 岩松俊明, 国清辰也, 新居浩二, 山本和也, 山口泰男, 一法師隆志, 前川繁登, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   48th(2) 918   Mar 2001
犬石昌秀
三菱電機技報   75(3) 184-187   Mar 2001
西田征男, 佐山弘和, 尾田秀一, 井上靖朗, 犬石昌秀
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   59th 18-23   Dec 2000
MAEDA S., WADA Y., YAMAMOTO K., KOMURASAKI H., MATSUMOTO T., HIRANO Y., IWAMATSU T., YAMAGUCHI Y., IPPOSHI T., UEDA K., MASHIKO K., MAEGAWA S., INUISHI M.
Technical report of IEICE. SDM   100(477) 47-53   Nov 2000
A 0.18μm SOI CMOS technology using hybrid trench isolation with high resistivity substrate has been proposed for RF/analog applications and its feasibility is verified. The hybrid trench isolation is a successful combination of the partial trench ...
塩沢勝臣, 堀田勝之, 伊藤康悦, 梅田浩司, 内田哲也, 徳田安紀, 井上靖朗, 佐藤真一, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   100(374(SDM2000 148-157)) 53-59   Oct 2000
木寺真琴, 谷沢元昭, 園田賢一郎, 石川清志, 小谷教彦, 犬石昌秀
電子情報通信学会技術研究報告   100(293(VLD2000 48-56)) 35-40   Sep 2000
奥平智仁, 油谷明栄, 柏原慶一朗, 常峰美和, 伊藤博巳, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th(2) 508   Mar 2000
上野修一, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th(2) 904   Mar 2000
阿保智, 前川繁登, 岩松俊明, 犬石昌秀, 西村正, 高井幹夫
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   47th(2) 886   Mar 2000
松本拓治, 前田茂伸, 平野有一, 山口泰男, 前川繁登, 犬石昌秀, 西村正
電子情報通信学会技術研究報告   99(681(SDM99 225-234)) 1-6   Mar 2000
奥平智仁, 油谷明栄, 柏原慶一朗, 常峰美和, 伊藤博巳, 犬石昌秀
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   57th 97-102   Dec 1999
HIRANO Y., MAEDA S., MATSUMOTO T., NII K., IWAMATSU T., YAMAGUCHI Y., IPPOSHI T., KAWASHIMA H., MAEGAWA S., INUISHI M., NISHIMURA T.
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   57 19-24   Dec 1999
OKUDAIRA Tomonori, YUTANI Akie, KASHIHARA Keiichiro, TSUNEMINE Yoshikazu, ITOH Hiromi, INUISHI Masahide
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集   57 97-102   Dec 1999
柏原慶一朗, 常峰美和, 油谷明栄, 奥平智仁, 藤田靖, 堀川剛, 芝野照夫, 大森達夫, 犬石昌秀
月刊Semiconductor World   18(13) 58-64   Nov 1999
上野修一, 井上聡朗, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th(2) 758   Sep 1999
西田征男, 佐山弘和, 大石敏之, 尾田秀一, 井上靖朗, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   60th(2) 643   Sep 1999
伊藤博巳, 柏原慶一朗, 常峰美和, 奥平智仁, 油谷明栄, 犬石昌秀
月刊ファインケミカル   28(14) 24-36   Aug 1999
KUROI Takashi, SHIMIZU Satoshi, INOUE Yasuo, INUISHI Masahide
OYOBUTURI   66(4) 381-384   1997
微細MOSFETの高性能,高信頼化を実現するための新しい窒素イオン注入技術についで述べる.ポリシリコンゲート電極に窒素イオン注入を行い窒素をゲート酸化膜に拡散させることで窒化酸化膜力形成できる.この技術を用いてボロンのゲート電極からの突き抜けが抑制できると同時に,ホットキャリア耐性などのゲート酸化膜信頼性を向上させることがでぎる.ざらに, MOSFETのソースドレイン領域に注入される窒素の影響で,不純物の拡散を抑制し,接合リーク電流を増加させることなく浅し接合の形成が河能となる.
酒井舞子, 黒井隆, 内田哲也, 安田徹, 小森重樹, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 622   Sep 1996
西田征男, 清水悟, 黒井隆, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 669   Sep 1996
古川彰彦, 阿部雄次, 清水悟, 黒井隆, 徳田安紀, 犬石昌秀
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 668   Sep 1996
佐山弘和, 黒井隆, 清水悟, 白畑正芳, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学会学術講演会講演予稿集   57th(2) 664   Sep 1996
黒井隆, 清水悟, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 平尾正
半導体研究   42 45-88   Aug 1996
中込儀延, 犬石昌秀, ANAND M B
月刊Semiconductor World   15(8) 42-46   Aug 1996
SHIMIZU Satoshi, TANIZAWA Motoaki, KUSUNOKI Shigeru, INUISHI Masahide, MIYOSHI Hirokazu
The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C-(0xF9C2)   79(6) 273-281   Jun 1996
ULSIは,デイープサブミクロン領域への微細化による高集積化と共に,低電源電圧での高性能動作が要求されてきている. このような要求に対して,電源電圧を下げても従来の信頼性判定基準である直流(DC)ストレスによるMOSトランジスタのホットキャリヤ寿命の見積りでは,劣化を過剰に見積もるため, トランジスタ性能が制限されてしまう.従って,実回路動作状態での実質的なデバイスの寿命である交流(AC)寿命を,精度良く求める手法が切望されている.我々は,ホットキャリヤ劣化速度係数がストレス条件に依存し,...
ODA Hidekazu, UENO Shuichi, AJIKA Natsuo, INUISHI Masahide, MIYOSHI Hirokazu
The Transactions of the Institute of Electronics,Information and Communication Engineers. C-(0xF9C2)   79(6) 282-289   Jun 1996
フラッシュメモリでは,メモリセルへの書き込みはチャネルホットエレクトロン注入を用い,消去はFNトンネリングを用いて行う.そのため,高い印加電圧が必要である. メモリセル構造は,効率的に書き込み/消去を行うためにソース/ドレーン非対称構造となっている.微細化を進めて行くうえで, これらの動作電圧の高いことやソース/ドレーンが非対称構造であることが問題となる. これらの問題に対し,べリッドチャネル形nMOSFETを用いたメモリセルを試作し,ホットキャリヤ注入効率を向上させ,低電源電圧化,対称構...
尾田秀一, 上野修一, 味香夏夫, 犬石昌秀, 三好寛和
電子情報通信学会論文誌 C-2   79(6) 282-289   Jun 1996
清水悟, 黒井隆, 川崎洋司, 楠茂, 奥村喜紀, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   43rd(2) 690   Mar 1996
山下朋弘, 黒井隆, 小森重樹, 内田哲也, 小林清輝, 犬石昌秀, 三好寛和
応用物理学関係連合講演会講演予稿集   43rd(2) 729   Mar 1996
SHIMIZU Satoshi, KUROI Takashi, SAKAI Maiko, FUJINO Takeshi, MAEDA Hiroshi, TSUTSUMI Toshiaki, HIROSE Yukinori, KUSUNOKI Shigeru, INUISHI Masahide, HIRAO Tadashi
Technical report of IEICE. SDM   95(194) 47-54   Jul 1995
We have developed the novel 0.15μm CMOS process for high performance and high reliability, consisting of mixing the CoSi_2/Si interface using silicon ion implantation to form shallow junctions, nitrided oxide using nitrogen implantation into gate ...
KUROI T, INUISHI M
超LSIウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム   22nd 333-342   Aug 1994

Conference Activities & Talks

 
HIRANO Y, IPPOSHI T, THAI D H, IWAMATSU T, IKEDA T, TSUJIUCHI M, MAEGAWA S, INUISHI M, OHJI Y
Dielectr Nanosystems Mater Sci Process Reliab Manuf   2004   
TOMITA K, HASHIMOTO K, INBE T, OASHI T, INUISHI M, MIYANAGA I, NAKAMURA M, KAJIYA A, OGURA M
Dig Tech Pap Symp VLSI Technol   2002   
SONODA K, TANIZAWA M, EIKYU K, ISHIKAWA K, KUMAMOTO T, KOUNO H, INUISHI M
SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 2001   20 Sep 2001   
Drain and gate bias dependent fluctuations of flicker noise of MOSFETs are explained in terms of carrier concentration distributions in a MOSFET channel. A proposed model well describes the increase of the fluctuation in the saturation region of o...
NISHIDA Y, SAYAMA H, OHTA K, ODA H, KATAYAMA M, INOUE Y, MORIMOTO H, INUISHI M
Tech Dig Int Electron Devices Meet   2001   
MAEDA S, KURIYAMA H, IPPOSHI T, MAEGAWA S, INUISHI M
Tech Dig Int Electron Devices Meet   2001