古田守 (Mamoru Furuta) - マイポータル

基本情報

所属: 高知工科大学環境理工学群主任教授
: (兼任)総合研究所ナノテクノロジー研究センターセンター長

学位: 博士（工学）(奈良先端科学技術大学院大学)

研究者番号: 20412439
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0003-1685-3246
J-GLOBAL ID: 200901025943871540
researchmap会員ID: 5000100867

外部リンク: http://www.env.kochi-tech.ac.jp/m-furuta/

教員紹介のページ（高知工科大学）
https://www.kochi-tech.ac.jp/profile/ja/furuta-mamoru.html

研究内容紹介（The power of KUT）
https://www.kochi-tech.ac.jp/power/research/post_26.html

研究室HP
http://www.env.kochi-tech.ac.jp/m-furuta/

IEEE Senior member

主要な研究キーワード

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研究分野

経歴

2020年4月 - 現在

高知工科大学, 総合研究所ナノテクノロジー研究センター, センター長
2018年8月 - 現在

高知工科大学, 環境理工学群, 主任教授
2011年1月 - 2018年7月

高知工科大学, 環境理工学群, 教授
2008年4月 - 2010年12月

高知工科大学, ナノデバイス研究所, 准教授
2005年4月 - 2008年3月

高知工科大学, 総合研究所, 助教授
2003年4月 - 2005年3月

東芝松下ディスプレイテクノロジー(株), 生産技術センター主務
1996年4月 - 2003年3月

松下電器産業(株), 液晶事業部開発部, 主任技師
1988年4月 - 1996年3月

松下電器産業(株) 中央研究所

学歴

2002年4月 - 2003年3月

奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科博士後期課程短期修了
1986年4月 - 1988年3月

電気通信大学, 通信工学専攻修了
1984年4月 - 1986年3月

電気通信大学, 通信工学科編入学
1979年4月 - 1984年3月

大阪府立工業高等専門学校, 電気工学科

受賞

2021年3月

Special Recognition Award, Society for Information Display (SID)
2018年3月

APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会

古田守
2016年12月

Outstanding Poster Award, Low-temperature Processed Self-Alighned InGaZnO Hybrid Thin-Film Transistor with an Organic Gate Insulator, International Display Workshops (IDW ’16)

古田守
2013年12月

Outstanding Poster Award, High mobility atmospheric pressure processed IGZO TFT with AlOx/IGZO stack fabricated by mist-CVD, International Display Workshops (IDW ’13)

古田守
2013年7月

Overall Poster Award, High mobility IGZO TFT fabricated by solution-based non-vacuum mist-CVD, Semiconductor Technology for ULSI and TFTs IV (2013)

古田守
2011年5月

丹羽高柳論文賞, 映像情報メディア学会
2006年12月

Outstanding Poster Award, Low-Temperature Synthesis of SIO2 Insulator by ICP-CVD using Tetramethylsilane, International Display Workshops (IDW ’06)

古田守
2006年5月

Distinguished Paper Award, High Mobility Top-Gate ZnO TFTs for Active-Matrix Liquid Crystal Displays, Society for Information Display(SID2006)

古田守

委員歴

2019年4月 - 現在

Materials (MDPI), 編集委員
2018年1月 - 現在

International Thin-Film Transistor Conference, プログラム委員
2016年4月 - 現在

応用物理学会, APEX/JJAP編集委員
2014年4月 - 現在

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), プログラム委員
2009年4月 - 現在

International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Display (AM-FPD), プログラム委員
2005年4月 - 現在

薄膜材料デバイス研究会, 組織委員
2019年10月 - 2021年10月

国際会議SSDM, エリア10 チェア
2016年4月 - 2018年3月

応用物理学会, 機関誌「応用物理」編集委員
2013年9月 - 2017年8月

応用物理学会, 中国四国支部代議員

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

水素による透明金属酸化インジウムの半導体転移と固相結晶化フレキシブルトランジスタ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

古田守
フレキシブル透明回路を実装した三層積層式色分離型イメージセンサの創成

日本学術振興会科研費基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

古田守
酸化亜鉛透明トランジスタと積層式色分離型光電変換素子からなる光デバイスの創成

日本学術振興会科研費基盤研究(C) 2011年4月 - 2014年3月

古田守
半導体理工学研究センター(STARC) アイデアスカウト(IS)

2011年4月 - 2013年3月

古田守
新しい透明スイッチング素子の開発

科学技術振興機構(JST) 研究成果最適展開支援事業A-STEP(探索タイプ) 2010年4月 - 2011年3月

古田守
次世代薄膜トランジスタ実現に向けた大面積基板対応ナノ結晶シリコン製膜プロセス・装置化技術の開発

科学技術振興機構(JST) 研究成果最適展開支援事業A-STEP(フィージビリティースタディー) 2009年4月 - 2011年3月

古田守
酸化亜鉛(ZnO)高配向・高品質多結晶薄膜形成の手法とその薄膜トランジスタ応用に関する研究

池谷科学技術振興財団研究助成 2009年4月 - 2010年3月

古田守
酸化亜鉛(ZnO)紫外センサーの事業化と低コストプロセスの開発

高知県高知県地域研究成果事業化支援事業 2007年12月 - 2010年3月

古田守
触媒微細制御による多結晶シリコン膜の結晶核密度制御と高品質・低温形成

科学技術振興機構(JST) シーズ発掘試験 2007年4月 - 2008年3月

古田守

論文

149

High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors

Yusaku Magari, Taiki Kataoka, Wenchang Yeh, Mamoru Furuta

Nature Communications 13(1) 2022年12月
Influence of Grain Boundary Scattering on the Field-Effect Mobility of Solid-Phase Crystallized Hydrogenated Polycrystalline In2O3 (In2O3:H)

Yusaku Magari, Wenchang Yeh, Toshiaki Ina, Mamoru Furuta

Nanomaterials 12(17) 2958-2958 2022年8月26日
Defect Passivation and Carrier Reduction Mechanisms in Hydrogen-Doped In-Ga-Zn-O (IGZO:H) Films upon Low-Temperature Annealing for Flexible Device Applications

Rostislav Velichko, Yusaku Magari, Furuta Mamoru

Materials 15(1) 334-334 2022年1月
Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InO_x:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors

Taiki Kataoka, Yusaku Magari, Hisao Makino, Furuta Mamoru

Materials 15(1) 187-187 2021年12月
Impact of organic inter-layer dielectric for improvement in mechanical flexibility of self-aligned coplanar in-Ga-Zn-O thin-film transistor

Hyo-Eun Kim, Hye-Won Jang, Mamoru Furuta, Jeonghan Yoon, Saeroonter Oh, Sung-Min Yoon

Organic Electronics 96 106223-106223 2021年9月査読有り
7‐4: High Mobility Hydrogenated Polycrystalline In‐Ga‐O (IGO:H) Thin‐Film Transistors formed by Solid Phase Crystallization

Mamoru Furuta, Kenta Shimpo, Taiki Kataoka, Daiki Tanaka, Toshihiro Matsumura, Yusaku Magari, Rostislav Velichko, Daichi Sasaki, Emi Kawashima, Yuki Tsuruma

SID Symposium Digest of Technical Papers 52(1) 69-72 2021年5月
P‐12: Activation of IGZO Devices at 150°C via Reduction Process Using Hydrogen Gas During Sputtering

Yusaku Magari, S G Mehadi Aman, Daichi Sasaki, Mamoru Furuta

SID Symposium Digest of Technical Papers 52(1) 1096-1099 2021年5月
Hydrogenated In–Ga–Zn–O thin-film transistors with anodized and fluorinated Al2O3 gate insulator for flexible devices

Syuya Kono, Yusaku Magari, Marin Mori, S. G. Mehadi Aman, Norbert Fruehauf, Hiroshi Furuta, Mamoru Furuta

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBM05-SBBM05 2021年5月1日査読有り責任著者
Effects of water and hydrogen introduction during In–Ga–Zn–O sputtering on the performance of low-temperature processed thin-film transistors

Yusaku Magari, Mamoru Furura

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBM04-SBBM04 2021年5月1日査読有り責任著者
Investigation of the effect of adding a moderate amount of hydrogen on the properties of tin oxide films deposited by DC magnetron sputtering

Rostislav Velichko, Yusaku Magari, Hisao Makino, Mamoru Furuta

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(5) 2021年5月査読有り責任著者
Record-High-Performance Hydrogenated In–Ga–Zn–O Flexible Schottky Diodes

Yusaku Magari, S. G. Mehadi Aman, Daichi Koretomo, Kentaro Masuda, Kenta Shimpo, Hisao Makino, Mutsumi Kimura, Mamoru Furuta

ACS Applied Materials & Interfaces 12(42) 47739-47746 2020年10月21日査読有り最終著者
Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In–Ga–Zn–O Channel Deposited by Ar+O2+H2 Sputtering

Yusaku Magari, Mamoru Furuta

ECS Transactions 98(7) 89-95 2020年9月23日
Impact of Photo-Excitation on Leakage Current and Negative Bias Instability in InSnZnO Thickness-Varied Thin-Film Transistors

Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Shigekazu Tomai, Koki Yano

NANOMATERIALS 10(9) 2020年9月査読有り
水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価

曲勇作, 増田健太郎, 牧野久雄, 古田守

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 2378-2378 2020年8月26日
Marked improvement in reliability of 150 °C processed IGZO thin-film transistors by applying hydrogenated IGZO as a channel material

Daichi Koretomo, Shuhei Hamada, Marin Mori, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

Applied Physics Express 13(7) 076501-076501 2020年7月1日査読有り責任著者
Origin of work function engineering of silver oxide for an In–Ga–Zn–O Schottky diode

Yusaku Magari, Hisao Makino, Shinsuke Hashimoto, Mamoru Furuta

Applied Surface Science 512 144519-144519 2020年5月査読有り責任著者
Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors

Daichi Koretomo, Shuhei Hamada, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

Materials 13(8) 1935-1935 2020年4月20日査読有り責任著者
Low-temperature (150 °C) processed metal-semiconductor field-effect transistor with a hydrogenated In–Ga–Zn–O stacked channel

Yusaku Magari, S G Mehadi Aman, Daichi Koretomo, Kentaro Masuda, Kenta Shimpo, Mamoru Furura

Japanese Journal of Applied Physics 59(SG) SGGJ04-SGGJ04 2020年4月1日査読有り責任著者
Understanding the Role of Temperature and Drain Current Stress in InSnZnO TFTs with Various Active Layer Thicknesses

Dapeng Wang, Mamoru Furuta, Shigekazu Tomai, Koki Yano

NANOMATERIALS 10(4) 2020年4月査読有り
A Facile Doping Process of the Organic Inter-Layer Dielectric for Self-Aligned Coplanar In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

Hyo-Eun Kim, Mamoru Furuta, Sung-Min Yoon

IEEE Electron Device Letters 41(3) 393-396 2020年3月査読有り

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講演・口頭発表等

High Mobility Hydrogenated Polycrystalline In–Ga–O (IGO:H) Thin-Film Transistors formed by Solid Phase Crystallization

Mamoru Furuta, Kenta Shimpo, Taiki Kataoka, Daiki Tanaka, Toshihiro Matsumura, Yusaku Magari, Rostislav Velichko, Daichi Sasaki, Emi Kawashima, Yuki Tsuruma

Society for Information Display (2021) 2021年8月17日
Heterojunction Channel Engineering for Oxide Thin-Film Transistors

Mamoru Furuta

The 6th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE2020) 2020年11月3日招待有り
Heterojunction Channel Engineering for in-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

Mamoru Furuta

Electrochemical Socierty (ECS PRiME2020) 2020年10月6日招待有り
TFTs for Active Matrix: from Silicon to Oxides and New materials

Mamoru FURUTA

3rd International Conference on Consumer Electronics and Device (ICCED 2019) 2019年6月14日招待有り
Carrier transport and bias stress stability of IGZO TFT with heterojunction channel

Mamoru Furuta

7th International Conference on Semiconductor Technology for ULSI and TFTs 2019年5月20日招待有り
Low-temperature Processed InGaZnOx TFT with an Organic Gate Insulator

古田守

5th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE 2018) 2018年11月14日招待有り
ヘテロ接合チャネルIGZO TFTの特性・信頼性

古田守

第2回酸化物半導体討論会 2018年10月26日招待有り
Low-temperature activation of Ar+O2+H2 sputtered In–Ga–Zn–O film followed by thermal annealing

古田守

7th International Symposium on Transparent on Conductive Materials (TCM2018) 2018年10月17日招待有り
Low-temperature activation method for InGaZnOx thin-film transistors

古田守

ECS and SMEQ Joint International Meeting 2018年10月3日招待有り
フレキシブルデバイスに向けた酸化物薄膜トランジスタの低温プロセス

古田守

第 79 回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月20日招待有り
Mobility enhancement of InGaZnOx thin-film transistor by hetero-channel with a different composition

古田守

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018) 2018年9月12日
酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御

古田守

シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 2018年4月7日招待有り

書籍等出版物

酸化亜鉛の最先端技術と将来

古田守 (担当:分担執筆)

2011年1月
薄膜トランジスタ

古田守 (担当:分担執筆)

コロナ社 2008年11月
薄膜ハンドブック

古田守 (担当:分担執筆)

オーム社 2008年3月
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発―システムオンパネルをめざして

古田守 (担当:分担執筆)

シーエムシー出版 2007年3月

MISC

144

酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用 (電子材料研究会フレキシブル素子応用に向けた新規薄膜電子材料の合成と評価)

曲勇作, 葉文昌, 古田守

電気学会研究会資料. EFM 2021(1) 13-16 2021年11月18日
Effect of Deposition Temperature and Source Gas Chemistry in PE-CVD SiO<inf>2</inf> Passivation on InGaZnO TFTs

S. G.Mehadi Aman, Daichi Koretomo, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2018年8月15日
InGaZnOX/AgOx酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用—Origin of Schottky properties in InGaZnOx/AgOx hetero-interface and its application to flexible device—シリコン材料・デバイス

曲勇作, 牧野久雄, 橋本慎輔, 濵田賢一朗, 増田健太郎, 古田守

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(1) 33-36 2018年4月
Low-temperature (150 °C) processed self-aligned InGaZnO hybrid thin-film transistor with an organic gate insulator

Mamoru Furuta, Yvonne Krieg, Gengo Tatsuoka, S. G.Mehadi Aman, Yuya Hirota, Norbert Frühauf

23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016 4 2169-2170 2018年1月1日
時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発

川原村敏幸, DANG Giang T., LIU Li, PRADEEP E.K.C., 龍田宗孝, 古田守, 須和祐太, 佐藤翔太, 中曽根義晃, 山沖駿友 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
招待講演フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ (シリコン材料・デバイス)

古田守, 戸田達也, 辰岡玄悟, 曲勇作

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1) 53-56 2016年4月8日
デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 : バックチャネルキャリア濃度の影響 (シリコン材料・デバイス)

是友大地, 戸田達也, 松田時宜, 木村睦, 古田守

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1) 57-60 2016年4月8日
有機光導電膜3層を用いたカラー撮像デバイス (情報センシング)

堺俊克, 瀬尾北斗, 高木友望, 久保田節, 大竹浩, 古田守

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 40(12) 49-52 2016年3月
Active-Matrix flatpanel displays and devices-TFT technologies and FPD materials

Susumu Horita, Mamoru Furuta, Reiji Hattori, Yasuaki Ishikawa

Japanese Journal of Applied Physics 55(3) 2016年3月1日
Suppression of Negative Gate Bias and Illumination Stress Degradation by Fluorine-Passivated In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

Mamoru Furuta, Jingxin Jiang, Mai Phi Hung, Tatsuya Toda, Dapeng Wang, Gengo Tatsuoka

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 5(3) Q88-Q91 2016年
Low-temperature processed metal-semiconductor field-effect transistor with In-GaZn-O/AgOx Schottky gate

Y. Magari, S. Hashimoto, K. Hamada, M. Furuta

THIN FILM TRANSISTORS 13 (TFT 13) 75(10) 139-144 2016年
Image sensor with organic photoconductive films by stacking red/green and blue components

T. Takagi, H. Seo, T. Sakai, H. Ohtake, M. Furuta

IS and T International Symposium on Electronic Imaging Science and Technology 2016年
Low-temperature (150°C) processed self-aligned InGaZnO hybrid thin-film transistor with an organic gate insulator

Mamoru Furuta, Yvonne Krieg, Gengo Tatsuoka, S. G. Mehadi Aman, Yuya Hirota, Norbert Frühauf

23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016 1 116-117 2016年1月1日
パルス電圧下における酸化物TFTの自己発熱による劣化現象についての考察

木瀬香保利, 藤井茉美, 山崎はるか, 浦川哲, 苫井重和, 矢野公規, WANG Dapeng, 古田守, 石河泰明, 浦岡行治

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.15P-1B-12 2015年8月31日
14 総合研究所ナノテクノロジー研究センターのアクティビティレポート2014

新田紀子, 李朝陽, 川原村敏幸, 八田章光, 古田寛, 呉準席, 古田守, 王大鵬, 前田敏彦, 小廣和哉 …

高知工科大学紀要 12(1) 139-153 2015年7月31日
ミストアニールによる二硫化モリブデン(MoS₂)層状膜作製への挑戦

佐藤翔太, 川原村敏幸, 古田守

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.14P-D7-9 2015年2月26日
C-9-9 酸化物半導体TFTを用いたタッチパネル回路の特性解析(C-9.電子ディスプレイ,一般セッション)

古我祐貴, 松田時宣, 古田守, 木村睦

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(2) 45-45 2015年2月24日
Doping and defect passivation in In-Ga-Zn-O by fluorine

M. Furuta, J. Jiang, G. Tatsuoka, D. Wang

ECS Transactions 67(1) 41-49 2015年
Frequency Modulation-type Capacitance Sensor using Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors

Yuki Koga, Tokiyoshi Matsuda, Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura

2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD) 139-140 2015年
Stable metal semiconductor field effect transistors on oxide semiconductor channels grown via Mist-CVD

G. T. Dang, T. Kawaharamura, M. Furuta, S. Saxena, M. W. Allen

Proceedings of the International Display Workshops 1 587-590 2015年1月1日

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産業財産権

168

特開2017-095743 ITO導電膜の成膜方法

川原村敏幸, 古田守, 山田茂男, 小川一幸
特許第6103633号オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタの製造方法

川原村敏幸, 古田守, 内田貴之, 眞田克
特開2016-072570 電子デバイス、その製造方法、及びその製造装置

里吉務, 石田寛, 佐々木和男, 古田守
特開2015-176885 半導体デバイス、その製造方法、及びその製造装置

里吉務, 古田守
特許第5793723号薄膜蛍光体及びその成膜方法

李朝陽, 松田時宜, 川原村敏幸, 古田守, 古田寛, 平松孝浩, 平尾孝
特開2014-154734 オゾン支援による高品質均質金属酸化物薄膜作製技術、及び、該薄膜作製技術による酸化物薄膜トランジスタ、及び、その製造方法

川原村敏幸, 古田守, 内田貴之, 眞田克
特許第5580102号多層カーボンナノチューブの集合構造の評価方法

平尾孝, 古田守, 古田寛, 川原村敏幸, 小向拓治, 下元温, 吉原久美子
特許第5565673号ミストエッチング装置及びミストエッチング方法

平尾孝, 川原村敏幸, 古田守, 平松孝浩
WO2013-108630 電界効果型トランジスタ

笘井重和, 矢野公規, 古田守
特許第5158809号電子放出素子

古田寛, 川原村敏幸, 古田守, 平尾孝
特許第5128792号薄膜トランジスタの製法

平尾孝, 古田守, 古田寛, 松田時宜, 平松孝浩
特許第5112668号半導体装置の製法

古田寛, 平松孝浩, 松田時宜, 古田守, 平尾孝
特許第5099739号薄膜トランジスタ及びその製法

古田守, 松田時宜, 平尾孝, 古田寛, 平松孝浩
特許第5099740号薄膜トランジスタ

古田守, 平尾孝, 古田寛, 松田時宜
特許第5015534号絶縁膜の成膜方法

古田寛, 平松孝浩, 松田時宜, 古田守, 平尾孝
特許第5015472号薄膜トランジスタ及びその製法

平尾孝, 古田守, 古田寛, 松田時宜, 平松孝浩
特許第5015471号薄膜トランジスタ及びその製法

平尾孝, 古田守, 古田寛, 松田時宜, 平松孝浩
特許第5015473号薄膜トランジスタアレイ及びその製法

古田守, 平尾孝, 古田寛, 松田時宜, 平松孝浩
特許第5015470号薄膜トランジスタ及びその製法

平尾孝, 古田守, 古田寛, 松田時宜, 平松孝浩
特開2012-099661 酸化物半導体の製造方法

古田守, 笘井重和, 矢野公規, 大山正嗣

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