梶川靖友 (Yasutomo Kajikawa) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 島根大学総合理工学部物理・マテリアル工学科物理・マテリアル工学科教授

学位: 博士（工学）(東京大学)

J-GLOBAL ID: 201101081522788615
researchmap会員ID: 1000222269

外部リンク: http://www.ecs.shimane-u.ac.jp/~kajikawa/

研究キーワード

1

半導体工学

研究分野

1

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

9

1997年 - 2006年

教授2006年～助教授1997年～2006年北海道大学客員助教授三菱電機株式会社光技術研究開発株式会社
1996年 - 1997年

北海道大学
1994年 - 1997年

Mitsubishi Electric Corp., Optoelectronic
1988年 - 1994年

Optoelectronics Technology Research Corp.,
1981年 - 1988年

Mitsubishi Electric Corp., LSI Laboratory, Researcher
Assistant Manager
& Microwave Devices Lab.,
Tsukuba Laboratory, Senior Researcher
Shimane University Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Department of Electronic and Control Systems Engineering

学歴

2

- 1981年

東京大学, 工学系研究科, 物理工学
- 1979年

東京大学, 工学部, 物理工学

委員歴

1

2005年 - 2018年

応用物理学会, 中国四国支部幹事

論文

3

Zeta potential measurements for determining polarization of ZnO films

Yutaka Furubayashi, Taisuke Hayashi, Shigekazu Morito, Yuto Hiragino, Wenchang Yeh, Yasutomo Kajikawa, Hideki Hashimoto, Yasuhisa Fujita

Japanese Journal of Applied Physics 53(5S1) 05FF01-05FF01 2014年1月1日
Effects of As pressure and growth temperature on the growth of TlGaAs films by molecular-beam epitaxy

Y Kajikawa, N Kobayashi, N Nishimoto

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 93(5) 2752-2757 2003年3月査読有り
Effect of Tl content on the growth of TlGaAs films by low-temperature molecular-beam epitaxy

Y Kajikawa, M Kametani, N Kobayashi, N Nishimoto, Y Yodo, Y Kitano, Y Ohtani

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 93(3) 1409-1416 2003年2月

MISC

74

Effects of a GaSb buffer layer on an InGaAs overlayer grown on Ge(111) substrates: Strain, twin generation, and surface roughness

Y. Kajikawa, M. Nishigaichi, S. Tenma, K. Kato, S. Katsube

Journal of Applied Physics 123(16) 16593_1-7 2018年4月28日
Reappraisal of conduction and Hall effect due to impurity Hubbard bands in weakly compensated n-GaAs

Y. Kajikawa

Physica Status Solidi B 255(8) 1800063 2018年
Suppression of twin generation in the growth of GaAs on Ge (111) substrates

Y. Kajikawa, Y. Son, H. Hayase, H. Ichiba, R. Mori, K. Ushirogouchi, M. Irie

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 477(1) 40-44 2017年11月
Analysis of low-temperature data of Hall-effect measurements on p-type InP using a small-polaron theory

Yasutomo Kajikawa

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 14(3-4) 1600217-12 2017年3月1日
Analysis of low-temperature data of Hall-effect measurements on Ga-doped p-Ge on the basis of an impurity-Hubbard-band model

Yasutomo Kajikawa

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 14(3-4) 1700071-9 2017年3月1日
Analysis of the experimental data for impurity-band conduction in Mn-doped InSb

Yasutomo Kajikawa

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 14(1-2) 1600215-5 2017年1月1日
Refined analysis of low-temperature data of Hall-effect measurements on Sb-doped n-type Ge on the basis of an impurity-Hubbard-band model

Y. Kajikawa

Physica Status Solidi C 14(1) 1700151_1-12 2017年
Updated analysis of low-temperature data of Hall-effect measurements on P-doped n-Si on the basis of an impurity-Hubbard-band model

Y. Kajikawa

Physica Status Solidi C 14(1) 1700228_1-12 2017年
Multi-band analysis of thermoelectric properties of n-type Co1-xNixSb3 (0≦x≦0.01) over a wide temperature range of 10-773 K

Y. Kajikawa

Journal of Alloys and Compounds 664 338-350 2016年4月
Multi-band analysis of temperature-dependent transport coefficients (conductivity, Hall, Seebeck, and Nernst) of Ni-doped CoSb3

Y. Kajikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119(5) 055702-1 2016年2月
Hall factor for hopping conduction in n- and p-type GaN

Yasutomo Kajikawa

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 14(1-2) 1600129-6 2016年
Analysis of the Hall-effect data on Mn-doped GaAs with taking into account the Hall factor for nearest-neighbor hopping conduction

Yasutomo Kajikawa

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 5-6 13(5-6) 387-394 2016年
Two acceptor levels and hopping conduction in Mn-doped GaAs

Y. Kajikawa

Japanese Journal of Applied Physics 56(11) 011201-8 2016年
Strong temperature dependence of the Hall factor of p-type CoSb3: A re-analysis incorporating band nonparabolicity

Y. Kajikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117(5) 055702,1-7 2015年2月
電磁波と電子波の対応

梶川靖友

大学の物理教育 21(3) 151-152 2015年
Effects of impurity-band conduction on thermoelectric properties of lightly doped p-type CoSb3 (vol 116, 153710, 2014)

Y. Kajikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116(18) 153710,1-8 2014年11月
Analysis of high-temperature thermoelectric properties of p-type CoSb3 within a two-valence-band and two-conduction-band model

Y. Kajikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 115(20) 203716,1-9 2014年5月
Refined analysis of the transport properties of Co1-xNixSb3 according to a model including a deep donor level and the second lowest valleys of the conduction band

Y. Kajikawa

Journal of Alloys and Compounds 621 170-178 2014年
Thickness dependence of electrical properties of polycrystalline GaSbAs thin films grown on glass substrates: Analysis on the basis of a two-band conduction model using a differential Hall-effect method

Y. Kajikawa, K. Okamura, T. Okuzako, Y. Matsui

Thin Solid Films 545(1) 161-170 2013年10月31日
Effects of potential barrier height and its fluctuations at grain boundaries on thermoelectric properties of polycrystalline semiconductors

Y. Kajikawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114(5) 053707 2013年8月

もっとみる

書籍等出版物

2

結晶工学スクールテキスト（第７版）結晶工学の基礎

応用物理学会 2004年
Suppression of degradation in crystalline quality of InGaAs/(Al)GaAs strained quantum-well structures by increasing the barrier thickeness(joitnly worked)

Institute of Physics Conference Series No. 145, Institute of Physics Publishing 1996年

講演・口頭発表等

58

Ge(111)微傾斜基板上へのGaSbのMBE成長におけるBiサーファクタントの効果

第1回結晶工学ⅹISYSE 合同研究会 2018年
n形GaAsにおける不純物伝導のハバードバンドモデルによる解析

2018年春季応用物理学会 2018年
M. Nishigaichi, S. Tenma, K. Kato, S. Katsube, Y. Kajikawa

The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017) 2017年
p型InPおよびGaN中の最近接ホッピング伝導に対するホール因子

2016年春季応用物理学会 2016年
MnドープGaAs中のの最近接ホッピング伝導に対するホール因子

2016年春季応用物理学会 2016年
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化（IV）―多重バンドのネルンスト係数の表式とCo1-xNixSb3への応用―

2016年春季応用物理学会 2016年
Hall factor for hopping conduction in n- and p-type GaN

The 43rd International symposium on Compound Semiconductors (iscs2016). 2016年
Suppression of Twin Generation in the Growth of GaAs on Ge (111) Substrates

The 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016) 2016年
Ge(111)基板上のGaSbxAs1-xのMBE成長

2015年春季応用物理学会 2015年
CoSb3の価電子帯の非放物線性に起因するHall因子の強い温度依存性

2015年春季応用物理学会 2015年
電磁波と電子波の波動方程式の対比

2015年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2015年
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化（III）―伝導帯第３バレーと価電子帯の寄与―

2015年秋季応用物理学会 2015年
Ge(111)基板上へのGaAsのMBE成長におけるGaSb緩衝層の効果

2015年秋季応用物理学会 2015年
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化（II）―スピン軌道分裂バンドと光学フォノン散乱の影響―

2015年秋季応用物理学会 2015年
Analysis of temperature dependence of electrical properties of sputter-epitaxy grown Ge on Si

11th Thin Film Materials & Devices Meeting 2014年
p型CoSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの見直し

2014年春季応用物理学会 2014年
低温でのp型CoSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析

2014年秋季応用物理学会 2014年
Co1-xNixSb3の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の精密化

2014年秋季応用物理学会 2014年
イオン化不純物散乱が支配的な半導体多結晶の導電率に対するポテンシャル障壁高さのゆらぎの影響

2013年春季応用物理学会 2013年
熱起電力出力因子に対するポテンシャル障壁高さのゆらぎの影響

2013年春季応用物理学会 2012年

もっとみる

所属学協会

2

共同研究・競争的資金等の研究課題

6

環境関連ガス検出用としての赤外線半導体レーザ材料の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2005年 - 2006年

梶川靖友
新III-V族混晶を用いたガリウム砒素基板上長波半導体レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1998年 - 2000年

梶川靖友, 三橋豊, 永井豊, 森谷明弘
Spectroscopic Study on Deep Levels in III-V Compound Semiconductors
Study on Optical Properties of Semiconductor Quantum Structures
Study on Epitaxial Growth of Semiconductors
化合物半導体薄膜とそのデバイス応用

産業財産権

3