特許権 窒化物半導体 学校法人 名城大学, 国立大学法人三重大学 岩谷 素顕, 川瀬 雄太, 岩山 章, 竹内 哲也, 上山 智, 赤▲崎▼ 勇, 三宅 秀人 出願番号 特願2018-211573 出願日 2018年11月9日 公開番号 特開2020-075842 公開日 2020年5月21日 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=202003009042793770 ID情報 J-Global ID : 202003009042793770