低エネルギーデカボランイオン注入における損傷の形成とその増速拡散への影響について検討をおこなった。デカボランの注入エネルギーの低下に伴い、増速拡散は抑制される。また、3keVのデカボランイオン注入においてドーズ量1×10^14〜10^15atoms/cm^2の範囲では、基板表面近傍にアモルファス層が形成されているために、拡散距離は注入ドーズ量に依存しないことが明らかとなった。さらに、デカボランイオン注入においては、実効注入エネルギーの等しい単原子ボロンよりも多くの損傷を形成できることが分かった。約65%の注入効率が得られることが明らかとなった。