山本暠勇 (Akio Yamamoto) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901011712476001
researchmap会員ID: 1000020754

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研究分野

経歴

1988年4月 - 1991年3月

福井大学, 助教授
1969年4月 - 1988年3月

1969-1988 NTT光エレクトロニクス研究所主幹研究員(退職時)

学歴

- 1969年

福井大学, 電気工学

論文

Thick (~1um) p-type InxGa1？x N (x ~ 0.36) grown by MOVPE at a low temperature (~570C)

A. Yamamoto, T. Md. Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

Phys. Status Solidi B 252(5) 909-912 2015年5月査読有り
Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (1 um) InxGa1-xN (x=0.2？0.4)

A. Yamamoto, T. Md Hasan, K. Kodama, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

Journal of Crystal Growth 419 64-68 2015年3月査読有り
Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding

N. Shigekawa, J. Liang, N. Watanabe, A. Yamamoto

Phys. Status Solidi C 11(42067) 644-647 2014年3月査読有り
Phase separation of thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

A. Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

Applied Physics Express 7 35502 2014年2月査読有り
Dislocation reduction in heteroepitaxial InxGa1-xN using step-graded interlayer for future solar cells

Md. Arafat Hossain, Md. Rafiqul Islam, M. K. Hossain, A. Hashimoto, A. Yamamoto

Materials for Renewable and Sustainable Energy 2(20) 4.20E+04 2013年12月査読有り
Effects of MOVPE InGaN growth conditions on the solar cell properties of p-on-n structure Si substrate

A. Yamamoto, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa

Technical Digests of the 23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2013年11月
Analysis of InxGa1－xN/Si p-n heterojunction solar cells and the effects of spontaneous and piezoelectric polarization charges

Y.D. Zheng, A. Mihara, A. Yamamoto

Applied Physics Letters 103 153509 2013年9月査読有り
Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x~0.3) grown on GaN/a-Al2O3(0001) template

A. Yamamoto, A. Mihara, N. Shigekawa, N. Narita

Applied Physics Letters 103 82113 2013年7月査読有り
Catalyst Temperature Dependence of NH3 Decomposition for InN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

K. Sugita, D. Hironaga, A. Mihara, A. Hashimoto, A. Yamamoto

Japanese Journal of Applied Physics 52(8) 08JD04 2013年6月査読有り
A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Composition Grown on GaN/Sapphire and AlN/Si(111) Substrates

A. Yamamoto, A. Mihara, Y.D. Zheng, N. Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 52 08JB19 2013年6月査読有り
MOVPE-grown n-In_xGa_1-xN (x~0.5)/p-Si(111) template as a novel substrate

A. Yamamoto, A. Mihara, K. Sugita, V. Yu. Davydov, N. Shigekawa

Procedings of SPIE Light-Emitting Diodes: Materials Devices and Applications for Solid State Lighting XVII"" #N/A(#N/A) #N/A 2013年5月招待有り
Peculiarities in the pressure dependence of photoluminescence in InAlN

A. Kaminska, P. Nowakowski, G. Staszczak, T. Suski, J.-F. Carlin, N. Grandjean, R. Martin, A. Yamamoto

physica status solidi (b) 250(4) 677-682 2013年4月査読有り
Metal-organic vapor-phase epitaxial growth of InGaN and InAlN for multi-junction tandem solar cells

A. Yamamoto, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Narita

Materials for Renewable and Sustainable Energy 2(2) 2013年4月査読有り
MOVPE growth of InxGa1-xN (x～0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface

A. Yamamoto, A. Mihara, D. Hironaga, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Shigekawa, N. Watanabe

Physica Status Solidi C 10(3) 437-440 2013年3月査読有り
MOVPE Growth of InxGa1-xN (x～0.4) and Fabrication of Homo-junction Solar Cells

Md. Rafiqul Islam, Md. Rejvi Kaysir, Md. Jahirul Islam, A. Hashimoto, A. Yamamoto

J. Mater. Sci. Technol. 29(2) 128-136 2013年2月査読有り
窒化インジウム系半導体太陽電池の最近の動向と課題

山本あき勇, ブイヤンアシュラフル G

Journal of Vacuum Society of Japan 55(12) 541-547 2012年12月査読有り招待有り
InGaN Solar Cells: Present State of the Art and Important Challenges

Ashraful G. Bhuiyan, K. Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto

IEEE Journal of Photovoltaics 2(3) 276-293 2012年7月査読有り
Anti-corrosive stainless steel separator coated with MOCVD InGaN for polymer electrolyte fuel cell (PEFC)

M. Shimahashi, K. Matsui, K. Okada, K. Sugita, H. Sasaki, A. Yamamoto

physica status solidi (c) 9(42067) 673-676 2012年3月査読有り
MOVPE Growth of InGaN on Si(111) Substrates With an Intermediate Range of In Content

A. G. Bhuiyan, T. Esaki, A. Mihara, K Sugita, A. Hashimoto, A. Yamamoto, N. Watanabe, H. Yokoyama, N. Shigekawa

physica status solidi (c) 9(42067) 670-672 2012年3月査読有り
Highly enhanced migration in Pt-catalyst-assisted MOVPE InN by controlling the catalyst temperature

K. Sugita, T. Hotta, D. Hironaga, A. Mihara, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, A. Yamamoto

physica status solidi (c) 9(42067) 697-699 2012年3月査読有り

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MISC

381

Dislocation reduction in heteroepitaxial in x Ga1-x N using step-graded interlayer for future solar cells

Md. Arafat Hossain, Md. Rafiqul Islam, M. K. Hossain, A. Hashimoto, A. Yamamoto

Materials for Renewable and Sustainable Energy 3(1) 1-14 2014年3月1日
Phase separation of thick (~1 μm) In_xGa_1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

A. Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

Applied Physics Express 7(3) 035502 2014年3月
Dislocation reduction in heteroepitaxial in x Ga1-x N using step-graded interlayer for future solar cells

Md. Arafat Hossain, Md. Rafiqul Islam, M. K. Hossain, A. Hashimoto, A. Yamamoto

Materials for Renewable and Sustainable Energy 3(1) 1-14 2014年3月1日
Phase separation of thick (similar to 1 mu m) InxGa1-XN (x similar to 0.3) grown on AIN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

Akio Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, Akihiro Mihara, Norihiko Narita, Naoteru Shigekawa, Masaki Kuzuhara

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7(3) 035502 2014年3月
Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, Akio Yamamoto

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4 11(3-4) 644-647 2014年
Fabrication of nitride/Si tandem cell structures with low environmental burden by surface activated bonding

Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Noriyuki Watanabe, Akio Yamamoto

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 3-4 11(3-4) 644-647 2014年
Analysis of In_xGa_1−xN/Si p-n heterojunction solar cells and the effects of spontaneous and piezoelectric polarization charges

Y.D. Zheng, A. Mihara, A. Yamamoto

Applied Physics Letters 103(15) 153509 2013年10月
Analysis of InxGa1-xN/Si p-n heterojunction solar cells and the effects of spontaneous and piezoelectric polarization charges

Yangdong Zheng, Akihiro Mihara, Akio Yamamoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 103(15) 153509 2013年10月
A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate

Akio Yamamoto, Akihiro Mihara, Yangdong Zheng, Naoteru Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(8) 08JB19 2013年8月
Catalyst Temperature Dependence of NH3 Decomposition for InN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

Kenichi Sugita, Daizo Hironaga, Akihiro Mihara, Akihiro Hashimoto, Akio Yamamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(8) 08JD04 2013年8月
Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x similar to 0.3) grown on GaN/alpha-Al2O3(0001) template

Akio Yamamoto, Akihiro Mihara, Naoteru Shigekawa, Norihiko Narita

APPLIED PHYSICS LETTERS 103(8) 082113 2013年8月
A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate

Akio Yamamoto, Akihiro Mihara, Yangdong Zheng, Naoteru Shigekawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(8) 08JB19 2013年8月
Catalyst Temperature Dependence of NH3 Decomposition for InN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

Kenichi Sugita, Daizo Hironaga, Akihiro Mihara, Akihiro Hashimoto, Akio Yamamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(8) 08JD04 2013年8月
Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x similar to 0.3) grown on GaN/alpha-Al2O3(0001) template

Akio Yamamoto, Akihiro Mihara, Naoteru Shigekawa, Norihiko Narita

APPLIED PHYSICS LETTERS 103(8) 082113 2013年8月
Peculiarities in the pressure dependence of photoluminescence in InAlN

Agata Kaminska, Piotr Nowakowski, Grzegorz Staszczak, Tadeusz Suski, Andrzej Suchocki, Jean-Francois Carlin, Nicolas Grandjean, Robert Martin, Akio Yamamoto

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 250(4) 677-682 2013年4月
Peculiarities in the pressure dependence of photoluminescence in InAlN

Agata Kaminska, Piotr Nowakowski, Grzegorz Staszczak, Tadeusz Suski, Andrzej Suchocki, Jean-Francois Carlin, Nicolas Grandjean, Robert Martin, Akio Yamamoto

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 250(4) 677-682 2013年4月
MOVPE Growth of In_xGa_1-xN (x～0.4) and Fabrication of Homo-junction Solar Cells

Md. Rafiqul Islam, Md. Rejvi Kaysir, Md. Jahirul Islam, A. Hashimoto, A. Yamamoto

J. Mater. Sci. Technol. 29(2) 128-136 2013年2月
MOVPE Growth of InxGa1-xN (x ~ 0.4) and Fabrication of Homo-junction Solar Cells

Md. Rafiqul Islam, Md. Rejvi Kaysir, Md. Jahirul Islam, A. Hashimoto, A. Yamamoto

Journal of Materials Science and Technology 29(2) 128-136 2013年2月
MOVPE growth of In_xGa_1-xN (x～0.5) on Si(111) substrates with a pn junction on the surface

A. Yamamoto, A. Mihara, D. Hironaga, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Shigekawa, N. Watanabe

Physica Status Solidi C 10(3) 437-440 2013年
Metal-organic vapor-phase epitaxial growth of InGaN and InAlN for multi-junction tandem solar cells

A. Yamamoto, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Narita

Materials for Renewable and Sustainable Energy 2(2) 2013年

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書籍等出版物

太陽電池の基礎と応用

山本あき勇

培風館 2010年7月 (ISBN: 9784563067809)

講演・口頭発表等

270

MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL

A. Yamamoto, K. Kodama, Md. T. Hasan, N. Narita, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) 2014年11月
MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL

A. Yamamoto, K. Kodama, Md. T. Hasan, N. Narita, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) 2014年11月
RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation

Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Shigekawa, A. Yamamoto, M. Kuzuhara

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月応用物理学会
RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation

Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Shigekawa, A. Yamamoto, M. Kuzuhara

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月応用物理学会
p-type InxGa1-xN (x~0.3) grown by MOVPE at a low temperature (~570oC)

Md. Tanvir Hasan, N. Shigekawa, A. Yamamoto, M. Kuzuhara

2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014) 2014年8月
Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 um) InxGa1-xN (x = 0.2~0.4)

A. Yamamoto, A. Mihara, T. Md Hasan, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

2014 Interntional Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014) 2014年8月
p-type InxGa1-xN (x~0.3) grown by MOVPE at a low temperature (~570oC)

Md. Tanvir Hasan, N. Shigekawa, A. Yamamoto, M. Kuzuhara

2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014) 2014年8月
Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 um) InxGa1-xN (x = 0.2~0.4)

A. Yamamoto, A. Mihara, T. Md Hasan, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

2014 Interntional Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014) 2014年8月
Observation of phase separation for thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si substrate

A. Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5) 2014年5月
Observation of phase separation for thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si substrate

A. Yamamoto, Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Shigekawa, M. Kuzuhara

5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5) 2014年5月
Phase separation of MOVPE-grown thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) (II): Suppression of the phase separation

Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa, A. Yamamoto

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
Phase separation of MOVPE-grown thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) (I): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa, A. Yamamoto

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
Phase separation of MOVPE-grown thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) (II): Suppression of the phase separation

Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa, A. Yamamoto

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
Phase separation of MOVPE-grown thick (~1 μm) InxGa1-xN (x~0.3) (I): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

Md. Tanvir Hasan, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa, A. Yamamoto

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
Reduction of In incorporation by Si-doping in MOVPE-grown InxGa1-xN (x~0.3)

A. Mihara, N. Shigekawa, A. Yamamoto

10th InternationalConference on Nitride Semiconductors 2013年8月
Reduction of In incorporation by Si-doping in MOVPE-grown InxGa1-xN (x~0.3)

A. Mihara, N. Shigekawa, A. Yamamoto

10th InternationalConference on Nitride Semiconductors 2013年8月
MOVPE-grown n-InxGa1-xN (x？0.5)/p-Si(111) template as a novel substrate

A. Yamamoto, A. Mihara, K. Sugita, V. Yu. Davydov, N. Shigekawa

Photonics West 2013 2013年2月 SPIE OPTO
Effects of MOVPE InGaN growth conditions on the solar cell properties of p-on-n structure Si substrate

A. Yamamoto, A. Mihara, N. Narita, N. Shigekawa

23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2013年1月
MOVPE growth of InN-based alloys, InGaN and InAlN, with intermediate In compositions

A. Yamamoto, K. Sugita, A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, N. Narita, N. Shigekawa

2012 Collaborative Conference on Crystal Growth 2012年12月
MOVPE InGaN with intermediate In compositions grown on GaN/sapphire template and AlN/Si(111)

A. Mihara, Y.D. Zheng, D. Hironaga, A. Hashimoto, N. Shigekawa, A. Yamamoto

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会 2012年9月応用物理学会

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所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用ＭＯＣＶＤ法に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業(基盤研究(C)（一般）) 2014年

山本あき勇
窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用ＭＯＣＶＤ法に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業(基盤研究(C)（一般）) 2013年

山本あき勇
高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業(基盤研究(C)（一般）) 2012年

葛原正明
高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業(基盤研究(C)（一般）) 2011年

葛原正明
ＩｎＡｌＮ系多接合タンデム太陽電池の研究

文部科学省科学研究費補助金(特定領域研究（継続領域）) 2010年

山本あき勇
固相Ｃ６０及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究

日本学術振興会科学研究費補助金(基盤研究(B)（一般）) 2009年

橋本明弘
ＩｎＡ１Ｎ系多接合タンデム太陽電池の研究

文部科学省科学研究費補助金(特定領域研究（新規領域）) 2008年

山本あき勇
固相Ｃ６０及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究

日本学術振興会科学研究費補助金(基盤研究(B)（一般）) 2008年

橋本明弘
固相Ｃ６０及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究

日本学術振興会科学研究費補助金(基盤研究(B)（一般）) 2007年

橋本明弘