冷水佐壽 (Satoshi Hiyamizu) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属大阪大学大学院基礎工学研究科物質創成専攻物性物理工学領域教授

学位: 博士(工学)(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901034279641132
researchmap会員ID: 1000030050

研究キーワード

4

研究分野

2

経歴

6

1987年

- 大阪大学教授
1987年

- Osaka University, Professor
1981年 - 1986年

富士通研究所室長
1981年 - 1986年

（株）富士通研究所
1973年 - 1980年

富士通研究所研究員
1973年 - 1980年

（株）富士通研究所

学歴

2

- 1972年

大阪大学, 基礎工学研究科, 物理系
- 1972年

大阪大学

受賞

5

MISC

74

Interface roughness characterization by electron mobility of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As modulation-doped quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy

S Katoh, H Sagisaka, M Yamamoto, Watanabe, I, T Kitada, S Shimomura, S Hiyamizu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(3) 1154-1157 2005年5月
Much improved flat interfaces of InGaAs/AlAsSb quantum well structures grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy

M Imura, H Kurohara, Y Masui, T Asano, T Kitada, S Shimomura, S Hiyamizu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(3) 1158-1161 2005年5月
Extremely high electron mobility of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.46Al0.54As modulation-doped quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular-beam epitaxy

T Kitada, T Aoki, Watanabe, I, S Shimomura, S Hiyamizu

APPLIED PHYSICS LETTERS 85(18) 4043-4045 2004年11月
Photoreflectance characterization of GaAs/AlAs quantum wells with (411)A super-flat interfaces grown by molecular beam epitaxy

T Kitada, D Kawazoe, S Shimomura, S Hiyamizu

PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 21(2-4) 722-726 2004年3月
Polarization control of vertical cavity surface emitting laser structure by using self-organized quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrate by molecular beam epitaxy

J. Vac. Sci. Technol. B 22,1526-1528 2004年
Room temperature oscillation of self-organized In0.2Ga0.8As/GaAs quantum wire lasers grown on (221)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy

H Kanamori, K Hyodo, Y Ohno, S Shimomura, S Hiyamizu, Y Okamoto

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 20(4) 1493-1495 2002年7月
Room temperature lasing of quantum wire VCSELs by optical pumping grown on the (775)B GaAs substrates by MBE （共著）

Phsica E 13,892-895 2002年
Single-particle relaxation times in a psueudomorphic In0.7Ga0.3As/In0.52As0.48As QW-HEMT structure with (411)A super-flat interfaces grown by MBE （共著）

Phsica E 13,657-662 2002年
High characteristic temperature (T0=234 K) of stacked InGaAs quantum wire lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy （共著）

J.Vac.Sci.Technol. B20(3),1270-1273 2002年
Dissociation of As-4 molecules during molecular beam epitaxy of GaAsP on (n11)A and (n11)B GaAs substrates

Y Tatsuoka, M Uemura, T Kitada, S Shimomura, S Hiyamizu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 20(1) 282-285 2002年1月
Highly uniform and high obpical quality In0.22Ga0.78As/GaAs quantum wires grown on (221)a GaAs substrate by molecular beam epitasy （共著）

J.Vac.Sci.Technol. B19(5),1824-1827 2001年
Mobility enhancement by reduced remote impurity scateering in a pseudomorphic In0.7Ga0.3As/In0.52Al0.48As quantum well high electron mobility transistor sturcture with (411)A super-flat interfaces grown by molecular-beam epitaxy （共著）

J.Vac.Sci.Technol. B19(4),1515-1518 2001年
Large anisotropy of electron mobilities in laterally modulated two-dimensional systems grown on the (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy （共著）

Jpn.J.Appl.Phys. 40 (Pt.2,10A),L1058-L1060 2001年
Stacking effect of self-organized In0.15Ga0.85As quantum wires grown on (775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy （共著）

J. Crystal Growth 227-228,970-974 2001年
Optimized Channel thickness for high electron mobility in psuedomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As quantum-well HEMT structures with (411)A super-flat interfaces grown by MBE （共著）

J. Crystal Growth 227-228,289-293 2001年
Substrate temperature dependence of surface migration of As atoms during molecular beam epitaxy of GaAsP on a (411)A GaAs substrate （共著）

J. Crystal Growth 227-228,266-270 2001年
Lattice-matched InxGa1-xAs/InxAl1-xAs quantum wells (x=0.18and 0.19) grown on (411)A- and (100)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy

J. Crystal Growth 227-228,72-76 2001年
Laser operation at room temperature of self-organized In_0.1Ga_0.9As/(GaAs)₆(AlAs)₁ quantum wires grown on(775)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy.(共著)

J. Vac. Sci. Technol. B 18(3) 1672-1674 2000年
Super-flat interfaces Inpseudomorphic InGaAs/InalAs quanutum wells grown on(411)A InP substrates by MBE(共著)

J. Vac. Sci. Technol. B 18(3) 1598-1600 2000年
As₄ pressure dependence of surface segregation of indium atoms during molecular beam epitaxy of In_0.08Ga_0.92As/GaAs substrates(共著)

J. Vac. Sci. Technol. B 18(3) 1579-1582 2000年

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書籍等出版物

4

1.5μm range self-organized In 0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As quantum wire structure grown on (775)B-oriented InP substrates by molecular beam epitaxy

Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 2003年
最新半導体工学

朝倉書店 1993年
Improved GaAs/AlAs multilayer structures grown by MBE on patterned GaAs(100)Substrates with ridges along the[001]direction

Semiconductor Science and Technology 1993年
Characteristics of Two-Dimensional Electron Gas in III-V Compound Heterostructures Grown by MBE

Semiconductors and Semimetals 1990年

所属学協会

4

Works(作品等)

3

(米国特許出願)

1993年
(特許出願)GaAs/AlGaAs薄膜の成長方法

1993年
Method of Forming GaAs/AlGaAs Hetero-Structure and GaAs/AlGaAs Hetero-Structure Obtained by the Method

1993年

共同研究・競争的資金等の研究課題

6

(775)B自然形成型GaAs量子細線

その他の研究制度
(411)A 超平坦III-V化合物半導体ヘテロ界面

その他の研究制度
分子線エピタキシャル法によるIII-V化合物半導体の量子井戸,量子細線

その他の研究制度
(775)B self -organized GaAs quantum wires

The Other Research Programs
(411)A super-flat hetero-interface III-V compounds semiconductores

The Other Research Programs
Quantum Wellsand Quantum Wires of III-V Compound Semiconductor Wells Grown by MBE

The Other Research Programs