成田克 (Yuzuru Narita) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属長岡技術科学大学工学研究科材料工学専攻大学院学生（博士課程）

学位: 修士(工学)(長岡技術科学大学)

J-GLOBAL ID: 200901007608066910
researchmap会員ID: 1000364634

研究キーワード

4

研究分野

2

学歴

4

MISC

10

Initial stage of 3C-SiC growth on Si(001)-2 x 1 surface using monomethylsilane

Y Narita, T Inubushi, M Harashima, K Yasui, T Akahane

APPLIED SURFACE SCIENCE 216(1-4) 575-579 2003年6月
Si c(4 x 4) structure appeared in the initial stage of 3C-SiC epitaxial growth on Si(001) using monomethylsilane and dimethylsilane

Y Narita, T Inubushi, K Yasui, T Akahane

APPLIED SURFACE SCIENCE 212 730-734 2003年5月
Si c(4 x 4) structure appeared in the initial stage of 3C-SiC epitaxial growth on Si(001) using monomethylsilane and dimethylsilane

Y Narita, T Inubushi, K Yasui, T Akahane

APPLIED SURFACE SCIENCE 212 730-734 2003年5月
Initial stage of 3C-SiC growth on Si(001)-2x1 surface using monomethylsilane

Applied Surface Science 216 pp.575-579 2003年
In situ observation of reflection high-energy electron diffraction during the initial growth of SiC on Si using dimethylsilane

Journal of Crystal Growth 237-239 pp.1254-1259 2002年
In situ observation of reflection high-energy electron diffraction during the initial growth of SiC on Si using dimethylsilane

Journal of Crystal Growth 237-239 pp.1254-1259 2002年
ジメチルシランを用いたSi表面でのSiC成長初期過程

成田克, 安井寛治, 赤羽正志

表面科学 22(9) 566-572 2001年
Initial Stage of SiC Growth on Si Surface Using Dimethylsilane.

Yuzuru NARITA, Kanji YASUI, Tadashi AKAHANE

Journal of The Surface Science Society of Japan 22(9) 566-572 2001年
Gate voltage-dependent Aharanov-Bohm experiment in the presence of Rashba spin-orbit interaction

Physica E 6 pp.318-321 2000年
Gate voltage-dependent Aharanov-Bohm experiment in the presence of Rashba spin-orbit interaction

Physica E 6 pp.318-321 2000年

所属学協会

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共同研究・競争的資金等の研究課題

2