2016年2月12日
Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
Applied Physics Express
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- 巻
- 9
- 号
- 3
- 開始ページ
- 031002
- 終了ページ
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）