2018年12月
14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>10^10 and 10yrs retention @85°C using novel low damage MTJ integration process
International Electron Devise Meeting
- 巻
- 2018-December
- 号
- 開始ページ
- 27.2.1
- 終了ページ
- 27.2.4
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- DOI
- 10.1109/IEDM.2018.8614606
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1109/IEDM.2018.8614606
- ISSN : 0163-1918
- SCOPUS ID : 85061808243