2017年5月22日
Post-deposition annealing effects on the insulator/semiconductor interfaces of Al2O3/AlGaN/GaN structures on Si substrates
Semiconductor Science and Technology
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- 巻
- 32
- 号
- 開始ページ
- 065012-1
- 終了ページ
- 065012-5
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）